1.3.Вопросы

1. Показать, как перемещаются носители заряда через p-n переход при нулевом, прямом и обратном напряжениях. Объяснить, почему p-n переход обладает вентильными свойствами.

2. Объяснить, что такое ширина p-n перехода и как она зависит от приложенного к переходу напряжения.

3. Начертить энергетические диаграммы p-n перехода при нулевом, прямом и обратном напряжениях и дать соответствующие объяснения для каждой из них.

4. Начертить вольт-амперную характеристику p-n перехода и показать, какое влияние на нее оказывает полупроводниковый материал, из которого изготовлен переход (например, кремний и германий).

5. Начертить вольт-амперную характеристику p-n перехода и показать, как определяется дифференциальное сопротивление в рабочей точке. Начертить зависимость дифференциального сопротивления от напряжения на переходе.

6. Объяснить, что такое эмиттер и база диода и какое влияние эти области оказывают на ход его вольт-амперной характеристики.

7. Объяснить механизм возникновения и степень влияния на вольт-амперную характеристику p-n перехода токов генерации и рекомбинации в области пространственного заряда.

8. Показать, как изменяются прямой и обратный токи p-n перехода при увеличении температуры, и объяснить эти изменения.

9. Объяснить, что такое тепловой ток p-n перехода и как он зависит от приложенного к переходу напряжения и температуры.

10. Начертить вольт-амперные характеристики p-n перехода при наличии электрического пробоя. Объянить, какие физические явления в переходе приводят к возникновению пробоя, как влияет температура на напряжение пробоя и указать диапазоны численных значений напряжений пробоя.

11. Начертить вольт-амперную характеристику p-n перехода при наличии теплового пробоя. Объяснить, какие физические явления приводят к возникновению пробоя, как влияет температура на напряжение пробоя и указать диапазон численных значений напряжений пробоя.

12. Начертить на одном графике вольт-амперные характеристики p-n переходов, изготовленных на основе кремния и германия, и объяснить существующие различия.

13. Показать и объяснить, как реагирует диод на основе p-n перехода на подключение и отключение источников тока различной величины.

14. Показать и объяснить, как реагирует диод на переключение источника напряжения смещения от прямого на обратное.

15. Объяснить, какие физические процессы приводят к появлению барьерной емкости p-n перехода, как зависит эта емкость от приложенного напряжения и в каких случаях использование этой емкости в схемотехнических расчетах является правомерным.

16. Объяснить, какие физические процессы приводят к появлению диффузионной емкости p-n перехода, как зависит эта емкость от приложенного напряжения и в каких случаях использование этой емкости в схемотехнических расчетах является правомерным.

17. Перечислить основные электрические параметры и предельные эксплуатационные данные для низкочастотных выпрямительных диодов с объяснениями и иллюстрациями на графиках.

18. Перечислить основные электрические параметры и предельные эксплуатационные данные для высокочастотных выпрямительных диодов с объяснениями и иллюстрациями на графиках.

19. Начертить простейшую схему включения стабилитрона и объяснить эффект стабилизации входного напряжения.

20. Перечислить основные электрические параметры и предельные эксплуатационные данные для стабилитронов с указанием диапазонов численных значений. Объяснить, как влияет температура на напряжение стабилизации и какими способами можно снизить это влияние.

21. Объяснить принцип работы варикапов, перечислить основные электрические параметры, указать основные области их использования и начертить простейшую схему включения.