3.Справочные данные Физические постоянные

Заряд электрона e=1,6·10^-19 Кл.

Масса покоя электрона m₀=9,11·10^-31 кг.

Скорость света в вакууме c=2,998·10⁸ м/с.

Постоянная Планка h=6,62·10^-34 Дж/с.

Постоянная Больцмана k=1,38·10^-23 Дж/К=8,62·10^-5 эВ/К.

Энергетическая постоянная ₀=8,85·10^-12 Ф/м.

Свойства Ge и Si при T=300 K

4.Свойства	5. Ge	Si
Диэлектрическая проницаемость	16	11,8
Эффективная плотность состояний в зоне проводимости Nc, см-3	1,04·1019	2,8·1019
Эффективная плотность состояний в валентной зоне Nv, см-3	6,1·1018	1,02·1019
Ширина запрещенной зоны, эВ	0,66	1,11
Подвижность электронов n, см2/В·с	3900	1500
Подвижность дырок p, см2/В·с	1900	600
Концентрация собственных носителей заряда ni, см-3	2,5·1013	1,5·1010

Литература

1. Электронные приборы /В.Н.Дулин, Н.А.Аваев, В.П.Демин и др. М.: Энергоатомиздат, 1989.

2. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990.

3. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987.

4. Батушев В.А. Электронные приборы. М.: Высшая школа, 1980.

5. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1980.

6. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. М.: Солон-Р, 1999.

7. Панфилов Д.И., Иванов В.С., Чепурин И.Н. Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях. Т1,2. М.: Додэка, 1999.

Оглавление

1. Электронно-дырочный переход и диоды на его основе 4

1.1. Основные характеристики p-n перехода и диодов 4

1.2. Задачи 8

1.3. Вопросы 11

1.4. Задание на моделирование и расчет характеристик диодов 13

2. Биполярные и полевые транзисторы 19

2.1. Основные характеристики биполярных транзисторов 19

2.2. Основные характеристики полевых транзисторов 22

2.3. Задачи 24

2.4. Вопросы 26

2.5. Задание на моделирование характеристик транзисторов 28

3. Справочные данные 33

4. Свойства 33

5. Ge 33

Учебное издание

Воробьев Михаил Дмитриевич

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ АКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ

С б о р н и к з а д а ч, в о п р о с о в

и з а д а н и й н а м о д е л и р о в а н и е

Учебное пособие

по курсу

“Электроника и микроэлектроника”

для студентов, обучающихся по направлению

“Электроника и микроэлектроника”

Технический редактор Н.Л.Черныш

ЛР №020528 от 05.06.97

______________________________________________________________

Темплан издания МЭИ 2000 г. (1), метод.

Подписано к печати 5.12.2000

Формат бумаги 60х84/16

Печ.л. 2,25

Тираж 200 Изд.№ 51 Заказ

______________________________________________________________

Издательство МЭИ, 111250, Москва, Красноказарменная, д.14

Отпечатано в типографии ЦНИИ “Электроника”, 117415, Москва, просп.

Вернадского, д.39.