
- •Предмет физики твердого тела
- •2 Периодические структуры
- •2.1 Химическая связь и кристаллическая структура
- •2.2 Кристаллическая решётка
- •2.3 Симметрия кристаллов
- •2.4. Пространственные группы и кристаллические классы.
- •2.5 Обозначение узлов, плоскостей и направлений в кристалле.
- •2.6. Плотно упакованные структуры
- •2.7 Вектор обратной решетки
- •2.8 Определение структуры кристаллов
- •3. Дефекты в кристаллах и механические свойства твердых тел
- •3.1 Дефекты кристаллов
- •3.2 Механические свойства твердых тел
- •3.3 Диффузия и ионная проводимость в твердых телах
- •4 Динамика кристаллической решетки
- •4.1 Колебания кристаллической решетки
- •4.2 Понятие о фононах
- •4.3 Теплоемкость кристаллов
- •5 Зонная теория кристаллов твердых тел
- •5.1 Электрон в периодическом поле кристалла
- •5.2 Образование энергетических зон
- •5.3 Зонная структура металлов, полуметаллов и диэлектриков
- •5.4 Электрон в кристалле как квазичастица
- •6 Металлы
- •6.1 Классическая электронная теория металлов
- •Квантовая статистика электронов в металле
- •7 Полупроводники
- •7.1 Собственные полупроводники
- •7.2 Примесные полупроводники
- •7.3 Фотопроводимость полупроводников
- •7.4 Люминесценция
5 Зонная теория кристаллов твердых тел
5.1 Электрон в периодическом поле кристалла
Атомы
(ионы) в идеальном кристалле расположены
таким образом, что образуют регулярную
периодическую структуру. Поэтому
необходимо рассмотреть задачу об
электроне в потенциальном поле
,
которое имеет периодичность решетки
Браве, лежащей в основе такой структуры.
Т.ак как полная периодичность – это идеализация, то задачу разбивают на две части: 1) рассмотрение гипотетического идеального кристалла с абсолютно периодическим потенциалом; 2) изучение влияния на свойства кристалла всевозможных отклонений от полной периодичности, которые рассматриваются как малые возмущения.
Задача о движении электронов в кристалле представляет собой многоэлектронную задачу.
Волновая функция кристалла:
,
(5.1)
где
– радиус-вектор электрона;
–
радиус-вектор
ионов (атомов или ядер).
Стационарное уравнение Шредингера имеет вид:
(5.2)
где
,
т.е. полный гамильтониан твердых тел
содержит не только одноэлектронные
потенциалы, описывающие взаимодействие
электронов с атомными ядрами, но и парные
потенциалы, описывающие взаимодействия
между электронами, а также между ионами.
Рассмотрим слагаемые, входящие в полный гамильтониан:
,
.
(5.3)
Все потенциальные энергии являются двойными суммами в силу парных взаимодействий. Волновая функция кристалла не может быть представлена в виде произведения функций отдельных частиц.
Первым упрощением является адиабатическое приближение: будем считать, что ионы неподвижны (так как масса иона много больше массы электрона). Следовательно, имеем:
.
(5.4)
Волновая функция лишь параметрически зависит от положения ионов, т.е. можно записать:
.
(5.5)
В
этом случае
,
.
Гамильтониан кристалла имеет вид:
.
(5.6)
Второе упрощение – одноэлектронное приближение, которое выполняется по методу Хартри–Фока. Сущность метода Хартри–Фока: считается, что каждый из электронов движется независимо от остальных электронов в усредненном поле всех ионов и остальных электронов.
Обозначим
через
потенциальную энергию k-го электрона в
усредненном поле всех ионов,
– потенциальную энергию k-го электрона
в усредненном поле остальных электронов.
Тогда
,
.
В этом случае гамильтониан системы равен:
,
(5.7)
следовательно,
,
(5.8)
где
.
Таким образом, волновую функцию кристалла можно записать в виде:
.
(5.9)
Подстановка такой функции приводит к разделению переменных и к записи уравнения Шредингера для одного электрона:
,
(5.10)
где
.
Величина
носит название внутрикристаллического
потенциала. Потенциал
строится для каждого типа кристаллической
решетки и его построение – отдельная
задача в физике твердого тела. Вид
потенциала
связан с симметрией кристалла и он
обладает периодичностью кристаллической
решетки.
Пусть имеем линейный одномерный кристалл. Потенциал периодический (см. рис. 5.1), причем
,
(5.11)
где – произвольный вектор решетки.
Рисунок 5.1 – Вид внутри кристаллического потенциала
Вероятность локализации электрона в точках, отстоящих на вектор решетки , одинакова, т.е.
,
(5.12)
тогда
функции
и
могут отличаться только фазовыми
множителями:
,
(5.13)
в
этом условии вектор
определен с точностью до произвольного
вектора обратной решетки. Пусть
,
тогда
.
В физике твердого тела доказывается теорема Блоха, которая утверждает, что волновые функции электронов в кристалле могут быть представлены в виде плоских волн, амплитуда которых является периодической функцией решетки:
,
(5.14)
где
.
В общем случае волновые функции электронов представимы в виде пакета функций Блоха. Покажем, что функции Блоха удовлетворяют условию (5.13):
,
т.е.
.
На волновые функции электронов в кристалле налагаются граничные условия.
Из-за
границ кристалла реально в кристалле
существуют не бегущие, а стоячие волны,
однако в приложениях удобно работать
с бегущими волнами, поэтому на кристалл
налагаются граничные условия Борна-Кармана:
электрон описывается бегущей волной,
в момент времени, когда электрон выходит
из-за границы кристалла, на противоположной
стороне появляется такой же электрон,
а волновые функции на границах должны
совпадать, т.е. для линейного кристалла
это означает
:
,
.
Но
,
тогда
,
и приходим к уравнению
,
(5.15)
где
-
целое число.
Волновой вектор k принимает значения:
,
(5.16)
Т.у.
.
Если
,
то значения k
не приводят к физически различным
результатам, так как вектор
определяется лишь с точностью до
произвольного вектора обратной решетки.
Таким образом, волновой вектор
принимает
дискретных значений. Следовательно,
для электронов в кристалле волновой
вектор
обладает дискретным спектром значений
и может рассматриваться как квантовое
число, определяющее состояние электрона.
Учитывая, что
,
во многих случаях распределение
k
можно считать практически непрерывным.