Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Организация и принцип работы памяти.doc
Скачиваний:
66
Добавлен:
15.11.2019
Размер:
187.39 Кб
Скачать

Внешние запоминающие устройства

Устройства внешней памяти, или, иначе, внешние запоминающие устройства, весьма разнообразны. Их можно классифицировать по целому раду признаков: по виду носителя, по типу конструкции, по принципу записи и считывания информации, по методу доступа и т. д. При этом под носителем понимается материальный объект, способный хранить информацию.

Один из возможных вариантов классификации ВЗУ приведен на рис. 9.4.

В зависимости от типа носителя все ВЗУ можно разделить на носители на магнитной ленте и дисковые носители.

Рис. 9.4: Классификация ВЗУ

Накопители на дисках и некоторые их параметры представлены в табл. 9.1:

  • накопители на гибких магнитных дисках (НГМД) – накопители на флоппи-дисках или дискетах;

  • накопители на жестких магнитных дисках (НЖМД) – винчестеры;

  • накопители на сменных жестких магнитных дисках, использующие эффект Бернулли;

  • накопители на флоптических дисках – floptical-накопители;

  • накопители сверхвысокой плотности записи (Very High Density) – VHD-накопители;

  • накопители на оптических компакт-дисках (Compact Disk ROM) – CD-ROM;

  • накопители на оптических дисках с однократной записью и многократным чтением (Continuous Composite Write Once, Read Many) – CC WORM;

  • накопители на магнитооптических дисках – НМОД;

  • накопители на цифровых видеодисках (Digital Versatile Disk) – DVD и др.

Таблица 9.1

Тип носителя

Емкость,

Мбайт

Время

доступа, мс

Трансфер,

Кбайт/с

Вид доступа

НГМД

1,2; 1,44

65–100

55–150

Чтение-запись

Жесткий диск

1000–250 000

5–30

500–6000

Чтение-запись

Бернулли

20–230

20

500–2000

Чтение-запись

Floptical

20–120

65

100–1000

Чтение-запись

VHD

120–240

65

200–1000

Чтение-запись

DVD

4700–17 000

150–200

1380

Чтение-запись

CD-ROM

250–1500

50–300

150–3000

Чтение

CD-RW

120–1000

50–150

150–3000

Чтение-запись

НМОД

128–2600

50–150

300–6000

Чтение-запись

Время доступа – средний временной интервал, в течение которого накопитель находит требуемые данные.

Трансфер – скорость передачи данных при последовательном чтении.

Принцип работы памяти в процессе выполнения программы в эвм

При запуске какой-либо программы, файлы программы с жесткого диска загружаются в оперативную память (рис. 9.5). Но так как программа имеет размер больше чем емкость оперативной памяти, часть программы записывается в виртуальную память (это часть свободного места на жестком диске, отведенная операционной системой).

Рис. 9.5: Функциональная схема организации и принципа работы памяти

Процесс записи информации в ОЗУ производится контроллером прямого доступа к памяти, без участия микропроцессора. В контроллере находится регистр, в котором записывается адрес ячейки ОЗУ, в которую он записывает данные. После передачи информации на ОЗУ, адрес передается на регистры адреса микропроцессорной памяти.

По этому адресу часть программы считывается из оперативной памяти и записывается в кэш-память микропроцессора. Кэш-память расположена на корпусе МП, поэтому считывание из нее информации происходит гораздо быстрее, чем из оперативной памяти. Далее микропроцессор выполняет часть программы, записанную в КЭШ. После обработки первой части программы вторая часть записывается в кэш-память микропроцессора и МП выполняет следующую часть программы. Когда будет обработана вся программа, находящаяся в оперативной памяти, она переписывается в виртуальную память, а освободившееся место в ОЗУ занимает следующая часть этой программы или другая программа.

Контрольные вопросы по теме:

  1. Приведите классификацию запоминающих устройств ЭВМ и дайте краткую характеристику отдельных классов.

  2. Что такое статическая оперативная память и динамическая оперативная память и где ее используют?

  3. Поясните назначение и классификацию КЭШ-пямяти.

  4. Поясните физическую структуру основной памяти.

  5. Что такое ПЗУ, каково его назначение и в чем особенности ПЗУ типа FLASH?

  6. Поясните логическую структуру основной памяти.

  7. Как адресуются ячейки основной памяти?

11