Задание на экспериментальную часть
Измерить на АРМ семейство из двух выходных ВАХ ОЭ для заданных значений входного тока Iб и выходного напряжения | | .
Измерить на АРМ семейство входных ВАХ ОЭ для нулевого и двух заданных преподавателем входных напряжений | |.
Измерить на АРМ семейство из двух выходных ВАХ ОБ для заданных преподавателем значений входного тока I э.
Измерить
на АРМ семейство из нулевого и двух
входных напряжений ВАХ ОБ заданных
входных напряжений |
|.
Сравнение ВАХ БТ ОЭ, измеренных на АРМ и стенде
Цель работы-изучения: устройства маломощных БТ; взаимосвязь ВАХ и параметров БТ в схемах ОЭ и ОБ; взаимосвязь ВАХ БТ ОЭ, измеренных вручную и на АРМ.
Выполнение измерений, их анализ
1. На стенде ЭС-4 собрать схему для измерения выходных ВАХ БТ ОЭ. Подсоединить к разъему стенда ЭС-4 транзистор, однотипный с используемым на АРМ. С помощью шунтирующего резистора, подключаемого к гнездам Г2, Г7 , скомпоновать схему, приведенную на рис.10.
2. Задать величину тока базы ВАХ, совпадающую с измеренной на АРМ. Выполнить измерение выходной ВАХ ОЭ для этого тока. Число экспериментальных точек ВАХ - 8-10, в том числе при UВЫХ = -0,25; -0,75; -1В.
3. Выполнить измерения двух входных ВАХ БТ ОЭ.
4. Перекоммутировать схему стенда ЭС-4 для измерения выходной ВАХ БТ ОБ и снять ее для тока эмиттера, равного току Iк БТ ОЭ при Uкэ = 1,5 В.
5. Построить графики входной и выходных ВАХ. Проанализировать степень и причины расхождения формы ВАХ, полученными на стенде и АРМ.
Требования по технике безопасности
При эксплуатации устройства запрещено: пользоваться штепсельными розетками и вилками с разбитыми и снятыми крышками, а также повреждёнными шнурами; включать и выключать вилку шнура мокрыми руками.
Перед осмотром и ремонтом установки вилку соединительного шнура необходимо вынуть из розетки.
Контрольные вопросы
Конструктивно-технологические особенности изготовления НЧ и ВЧ маломощных транзисторов.
Маркировка транзисторов, ее связь с параметрами.
Токопрохождение в транзисторе, состав коллекторного тока.
Эффект модуляции толщины базы, его влияние на параметры БТ.
Объяснение формы статических характеристик БТ ОБ и ОЭ.
ЛИТЕРАТУРА
1. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов/ В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. –М.: Высшая школа, 1981. – 600с. ??
2. Соболев В.Д. Физические основы электронной техники: учебник для вузов/ В.Д. Соболев.- М.: Высшая школа, 1979.- 448с., ил.
3. Изучение транзисторов в статическом режиме. Руководство к учебно-исслед. лаборат. работам по курсу «Полупроводниковые приборы и устройства» для студентов специальности 200300./ Саратовский политехн. Ин-т. – Саратов, 1987.??
4. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и ИМС /Н.Н. Горюнов, А.Ю Клейман /под общей ред. Н.Н.Горюнова.- М.: «Энергия», 1976. – 744с., ил.
5. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник. /К.М. Брежнева и др., /под обще ред. Б.Л. Перельмана.- М.: «Радио и связь», 1981. – 750с., ил.
ПРИЛОЖЕНИЕ