
- •Предисловие
- •I. Электронные ключи
- •Глава 1. Электронный ключ на биполярном транзисторе
- •1.1. Статические свойства ключа
- •1.1.1. Режим отсечки
- •1.1.2. Режим насыщения
- •1.2. Динамические свойства ключа
- •1.2.1. Время задержки
- •1.2.2. Время положительного фронта
- •1.2.3. Накопление носителей
- •1.2.4. Время рассасывания
- •1.2.5. Время среза
- •Глава 2. Повышение быстродействия ключей на биполярных транзисторах
- •2.1. Переключатели тока на биполярных транзисторах
- •Глава 3. Ключи на полевых транзисторах
- •Часть вторая исследование ключа на транзисторе
- •1. Цель работы
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Методические указания
- •4. Предварительное расчётное задание
- •5. Рабочее задание
- •5.1. Исследовать ключевую схему на биполярном транзисторе
- •II. Простейшие комбинационные
- •Интегральные микросхемы
- •Часть первая
- •Логические интегральные схемы
- •Глава 1. Основные параметры логических схем
- •1.1. Транзисторно-транзисторная логика
- •1.2. Эмиттерно-связанная логика
- •Часть вторая исследование интегральных логических элементов
- •1. Цель работы
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Методические указания
- •4. Предварительное расчётное задание
- •5. Рабочее задание
- •5.1. Исследование ключевых схем на интегральных логических элементах (илэ) (по выбору преподавателя).
- •6. Контрольные вопросы
- •Глава 1. Триггеры на интегральных микросхемах
- •1.1. Общие сведения и классификация
- •1.2. Триггеры rs-типа
- •1.3. Триггеры d-типа
- •1.4. Триггеры, управляемые перепадом синхроимпульса
- •1.5. Триггеры т-типа
- •Глава 2. Регистры
- •Глава 3. Счётчики импульсов
- •Часть вторая исследование схемы универсального регистра
- •1. Цель работы
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Предварительное расчётное задание
- •4. Рабочее задание
- •5. Контрольные вопросы
- •3. Предварительное расчётное задание
- •4. Рабочее задание
- •5. Контрольные вопросы
- •Регистра интегральные счётчики в программной среде ewb
- •IV. Генераторы прямоугольных импульсов
- •Глава 1. Общие сведения о работе генераторов
- •1.1. Мультивибратор на биполярных транзисторах
- •Мультивибратора
- •1.2. Интегральный аналог дискретного mb
- •Примером такой практической реализации являются выпускаемые интегральные мв на микросхемах 119гг1,2 серий 119 (1гф192а - 1гф192в, к1гф192) и 218 (2гф181, к2гф181).
- •1.3. Мультивибраторы на илэ
- •1.3.1. Мультивибраторы симметричного вида
- •1.3.2. Мультивибраторы несимметричного вида
- •1.4. Мультивибратор на операционном усилителе
- •1.5. Ждущие мультивибраторы
- •1.6. Таймеры
- •Часть вторая исследование схем мультивибраторов
- •1. Цель работы
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Предварительное расчётное задание
- •4. Рабочее задание
- •Мультивибраторы в программной среде ewb
- •Глава 1. Укоротители импульсов на илэ
- •Глава 2. Расширители импульсов на илэ
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Предварительное расчётное задание
- •4. Рабочее задание
- •5. Контрольные вопросы
- •VI. Генераторы линейно изменяющегося
- •Глава 1. Разновидности генераторов линейно изменяющегося сигнала
- •1.1. Глин с токостабилизирующим элементом
- •1.2. Глин с компенсирующей эдс
- •1.3. Глин на операционном усилителе
- •1.4. Автогенератор с компаратором
- •Часть вторая исследование параметров схем глиНов
- •1. Цель работы
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Предварительное расчётное задание
- •4. Рабочее задание
- •Часть третья генераторы линейно изменяющегося напряжения в программной среде ewb
- •Библиографический список
Часть вторая исследование ключа на транзисторе
1. Цель работы
Исследование ключевой схемы на биполярном транзисторе.
2. Описание лабораторной установки
На рис. 1.13 приведены принципиальные схемы лабораторного макета, которые содержат:
а) генератор импульсов (ГИ) вырабатывающий прямоугольные импульсы заданной амплитуды и длительности;
б)
ключевую схему на биполярном транзисторе
VT1
(рис. 1.13а)),
в которой предусмотрены включения
ускоряющего конденсатора
(переключатель SA1),
цепи параллельной нелинейной отрицательной
обратной связи осуществляемой через
диод VD2
(переключатель SA2)
и различных видов нагрузок:
,
,
(переключатель SA3
в положениях: SA3-1,
2, 3).
Изменение
величины базового тока
транзистора VT1
осуществляется относительным изменением
величины сопротивления переменного
резистора
.
в
)
измерительное устройство для измерения
токов базы
и коллектора
транзистора VT1
(рис. 1.13б))
в исследуемой
ключевой схеме, выполненное на операционном усилителе DA.
Питание
лабораторного макета осуществляется
от внешнего двухполярного источника
питания с напряжениями
.
Маркировка проводов питания по цвету следующая: красный – “+15” В, зеленый – “Общ.” (заземлён), белый – “-15” В.
Для наблюдения и измерения основных параметров, входных и выходных сигналов ключевой схемы используется двухлучевой осциллограф.
3. Методические указания
Этот раздел требует внимательного ознакомления с методикой измерений токов и напряжений в исследуемой схеме ключа перед выполнением рабочего задания.
3.1. Измерения токов в схеме макета выполняются с помощью измерительного устройства на ОУ с отрицательной обратной связью (рис. 1.13б)).
3.2.
Для определения тока в исследуемой цепи
данная цепь подключается к инвертирующему
входу ОУ (клемма 4). Величина измеряемого
тока
вычисляется по формуле:
,
где
- выходное напряжение ОУ, измеряемое
осциллографом с открытым
входом
(клемма 5 измерительного устройства
соединяется с входом осциллографа);
-
сопротивление обратной связи ОУ.
Выбор величины осуществляется с помощью переключателя SA4 из набора четырёх сопротивлений (0,1; 1; 10; 100 [кОм]) таким образом, чтобы напряжение на выходе ОУ не превышало значение 5 В. При этом ОУ будет работать в линейном режиме. Если указанное напряжение на его выходе будет больше, то ОУ работает в режиме насыщения. В этом случае вычисленное значение тока будет неверным.
4. Предварительное расчётное задание
4. 1. Изобразить синхронно временные диаграммы изменений напряжений на входе и выходе транзисторного ключа.
Таблица 1.2
Режим работы |
Варианты |
|||||||||
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
|
, мА |
0,6 |
0,3 |
0,4 |
0,4 |
0,3 |
0,5 |
0,2 |
0,1 |
0,4 |
0,6 |
, нФ |
20 |
4,7 |
0 |
0 |
0 |
4,7 |
4,7 |
0 |
0 |
20 |
, кОм |
10 |
1 |
0,1 |
1,0 |
0,5 |
0,25 |
10 |
1,0 |
5,0 |
7,5 |
4.2.
В соответствии с вариантом табл. 1.2,
указанным преподавателем, выполнить
расчёт длительностей фронтов: нарастания
(
),
среза
(
)
и рассасывания
для различных режимов работы транзисторного
ключа при заданных значениях:
=5
В,
=1
кОм, =40,
f=500
кГц.