
- •Предисловие
- •I. Электронные ключи
- •Глава 1. Электронный ключ на биполярном транзисторе
- •1.1. Статические свойства ключа
- •1.1.1. Режим отсечки
- •1.1.2. Режим насыщения
- •1.2. Динамические свойства ключа
- •1.2.1. Время задержки
- •1.2.2. Время положительного фронта
- •1.2.3. Накопление носителей
- •1.2.4. Время рассасывания
- •1.2.5. Время среза
- •Глава 2. Повышение быстродействия ключей на биполярных транзисторах
- •2.1. Переключатели тока на биполярных транзисторах
- •Глава 3. Ключи на полевых транзисторах
- •Часть вторая исследование ключа на транзисторе
- •1. Цель работы
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Методические указания
- •4. Предварительное расчётное задание
- •5. Рабочее задание
- •5.1. Исследовать ключевую схему на биполярном транзисторе
- •II. Простейшие комбинационные
- •Интегральные микросхемы
- •Часть первая
- •Логические интегральные схемы
- •Глава 1. Основные параметры логических схем
- •1.1. Транзисторно-транзисторная логика
- •1.2. Эмиттерно-связанная логика
- •Часть вторая исследование интегральных логических элементов
- •1. Цель работы
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Методические указания
- •4. Предварительное расчётное задание
- •5. Рабочее задание
- •5.1. Исследование ключевых схем на интегральных логических элементах (илэ) (по выбору преподавателя).
- •6. Контрольные вопросы
- •Глава 1. Триггеры на интегральных микросхемах
- •1.1. Общие сведения и классификация
- •1.2. Триггеры rs-типа
- •1.3. Триггеры d-типа
- •1.4. Триггеры, управляемые перепадом синхроимпульса
- •1.5. Триггеры т-типа
- •Глава 2. Регистры
- •Глава 3. Счётчики импульсов
- •Часть вторая исследование схемы универсального регистра
- •1. Цель работы
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Предварительное расчётное задание
- •4. Рабочее задание
- •5. Контрольные вопросы
- •3. Предварительное расчётное задание
- •4. Рабочее задание
- •5. Контрольные вопросы
- •Регистра интегральные счётчики в программной среде ewb
- •IV. Генераторы прямоугольных импульсов
- •Глава 1. Общие сведения о работе генераторов
- •1.1. Мультивибратор на биполярных транзисторах
- •Мультивибратора
- •1.2. Интегральный аналог дискретного mb
- •Примером такой практической реализации являются выпускаемые интегральные мв на микросхемах 119гг1,2 серий 119 (1гф192а - 1гф192в, к1гф192) и 218 (2гф181, к2гф181).
- •1.3. Мультивибраторы на илэ
- •1.3.1. Мультивибраторы симметричного вида
- •1.3.2. Мультивибраторы несимметричного вида
- •1.4. Мультивибратор на операционном усилителе
- •1.5. Ждущие мультивибраторы
- •1.6. Таймеры
- •Часть вторая исследование схем мультивибраторов
- •1. Цель работы
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Предварительное расчётное задание
- •4. Рабочее задание
- •Мультивибраторы в программной среде ewb
- •Глава 1. Укоротители импульсов на илэ
- •Глава 2. Расширители импульсов на илэ
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Предварительное расчётное задание
- •4. Рабочее задание
- •5. Контрольные вопросы
- •VI. Генераторы линейно изменяющегося
- •Глава 1. Разновидности генераторов линейно изменяющегося сигнала
- •1.1. Глин с токостабилизирующим элементом
- •1.2. Глин с компенсирующей эдс
- •1.3. Глин на операционном усилителе
- •1.4. Автогенератор с компаратором
- •Часть вторая исследование параметров схем глиНов
- •1. Цель работы
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Предварительное расчётное задание
- •4. Рабочее задание
- •Часть третья генераторы линейно изменяющегося напряжения в программной среде ewb
- •Библиографический список
Часть вторая исследование схем мультивибраторов
1. Цель работы
Исследование различных схем мультивибраторов на интегральных логических элементах (ИЛЭ) и на операционном усилителе (ОУ).
Изучение влияния параметров элементов схем на параметры выходного напряжения мультивибраторов.
2. Описание лабораторной установки
На рис. 4.23 представлена принципиальная электрическая схема лабораторного макета, которая состоит из трёх различных схем мультивибраторов (МВ).
Схема 1. Схема симметричного автоколебательного МВ на интегральных микросхемах (ИМС) И-НЕ (ИЛЭ DD1 - DD3).
Регулировка длительностей выходных импульсов производится изменением значений ёмкости конденсатора от СМИН до СМАКС (переключатель SA1) и сопротивления переменного резистора R1.
Схема 2. Схема несимметричного автоколебательного МВ на ИМС И-НЕ (ИЛЭ DD4 - DD7).
Регулировка длительности выходного импульса производится изменением ёмкости конденсатора С (переключатель SA2) и сопротивления переменного резистора R4.
Схема 3. Схемы автоколебательного МВ на ОУ DA1 (ключ SA5 - разомкнут) и ждущего мультивибратора (ключ SA5 - замкнут). Регулировка длительности выходных импульсов МВ осуществляется изменением ёмкостей С3 - С5 (переключатель SA4) и значением коэффициента передачи æ цепи положительной обратной связи (ПОС). Выбор глубины æ ПОС проводится изменением значений сопротивлений делителя (R7–R9) - R12 (переключатель SA6). Переключатель SA7 изменяет тип МВ: симметричный (SA7 - разомкнут) и несимметричный (SA6 – замкнут). Запуск ждущего мультивибратора осуществляется от задающего генератора (схема 2), для чего необходимо замкнуть ключи SA3 и SA5.
Питание лабораторного макета осуществляется от внешнего двухполярного источника питания ЕП= ± 15 В.
Для
наблюдения за напряжением в промежуточных
точках и
на
выходе схем МВ используется двухлучевой
осциллограф.
3. Предварительное расчётное задание
3.1. Начертить схему лабораторного макета (рис. 4.26).
3.2. Выполнить расчётное задание согласно варианту, указанному преподавателем. Для этого:
- определить период колебаний (Т) МВ, собранного на ОУ при заданных в табл. 4.1 значениях параметров элементов схемы.
Таблица 4.1
Вариант |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
12 |
13 |
14 |
15 |
16 |
Режим работы |
А |
Ж |
А |
Ж |
А |
Ж |
А |
Ж |
А |
Ж |
А |
Ж |
А |
Ж |
А |
Ж |
Форма колебаний |
С
|
Н |
С
|
Н |
С
|
Н
|
С
|
Н |
С
|
Н |
||||||
Конденсатор С |
С3 |
С4 |
С5 |
С3 |
С4 |
С5 |
С3 |
С4 |
||||||||
Резистор R7.-.R9 |
R7 |
R8 |
R9 |
В табл. 4.1 приняты следующие обозначения: А – автоколебательный режим; Ж - ждущий режим; С - симметричная форма;
Н - несимметричная форма выходных импульсов.
Величины элементов приведены на схеме рис. 4.26.
Определить период колебаний (Т) МВ, собранного на ИЛЭ при заданных в табл. 6 значениях параметров элементов схемы.
Таблица 4.2
|
Вариант |
||||||||||||
Элемент |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
|||
|
Схема 1 |
Схема 2 |
|||||||||||
Конденсатор С |
С мин |
C cр |
С макс |
С мин |
С ср |
С макс |
С мин |
C cр |
С макс |
С мин |
|||
Резистор R1 |
RMИН |
RMAКС |
(RMИН + 0,5RMAКС) |
RMИН |
RMAКC |