
- •Тема 1: Загальні відомості про пристосування, їх класифікація
- •По типу верстатів пристосування розподіляють:
- •2 Основні вимоги до пристосувань
- •Тема 2 Базування заготовок в верстатних пристосуваннях
- •1 При обробці на верстатах застосовують три основні способи встановлення деталей :
- •Другий спосіб базування
- •Третій спосіб базування
- •Правило однієї бази
- •3 Поняття про базування
- •4 Класифікація баз
- •II направляюча потайна база заготовки
- •Установка на призму
- •Тема 3: установчі елементи пристосування
- •Опори для встановлення заготовок зовнішніми і внутрішніми поверхнями обертання
- •Установка заготовки по центровим гніздам, різьбі, одночасно декількома поверхнями, по складному контуру
- •Похибки базування, які виникають при базуванні в центрах
- •Тема 4: Затискні механізми пристосувань (4 години)
- •Комбіновані затискачі
- •Тема 5: Установчо - затискні пристрої пристосування
Установка на призму
ПЕРШИЙ ПРИКЛАД
Деталь встановлена на призму по зовнішній циліндричній поверхні, де в деталі потрібно профрезувати паз.
Потрібно витримати розмір h
Становище вихідної бази центра С по відношенню до призми (технологічна база – точка О) обумовлюється вектором ОС.
Проектуючи цей вектор на напрямок розміру h, який потрібно витримати, отримуємо
L=MC=OC·cos γ
Із трикутника ОСК знаходимо
ОС=
,
де α – кут призми, d – діаметр заготовки.
тоді
L=
диференціал повний
Δh=-ΔL=
а поле розсіювання похибки базування
εб
дійсне =
де Тd – допуск по діаметру
Із схеми видно, що εб дійсне при куті призми α залежить від кута γ, тоді
якщо
γ=0
εб
дійсне=
при
γ=45º, α=90º εб
дійсне=
При
такому розташуванні, при γ=90º
- εб
дійсне=0
При
γ=0º
εб
дійсне
При встановленні в самоцентруючи пристосування (трьохкулачковий патрон, самоцентруючи лещата тощо) центр всіх заготовок, незалежно від діаметра буде займати незмінне положення, тому εб дійсне=0
ДРУГИЙ ПРИКЛАД
Потрібно витримати розмір m
Із Δ ОСМ маємо
СМ=
радіус
СА
=
тоді
L=
повний диференціал
ΔL=
а
поле розсіювання
εб
дійсне =
якщо
cos
γ=sin
,
при α=90º,
γ=45º
εб
дійсне=0
при γ=0, α=180º (при установці на площину)εб дійсне=0
ТРЕТІЙ ПРИКЛАД
Потрібно витримати розмір n
Положення вихідної бази - точки В – відносно призми обумовлюється вектором ОВ .Проектуючи по напрямку розміру n , що витримується,
отримаємо
L=
=
тоді повний диференціал
ΔL=
а поле розсіювання, відповідне дійсній похибці базування
εб
дійсне
при γ=0
εб
дійсне =
при γ=0, α=180º εб дійсне = Тd
Похибки при свердлуванні.
Потрібно в шайбі (рисунок а) просвердлити отвір і витримати розмір m з відповідним допуском.
Порівняємо за допомогою виведених залежностей дві схеми кондукторів, схематично показаних на рисунках б і в.
а)
Перша
схема (б)
Схема кондуктора на рисунку б аналогічна схемі, приведеній для розміру m вище (як для фрезерування) при γ= 0° .
Тому
Друга схема (в)
Схема кондуктора на рисунку в аналогічна схемі, приведеній вище для розміру n (як для фрезерування),
отже
відношення
при α=90º
Таким чином, неістотна, на перший погляд різниця в схемах конструкцій кондукторів веде до збільшення значення εб дійсне при другій схемі в порівнянні з першою в 6 раз.
Контрольні запитання
1 Способи встановлення заготовок
2 Правило шести точок
3 Поняття про бази
4 Класифікація
5 Похибки базування
6 Поняття про базування бази
Заняття № 7-8 (4 години)