Порядок выполнения работы

1. Собрать схему согласно рис.59.

Рис.59. Схема включения транзистора

В качестве микроамперметра А₀ использовать мультиметр MY60, минусовой провод подключить к клемме «com», а плюсовой – к «А», предел измерений установить «200 А». В качестве источника U₁ использовать нерегулируемый, а в качестве U₃ – регулируемый источники напряжения, соответственно. После проверки схемы преподавателем, включить источники питания U₁ и U₃.

2. Снять семейство входных (см. рис.57,а) и выходных (рис.57,б) характеристик транзистора. При уровнях напряжения U_кэ (вольтметр V₀) сначала 0, затем 3В и 6 В с помощью ручки переменного резистора R₁ устанавливать ток базы транзистора I_б (мультиметр), согласно таблицы 20. Соответствующие значения напряжения U_бэ (вольтметр V₁) и тока I_к (амперметр A₁) записать в табл.20.

Таблица 20

Iб, мкА	Uкэ = 0 В		Uкэ = 3 В		Uкэ = 6 В
	Uбэ, мВ	Iк, мА	Uбэ, мВ	Iк, мА	Uбэ, мВ	Iк, мА
0 20 40 60 80 100 120	0.06 0.56 0.60 0.63 0.65 0..69 0.71	0,01 0.01 0,01 0.01 0,01 0.01 0.01	0.06 0.67 0.7 0.73 0.76 0.78 0.81	0.1 2.9 6.2 9.6 13.0 16.8 20.4	0.06 0.66 0.70 0.73 0.75 0.77 0.8	0.2 3.1 6.2 10 13.9 17.9 22

3. По данным табл.20 построить графики семейства входных I_б(U_бэ) и выходных I_к (I_б) характеристик транзистора, соответствующих каждому из значений U_кэ. Для каждой их входных характеристик определить входное статическое и динамическое сопротивления транзистора. Для каждой из проходных характеристик определить коэффициент усиления по току.

4. Снять семейство выходных (см. рис.57,б) характеристик транзистора. Для этого установить, и поддерживая с помощью регулятора переменного резистора R₁ ток базы транзистора I_б (мультиметр) неизменным и равным сначала 0, затем 20, 40 и 60 мкА. При каждом значении тока базы I_б, задавать с помощью регулятора напряжения источника U₃ напряжение U_кэ транзистора (вольтметрV₀) и фиксировать соответствующие значения тока коллектора I_к (амперметр A₁). Результаты занести в табл.21.

5. По данным табл.21 построить графики семейства выходных I_к (U_кэ) характеристик транзистора при различных токах базы. По каждой из характеристик определить статическое и динамическое сопротивление транзистора.

Таблица 21

Uкэ, В	Iк, мА
	при Iб = 0 мкА	при Iб = 40 мкА	при Iб = 80 мкА	при Iб = 120 мкА
0 0,1 0,2 0,5 0,7 1 2 4 6

Контрольные вопросы

1. В каком направлении (прямом или обратном) включаются КЭДП и ЭЭДП биполярного транзистора?

2. Какая из схем включения (с ОЭ, ОК или ОБ) обладает наибольшим входным сопротивлением?

3. Какая из схем включения биполярного транзистора усиливает и ток, и напряжение и мощность?

4. Дать определение коэффициента усиления биполярного транзистора.

5. Как определить статическое и динамическое сопротивление биполярного транзистора по его входным и выходным характеристикам?

Работа № 11. Исследование полевых транзисторов

Цель работы - изучение полевых транзисторов (ПТ), включённых по схеме с общим истоком; определение влияния управляющего напряжения на выходной ток.