- •Структурная схема эта.
- •Взаимодействие узлов эта.
- •Вызывное устройство.
- •Внешний вид пьезоэлектрического ву.
- •Клавиатура.
- •Мембранная клавиатура.
- •Мембранная клавиатура.
- •2. Накладная клавиатура.
- •Накладная клавиатура. Печатная плата.
- •Типичные повреждения печатных плат.
- •1. Схема ключа для ис нн с открытым стоком.
- •2. Схема ключа для ис нн с логическим выходом.
- •Разговорный узел.
- •Назначение выводов клавиатуры (в скобках – старое обозначение).
- •Порядок программирования ис нн. Назначение кнопок клавиатуры.
- •Программирование ис нн с памятью до 10 номеров.
- •Программирование ис нн с памятью более 10 номеров.
- •Интегральная схема ks5805a.
- •Эта с дополнительной памятью.
- •Исходное состояние, набор номера.
Вызывное устройство.
В качестве пьезоэлектрического элемента в ВУ используется кристалл двуокиси кремния. Внешняя поверхность кристалла металлизирована двумя контактными слоями (R и G). Кристалл помещен на металлическую пластину - мембрану В.
Если между пластиной В и одним из контактных слоев (R или G) приложить напряжение, то кристалл будет деформироваться и создавать звуковые колебания.
Внешний вид пьезоэлектрического ву.
Схема вызывного устройства.
R1 – ограничительное.
С1 – разделительный, для блокировки постоянных составляющих напряжения линии.
R2 – устанавливает начальное смещение на базе VТ1.
R3 – ограничивает ток базы VТ1.
В положительном полупериоде напряжение через через С1 и R1 подается через переход коллектор-база на обкладки R и G пьезоэлектрика. Пьезоэлектрик деформируется и создает звуковой сигнал, который усиливается мембраной В.
Между обкладками В-G появляется напряжение положительной полярности, которое вызывается деформацией пьезоэлектрика. Это напряжение подается на переход база-эмиттер и открывает транзистор VТ1, который зашунтирует обкладки В-R. Напряжение, приложенное к ним, уменьшается, вследствие этого уменьшается деформация пьезоэлектрика. Между обкладками В-G появляется напряжение отрицательной полярности и запирает транзистор VТ1.
Вследствие этого напряжение вызова вновь прикладывается к обкладкам В-R, вызывая деформацию пьезоэлектрика. Между обкладками В-G появляется положительное напряжение, VТ1 открывается, т.е. все повторяется.
Таким образом, в положительном полупериоде возникают автоколебания частотой 3,5 кГц, а в отрицательном полупериоде VТ1 закрыт и колебания прекращаются.
Если на входе ВУ установить диодный мост, то транзистор VТ1 будет открываться в обоих полупериодах. Громкость вызывного сигнала при этом увеличивается.
Клавиатура.
Мембранная клавиатура.
При нажатии на кнопку толкатель через резиновую накладку давит на металлическую мембрану, прогибает ее, и она замыкается с контактом.
При отпускании кнопки мембрана возвращается в исходное положение и размыкает контакт.
Недостатки:
Коррозия контактов.
Поломка мембраны.
Мембранная клавиатура.
2. Накладная клавиатура.
На печатной плате вытравливаются контактные группы. На плату укладывается резиновая накладка, форма которой соответствует форме клавиатуре.
Каждая кнопка накладки имеет токопроводящую вставку и находится над определенным контактом.
При нажатии на кнопку вставка замыкается с печатным контактом.
Недостатки:
1.Загрязнение контактов. Грязь удаляется ватным тампоном, смоченным спиртом.
2. Старение резины.
3. Недостатки, свойственные печатным платам – трещина платы, тепловое повреждение, разрыв дорожки, неприпаянный вывод.
Накладная клавиатура. Печатная плата.
Пластину из гетинакса покрывают медной фольгой и фотолитографическом способом наносят изображение токопроводящих дорожек. Лишняя медь вытравливается химическим способом, а дорожки остаются.
