![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
Принципы используемого метода диагностирования цис
Метод диагностирования, используемый в данной лабораторной работе при диагностическом контроле ЦИС, исходит из того, что интегральные микросхемы являются изделиями групповой технологии, характеризующимися единством поведения диагностических параметров в условиях определённых воздействий. Единство поведения диагностических параметров является свидетельством схемотехнического, технологического совершенства микросхем и высокого уровня надёжности.
Метод основывается на статических принципах выявления единства поведенья диагностических параметров микросхем для партии, предъявленной на диагностический контроль, и классификации ЦИС данной партии по результатам контроля на группы с различными относительными уровнями надёжности.
При реализации метода по результатам измерения установленных диагностических параметров у партии контролируемых микросхем определённого типономинала строятся гистограммы распределений значений параметров и определяются их основные характеристики: математическое ожидание М и среднеквадратическое отклонение .
Высшим уровнем надёжности обладают микросхемы, значения диагностических параметров которых группируются в центральной зоне распределений, ограниченной определёнными пределами относительно математического ожидания, согласно принятым критериям, и стабильны по положению в ней для каждой гистограммы.
Так, например, проводиться контроль
партии микросхем по двум диагностическим
параметрам X и Y.
При этом измерение их проводиться при
разных электрических воздействиях на
схему: при номинальном напряжении
питания получают значения параметров
X и Y, при
пониженном напряжении питания получают
значения параметров
и
.
На рис. 2 представлены гистограммы
распределений, построенные по полученным
результатам измерений параметров X
и Y. На гистограммах
показаны центральные зоны, полученные
исходя из расчитанных характеристик
и
и установленных требований к пределам
ограничения этих зон, а так же расположенные
в них четыре проконтролированных ИС в
соответствии с полученными значениями
диагностических параметров.
Первому критерию отбора ИС (нахождению значений диагностических параметров в центральной зоне по всем гистограммам) соответствует условие:
которому удовлетворяют только микросхемы №1 и №2.
Из числа оставшихся микросхем выбирают образцы с наивысшим уровнем надёжности, которые одновременно удовлетворяют второму критерию отбора: стабильность положения значений диагностических параметров в центральной зоне. Согласно этому критерию для одного и того же номера контролируемой микросхемы допускается изменение значения диагностического параметра в центральной зоне от теста к тесту, не превышающее удвоенной предельной погрешности измерений этого параметра. В данном случае требованиям этого критерия отвечает только микросхема №2.
Таким образом из четырёх проконтролированных микросхем только одна отбирается, как обладающая наиболее высоким уровнем надёжности.
N
N
0
0
N
N
N3
0