Подготовка к работе
Из таблиц 1.1 в соответствии с вариантом выбрать транзистор, определить его тип. По справочнику определить ближайшие аналоги. Из справочника определить параметры отечественных и импортных приборов и сравнить их.
Таблица 1.1
№ п/п |
Транзистор |
№ п/п |
Транзистор |
№ п/п |
Транзистор |
№ п/п |
Транзистор |
1 |
2N1711 |
11 |
2N4400 |
21 |
2N2904 |
31 |
2N6106 |
2 |
2N2102 |
12 |
2N4401 |
22 |
2N2905 |
32 |
2N6108 |
3 |
2N2218 |
13 |
2N4409 |
23 |
2N2906 |
33 |
2N6109 |
4 |
2N2219 |
14 |
2N4410 |
24 |
2N2907 |
34 |
2N6110 |
5 |
2N2221 |
15 |
2N4424 |
25 |
2N3244 |
35 |
2N6124 |
6 |
2N2222 |
16 |
2N4922 |
26 |
2N3250 |
36 |
2N6422 |
7 |
2N2369 |
17 |
2N4923 |
27 |
2N3251 |
37 |
2N6423 |
8 |
2N2712 |
18 |
2N5038 |
28 |
2N3485 |
38 |
2N6436 |
9 |
2N2714 |
19 |
2N5058 |
29 |
2N3486 |
39 |
2N6438 |
10 |
2N2923 |
20 |
2N5172 |
30 |
2N3494 |
40 |
2N6475 |
Программа работы
1. В соответствии с вариантом из таблицы 1.1 выбрать тип исследуемого транзистора.
2. Синтезировать в среде Electronic Workbench схему для снятия входных характеристик транзистора при включении с общей базой (рис. 1).
3. Изменяя переменным резистором (при нажатии клавишы A сопротивление R1 увеличивается, а при нажатии Shift-A – уменьшается) входное напряжение (Uэб) от 0 до 0,9 В, снимите входную характеристику транзистора Iэ=f(Uэб) при напряжении коллектора (Uкб) 0; 5; 10 В (Uкб=0, при отключённом коллекторе от источника питания).
Рис. 1
4. Синтезировать схему для снятия выходных характеристик транзистора при включении с общей базой (рис. 2).
Рис. 2
5. Изменяя напряжение коллектора (Uкб) от 0 до 10В (резистором R3), снимите положительную ветвь выходной характеристики транзистора Iк=f(Uкб) при установке эмиттерного тока (Iэ) 10, 20 и 30 мА. Для снятия отрицательной ветви выходной характеристики транзистора Iк=f(Uкб) необходимо Uкб изменять от -0,8 до 0В (источник V2 должен быть -1В).
6. Синтезировать схему для снятия характеристик транзистора при включении с общим эмиттером (рис. 3).
7. Изменяя входное напряжение (Uбэ) от 0 до 0,9 В, снимите входную характеристику транзистора Iб=f(Uбэ) при напряжении коллектора (Uкэ) 0; 5; 10 В (Uкэ=0, при отключённом коллекторе от источника питания).
Рис. 3
8. Изменяя напряжение коллектора (Uкэ) от 0 до 8В (резистором R3), выходные характеристики транзистора Iк=f(Uкэ) при установке тока базы (Iб) 2, 5 и 10 мА.