- •Лабораторная работа 1 Изучение статистических закономерностей в ядерной физике
- •Особенности измерений в ядерной физике, вывод рабочих формул
- •Порядок выполнения работы. Проверка распределения Пуассона.
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 2 Снятие характеристики счетчика Гейгера-Мюллера по космическому излучению
- •Общие указания
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа 3 Изучение работы сцинтилляционного детектора
- •Общие указания
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 6 Структурный анализ поликристаллических тел.
- •Основные указания
- •2. Экспериментальное получение рентгенограмм и електронограмм
- •3. Расшифровка рентгенограмм и электронограмм
- •Порядок проведения исследований
- •4.1. Индицирование дифрактограммы
- •4.2.Индицирование электронограммы
- •Лабораторная работа № 7 Изучение температурной зависимости электросопротивление металлов и полупроводников.
- •Основные .Указания
- •2. Приборы и принадлежности, схема опыта
- •Порядок проведения исследований
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 Определение работы выхода электронов из металла
- •Описание установки
- •Метод определения работы выхода
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №9 Изучение фотоэффекта определение постоянной планка. Основные положения
- •Задание Изучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа №10 Контактные явления в полупроводниках Основные положения
- •Лабораторная работа № 10.1 Исследование явления испускания света полупроводниками
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 10.2 Изучение работы полупроводникового выпрямительного диода
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 10.3. Изучение работы биполярного транзисторе
- •В ывод рабочих формул и описание установки
- •. Условные обозначения транзисторов обоих типов в электрических схемах приведены на рис.10.9. Кружок у транзистора типа означает, что кристалл помешен в корпус.
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 11 Снятие кривой намагничивания и петли гистерезиса с помощью осциллографа.
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Упражнение 2. Снятие петли гистерезиса к определение потерь на перемагничивание
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа №12 Определение точки Кюри
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа №13 Определение концентрации носителей тока в полупроводниках с помощью эффекта Холла
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Примерная форма таблицы результатов
- •Вопросы дли самоконтроля
- •Лабораторная работа № 14 Изучение сериальных закономерностей в спектре атома водорода и определение постоянной Ридберга
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 15.1 Определение постоянной Стефана-Больцмана
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа № 15.2 Изучение поглощательной способности серых тел
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
3. Расшифровка рентгенограмм и электронограмм
Следует помнить, что структурный анализ позволяет определять: межплоскостные расстояния , выявлять тип кристаллической структуры и определять параметры элементарной ячейки кристалла. Межплоскостные расстояния для максимумов первого порядка рассчитываются с учетом формул (I , 2 и 3) как ^ ;
; . (4)
Необходимо отметить, что наибольшую сложность представляет процесс индицирования дифрактограммы /электронограммы/, который состоит в определении индексов интерференции ( )і каждой дифракционной линии.
Для кристаллов кубической сингонии из сопоставления соотношений (4) и , (5)
где а - параметр элементарной ячейки, получаем
. (6)
Здесь - и - номера дифракционных линий. Ряд чисел
определяется типом элементарной ячейки и может быть посчитан, исходя из симметрии кристаллической решетки. Результаты такого расчета приведены в табл. 1, Следует иметь в виду, что в соответствии с данными табл. 1
Таблица 1
Тип решётки |
Ряд |
|
|
Примитивная кубическая |
1; 2; 3; 4; 5; 6; 8; 9; 10; 11;…. |
1 |
100 |
ОЦК |
1; 2; 3; 4; 5; 6; 7; 8; 9; 10;…. |
2 |
110 |
ГЦК |
1; 1,33; 2,66; 3,67; 4; 5,33; 6,33; 6,67; 8,9;…. |
3 |
111 |
Следует иметь в виду, что в соответствии с данными табл. 1 кубические решетки (объемно-центрированная и примитивная) трудно различаются по данным структурного анализа. А именно, если для седьмой линии по счету со стороны малых углов значение оказалось равным 8, то решетка примитивная, если , то решетка - ОЦК. Кроме того, для примитивной решетки более интенсивной должна быть вторая линия, а для. ОЦК-решетки - первая.
Значения индексов , , каждой линии находятся затем по сумме ( ), которая определяется из произведения .
Например, индексы интерференции четвертой со стороны малых углов линии для решетки ОЦК 4 определяется так:
; , откуда для единственно возможные значения 220, т.к. 4 + 4 + 0 = 8. Таким образом, четвертый по счету дифракционный максимум получен за счет отражения от семейства плоскостей (220} или точнее - это отражение второго порядка от семейства плоскостей /110/.
При индицировании дифрактограмм необходимо учесть также то, что интенсивности различных линий разные, иногда очень слабые, и поэтому некоторые линии могут не проявиться на дифрактограмме, а следовательно, в ряду могут быть представлены не все члены последовательности, записанной в табл. 1. После определения всех максимумов необходимо рассчитать параметр элементарной ячейки. Ниже приводятся параметры кристаллической ячейки некоторых веществ и указан тип их кристаллической структуры.
Таблица 2
Вещество |
, |
|
Тип элементарной ячейки |
Химическая формула |
Алюминий |
4,050 |
2,7 |
ГЦК |
Al |
Германий |
5,631 |
- |
типа алмаза |
Ge |
Железо |
2,866 |
7,86 |
ОЦК |
Fe |
Кремний |
5,471 |
2,37 |
типа алмаза |
Si |
Медь |
3,615 |
8,95 |
ГЦК |
Cu |
Натрий |
4,291 |
0,971 |
ОЦК |
Na |
Бромистый натрий |
5,973 |
|
ГЦК |
NaBr |
Каменная соль |
6,640 |
2,18 |
ГЦК |
NaCl |
Фтористый натрий |
4,629 |
|
ГЦК |
NaF |
Бромистый литий |
5,501 |
|
ГЦК |
LiBr |