. Условные обозначения транзисторов обоих типов в электрических схемах приведены на рис.10.9. Кружок у транзистора типа означает, что кристалл помешен в корпус.

Изображение транзистора типа бескорпусное. Оно чаще применяется в интегральных схемах.

Для нормальной работы биполярного транзистора напряжение на его электроды следует подать так, чтобы эмиттерный переход был включен в прямом направлении, а коллекторный переход - в обратном.

Принцип работы биполярного транзистора основан на изменении сопротивления обратносмещенного коллекторного перехода за счет инжекции в него неосновных носителей тока (от англ, - преобразование резистора).

Сопротивление обратносмещенного перехода очень велико - несколько мегаом и более. Но обратносмеценный переход оказывает большое сопротивление только потокам основных носителей тока, неосновные же носители проходят его, практически не встречая сопротивления. Поэтому при достаточно высоком уровне интенции можно значительно увеличить ток в обратносмещенном переходе и тем самым снизить его сопротивление.

На рис.10.10, приведена вольт-амперная характеристика коллекторного перехода, включенного в обратном направлении при отключенном эмиттере.

Обратный ток коллектора обычно не превышает десятка микроампер и весьма слабо зависит от приложенного напряжения, т.к. определяется главным образом исходным материалом кристалла.

Если включить оба перехода, как это показано на рис.10.10, то за счет инжекции дырок из эмиттврного перехода в коллекторный переход ток коллектора уже будет определяться током эмиттера. Конечно, не все неосновные носители, введенные в базу из эмиттера, доходят до коллектора. Часть их создает ток в цепи база - эмиттер.

Иными словами, ток эмиттера как бы разветвляется на две части - ток коллектора и тон базы : .

Обычно зависимость от выражается через коэффициент передачи тока, который обозначается буквой альфа: . В современных транзисторах величина находится в пределах 0,9 0,998. Если выразим ток через , получим:

.Отсюда следует . (*)

Таким образом, изменяя величину тока базы, мы управляем током коллектора.

Усиление транзистора по току зависит от схемы включения транзистора. В зависимости от того, какой из трех электродов транзистора является общим для цепей двух других электродов, различаются три основные схемы включения: с общей базой ( ), общим эмиттером ( ) и общим коллектором ( ).

В настоящей работе исследуются статические характеристики транзистора, включенного по схеме о общим эмиттером. Для этого используется измерительная установка, схема которой приведена на рис. 10.II.

Порядок выполнения работы

1. Включить источники питания. Напряжение в цепях база-эмиттер и коллектор-эмиттер производится потенциометрами, расположенными на передней панели установки.

2. Снять две входные характеристики при двух различных значения напряжения интервале 0 6 В. Построить графики .

3. Установить ток базы . Снять зависимость , увеличивая с помощью потенциометра и поддерживая постоянным с помощью . После этого аналогичным образом сиять еще две выходные характеристики при токах базы в интервале

3 - 8 мА. Закончив измерения, уменьшить напряжения и токи в схеме до минимума.

4. Представить на графике полученное семейство выходных характеристик. С помощью графика определить коэффициент усиления транзистора по току по формуле

(5 6 значений).

5. Используя соотношение (*) _, из которого следует, что

,

выразить коэффициент передачи тока через и определить 5-6 значений .

6. Сделать выводы по работе.

Таблица результатов

Таблица 1

Входные характеристики				Выходные характеристики
=0В		=5В		=1мА		=2мА		=6мА
, В	,	, В	,	, В	,	, В	,	, В	,