
- •Лабораторная работа 1 Изучение статистических закономерностей в ядерной физике
- •Особенности измерений в ядерной физике, вывод рабочих формул
- •Порядок выполнения работы. Проверка распределения Пуассона.
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 2 Снятие характеристики счетчика Гейгера-Мюллера по космическому излучению
- •Общие указания
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа 3 Изучение работы сцинтилляционного детектора
- •Общие указания
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 6 Структурный анализ поликристаллических тел.
- •Основные указания
- •2. Экспериментальное получение рентгенограмм и електронограмм
- •3. Расшифровка рентгенограмм и электронограмм
- •Порядок проведения исследований
- •4.1. Индицирование дифрактограммы
- •4.2.Индицирование электронограммы
- •Лабораторная работа № 7 Изучение температурной зависимости электросопротивление металлов и полупроводников.
- •Основные .Указания
- •2. Приборы и принадлежности, схема опыта
- •Порядок проведения исследований
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 Определение работы выхода электронов из металла
- •Описание установки
- •Метод определения работы выхода
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №9 Изучение фотоэффекта определение постоянной планка. Основные положения
- •Задание Изучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа №10 Контактные явления в полупроводниках Основные положения
- •Лабораторная работа № 10.1 Исследование явления испускания света полупроводниками
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 10.2 Изучение работы полупроводникового выпрямительного диода
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 10.3. Изучение работы биполярного транзисторе
- •В ывод рабочих формул и описание установки
- •. Условные обозначения транзисторов обоих типов в электрических схемах приведены на рис.10.9. Кружок у транзистора типа означает, что кристалл помешен в корпус.
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 11 Снятие кривой намагничивания и петли гистерезиса с помощью осциллографа.
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Упражнение 2. Снятие петли гистерезиса к определение потерь на перемагничивание
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа №12 Определение точки Кюри
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа №13 Определение концентрации носителей тока в полупроводниках с помощью эффекта Холла
- •Вывод рабочих формул и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Примерная форма таблицы результатов
- •Вопросы дли самоконтроля
- •Лабораторная работа № 14 Изучение сериальных закономерностей в спектре атома водорода и определение постоянной Ридберга
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
- •Лабораторная работа № 15.1 Определение постоянной Стефана-Больцмана
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа № 15.2 Изучение поглощательной способности серых тел
- •Порядок выполнения работы
- •Вопросы для самоконтроля
Контрольные вопросы
1. Что называется работой выхода электрона из металла ?
2. В чем заключается явление термоэлектронной эмиссии (ТЭЭ) ?
3. Объясните вид вольт-амперной зависимости диода.
4. Сформулируйте закон Богуславского-Ленгмюра.
5. Как объяснить наличие тока насыщения ?
6. Как зависит величине тока насыщения от температуры ?
7. Какой метод определения работы выхода предлагается в данной работе ?
8. Каким образом можно определить температуру прямонакального катода ?
9. Примерный вид энергетического спектра на контакте металл -вакуум.
10. Что такое уровень Ферми? Как связана работа выхода с положением уровня Ферми ?
11. Как возникает двойной электрический слой на границе металл -вакуум ?
12. Что такое силы изображения ? Как они возникают ?
13. Как можно изменить работу выхода электронов из металла?
Лабораторная работа №9 Изучение фотоэффекта определение постоянной планка. Основные положения
Необходимо
знать, что фотоэффектом называется
испускание электронов под действием
света. Фотоэффект изучался А.Г.Столетовым
и другими на установках, принципиальное
устройство которых изображено на рис
1. Свет, проникающий через окошко Ф ,
освещает катод К, изготовленный из
исследуемого материала. Электроны,
испущенные в процессе фотоэффекта
перемещаются под действием электрического
поля к аноду А. В результате в цепи
протекает фототок, измеряемый гальванометр
Г.
Полученная на таком приборе вольт-амперная характеристика (т.е. кривая зависимости фототока I от напряжения между электродами) приведена на рис 2. Характеристика снимается при неизменном потоке света Ф. Из этой кривой следует, что при некотором не очень большом напряжении фототок достигает насыщения - все электроны, испущенные катодом, попадают на анод. Следовательно, сила тока насыщения In определяется количеством электронов в единицу времени под действием света. Пологий ход кривой указывает на то, что электроны вылетают из катода с различными по величине скоростями. Доля электронов обладает скоростями, достаточными для того, чтобы долететь до анода «самостоятельно» при U=0
(1)
где m - масса электрона. Таким образом, измерив задерживающее напряжение U3 , можно определить значение скорости наиболее быстрых фотоэлектронов.
Необходимо знать, что свойства внешнего фотоэффекта объясняются уравнением А.Эйнштейна
(2)
где h- постоянная Планка,W- частота фотона, А - работа выхода электрона из исследуемого материала.
С учетом (I) формулу (2) можно записать в виде HW=hv=A+eU3 (3)
Из формулы (3) следует, что U3 зависит от частоты света, падающего на фотоэлемент. Поэтому, если измерить зависимость задерживающей разности потенциалов U3 зависит от частоты V
U3=f(v)
Действительно,
уравнение (3) можно представить в виде
уравнения прямой.
(рис.3).Величина
равна тангенсу угла наклона этой прямой,
а
- отрезку на оси
,
отсекаемому прямой. В данной работе для
изучения внешнего фотоэффекта используется
установка, принципиальная схема которой
представлена на рис.4. Здесь ИС – источник
света, БФ – блок светофильтров, ФЭ –
фотоэлемент,
-
многопредельный
микроамперметр о внешним шунтом,
- вольтметр для измерения напряжений
в диапазоне 0...100 В,
- вольтметр для измерения напряжений
в диапазоне 0…1В, БП - блок питания, ПК
-переключатель напряжения: I
- прямое, 2 - обратное напряжение.
Рис 4