- •1. Классификация интегральных микросхем, подготовительные операции, базовые элементы бис и сис, особенности производства и применяемых расходных материалов 7
- •1. Классификация интегральных микросхем, подготовительные операции, базовые элементы бис и сис, особенности производства и применяемых расходных материалов
- •1.1. Классификация интегральных микросхем, особенности их производства
- •1.2. Технология изготовления кремниевых пластин для бис и сис
- •1.3. Базовые элементы биполярных бис и сис
- •1.4. Базовые элементы моп бис
- •1.5 Требования к производству бис и сис. Технологический микроклимат
- •1.6. Общие требования к расходным материалам
- •2. Основы проектирования маршрутной технологии кристаллов бис и сис. Анализ и синтез технологических маршрутов
- •2.1. Разновидности цифровых бис и сис
- •2.2. Основные процессы в производстве бис и сис
- •2.3. Сущность матричного метода проектирования технологического маршрута
- •2.4. Анализ матрицы технологического маршрута. Матричное представление маршрутов бис и сис
- •2.5. Синтез технологического маршрута кристаллов биполярных бис
- •На рисунке 2.6. Показана эволюция твёрдотельной структуры кристалла биполярной бис, которая отражает основные операции в маршруте и микроциклы.
- •2.6. Синтез технологического маршрута кристаллов кмоп бис
- •3. Моделирование производства кристаллов бис и сис. Методы и алгоритмы моделирования базовых технологических операций
- •3.1. Изоляция элементов бис и сис, модели процессов термического окисления
- •3.2. Основы моделирования процессов ионного легирования
- •3.3. Моделирование процессов формирования конфигурации элементов
- •4. Методы и алгоритмы численного физико-топологического моделирования полупроводниковых структур
- •4.1. Физико-топологическое моделирование полупроводниковых структур
- •Уровень составляющие
- •4.2. Моделирование твёрдотельных структур изделий силовой электроники
- •5. Управление качеством в проектировании и производстве бис и сис. Обеспечение параметров и стандартов качества на этапе проектирования
- •5.1. Качество и проектирование производства конкурентоспособной продукции
- •5.2. Основы устойчивого проектирования технологии бис
- •5.3. Тестирование и контроль бис и сис
- •5.4. Методы повышения помехоустойчивости бис и сис
- •6. Механизмы деградации элементов структуры бис и сис. Факторы, влияющие на выход годных кристаллов
- •6.1. Модели деградации элементов структуры бис
- •6.2. Выявление и отбраковка бис и сис со скрытыми дефектами
- •Для оценки достоверности разработанной методики на практике был проведен ряд экспериментальных исследований серийных ттлш бис типа к1533.
- •7. Системное проектирование блока микромонтажных операций
- •7.1. Основы маршрутной технологии микромонтажных операций
- •7.2. Особенности сборки бис на выводной рамке
- •8. Методы автоматизированного проектирования электрической схемы и топологических чертежей бис
- •9. Основы бездефектного проектирования топологического чертежа бис
- •10. Модели и библиотеки для синтеза топологического чертежа бис
2.3. Сущность матричного метода проектирования технологического маршрута
Понятия базовой ячейки кристалла, блоков операций и микроциклов. Координатный метод анализа базовой ячейки. Определение блочной структуры маршрутов. Матричное изображение маршрутов. Структура и состав микроциклов маршрута.
Разновидности обработок, составляющих микроцикл. Размещение обработок в стадиях микроцикла. Полный и сокращенный микроциклы. Типы микроциклов. Построение стандартных микроциклов для формирования фрагментов базовой ячейки кристалла.
Базовая ячейка – элемент или совокупность элементов БИС и СИС, периодическим повторением которых и соединением между собой с помощью пленочных проводников можно построить кристалл в целом. Примером элемента ИС может служить транзистор, диод, резистор, простейший логический вентиль, например И2Л и т.п. Примером базовой ячейки может быть логический инвертор, ячейка памяти, триггер и т.д.
Фрагмент базовой ячейки – структурная часть элемента ячейки, возникающая на конкретном этапе ее формирования и сохраняющаяся в том или ином виде в готовом кристалле. Фрагментами являются, например, области транзистора (базовая, эмиттерная, коллекторная), пленочные элементы (слои диэлектриков,проводники, контакты), изоляционные области между соседними элементами и т.д.
Фрагменты, таким образом, являются своеобразными элементарными кирпичиками, на основе которых можно построить базовую ячейку любой ИС. Другими словами, для успешного конструирования кристалла разработчик должен иметь банк данных о существующих фрагментах и их взаимной увязке, подобно тому, как при реализации электрических схем и топологии кристаллов интегральных схем разработчики пользуются библиотекой (банком) стандартных элементов ИС.
Для того чтобы по аналогии с конструкцией создать банк данных для разработки технологического маршрута, надо определить тот элементарный технологический "кирпичик", на основе которого можно построить технологический процесс в целом. В качестве элементарной структурной единицы сквозного технологического процесса целесообразно взять совокупность операций, выполнение которых приводит к созданию единичного фрагмента. Такая совокупность операций в матричном методе проектирования называется микроциклом. Анализ показывает, что микроцикл имеет строго упорядоченную внутреннюю структуру.
Как последовательность операций (т.е. действий) микроцикл в общем случае состоит из четырех стадий. Микроцикл, у которого есть все четыре стадии, называется полным, а микроцикл, у которого отсутствует какая-либо из стадий, называется сокращенным.
Каждая стадия микроцикла представляет собой один или группу операционных технологических процессов одного и того же функционального назначения.
1-я стадия – формозадающий операционный процесс фотолитография. Результатом этой стадии является формирование на поверхности кристалла фоторезистивной маски, предназначенной для локализации последующего воздействия технологических факторов;
2-я стадия – формообразующий операционный процесс или группа процессов. Чаще всего это травление и ионная имплантация.
3-я стадия – операционные процессы очистки. Например, удаление фоторезиста и послойная химическая очистка.
4-я стадия – формообразующий процесс или совокупность 2-3-х однотипных процессов, выполняемых последовательно. К процессам этой стадии чаще всего относятся: нанесение слоев, диффузия, окисление, отжиги. Эти процессы имеют характерную особенность: после их выполнения на поверхности кристалла должен оставаться сплошной слой определенного материала (окисла, металла и т.д.).