- •Питання з основ технології виробництва реа для підготовки до вступного фахового екзамену.
- •Основи проектування реа
- •Комп'ютерні технології проектування реа
- •Схемотехніка
- •8. Визначити конструкцію плівкового конденсатора ємністю 5000 пФ. Питома ємність конденсатора с0- 150 пФ/мм2.
- •9. Ім'я атрибуту в сапр p_cad, що визначає ширину провідника даного ланцюга|цеп|.
- •10. Ім'я «гарячої клавіші» редактора схем сапр p_cad, що включає команду повороту об'єкту на 90 градусів.
Комп'ютерні технології проектування реа
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає позиційне позначення ЕРЕ.
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає тип ЕРЕ.
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає число логічних секцій ЕРЕ.
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає величину номінала ЕРЕ.
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає ширину провідника даного ланцюга|цеп|.
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає форму і розміри перехідних отворів даного ланцюга|цеп|.
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає максимальну допустиму довжину ланцюга|цеп|.
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає мінімальну допустиму довжину ланцюга|цеп|.
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає мінімальний допустимий зазор провідник – провідник (між краями провідників).
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає мінімальний допустимий зазор між провідником і контактним майданчиком.
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає мінімальний допустимий зазор між контактними майданчиками.
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає мінімальний допустимий зазор між елементами в шарі шовкографії.
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає мінімальний допустимий зазор між провідником і перехідним отвором.
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає мінімальний допустимий зазор між контактним майданчиком і перехідним отвором.
Ім'я атрибуту в САПР P_CAD, що визначає мінімальний допустимий зазор між і перехідними отворами.
Ім'я «гарячої клавіші» редактора схем САПР P_CAD, що включає команду вибору ширини ліній.
Ім'я «гарячої клавіші» редактора схем САПР P_CAD, що включає команду збільшення масштабу зображення.
Ім'я «гарячої клавіші» редактора схем САПР P_CAD, що включає команду дзеркального відображення об'єкту.
Ім'я «гарячої клавіші» редактора схем САПР P_CAD, що включає команду зменшення масштабу зображення.
Ім'я «гарячої клавіші» редактора схем САПР P_CAD, що включає команду зміни форми курсору.
Ім'я «гарячої клавіші» редактора схем САПР P_CAD, що включає команду повороту об'єкту на 90 градусів.
Ім'я «гарячої клавіші» редактора схем САПР P_CAD, що включає команду перемикання режимів ортогональности ліній і провідників.
Ім'я «гарячої клавіші» редактора схем САПР P_CAD, що включає команду відображення|виведення| аж на увесь екран вибраного вікна.
Ім'я «гарячої клавіші» редактора друкарських плат САПР P_CAD, що включає команду перенесення|перенос| ЕРЕ з одної сторони друкарської плати на іншу.
Ім'я «гарячої клавіші» редактора друкарських плат САПР P_CAD, що включає команду переходу в процесі трасування провідника з одного сигнального шару друкарської плати на суміжний йому з|із| установкою перехідного отвору.
Ім'я «гарячої клавіші» редактора друкарських плат САПР P_CAD, що включає команду центрування зображення щодо|відносно| поточного розташування курсору.
Ім'я «гарячої клавіші» редактора друкарських плат САПР P_CAD, що включає команду завдання|задавання| шарів проекту.
Ім'я «гарячої клавіші» редактора друкарських плат САПР P_CAD, що включає команду запуску на виконання макросу (файлу макрокоманд).
Ім'я «гарячої клавіші» редактора друкарських плат САПР P_CAD, що включає команду чорнового відображення топології|виведення| (без заливки ліній і полігонів).
МСТ і ОТВ
1.
Визначити конструкцію плівкового
резистора з опором 30 кОм. Матеріалом
резистивної смужки є сплав МЛТ-ЗМ зі
значенням
ρS
= 300 Ом/□.
2. Визначити конструкцію плівкового резистора з опором 5 кОм. Матеріалом резистивної смужки є сплав кермет К-50С зі значенням ρS = 2 кОм/□.
3. Визначити конструкцію плівкового резистора з опором 1 кОм. Матеріалом резистивної смужки є сплав РС-3001 зі значенням ρS = 2 кОм/□.
4. Визначити конструкцію плівкового резистора з опором 100 кОм. Матеріалом резистивної смужки є сплав РС-3710 зі значенням ρS = 2 кОм/□.
5. Визначити конструкцію плівкового конденсатора ємністю 5000 пФ. Питома ємність конденсатора С0- 150 пФ/мм2.
6. Визначити конструкцію плівкового конденсатора ємністю 100пФ. Питома ємність конденсатора С0- 100 пФ/мм2.
7. Визначити конструкцію плівкового конденсатора ємністю 1500пФ. Питома ємність конденсатора С0- 150 пФ/мм2.
8. Визначити конструкцію плівкового конденсатора ємністю 50пФ. Питома ємність конденсатора С0- 160 пФ/мм2.
9. Визначити конструкцію плівкового конденсатора ємністю 1150пФ. Питома ємність конденсатора С0- 160 пФ/мм2.
10.
Розрахувати допустиму похибку коефіцієнта
форми γКФ
плівкового
резистора при
наступних
вихідних
даних:
максимальна
температура
-
100С
; допустиме відхилення
від
номіналу
=
5%; похибка
відтворення
матеріалу
резистивної
плівки
=2,5%;
похибка старіння
резистивної
плівки
=0,3.
Матеріалом резистивної смужки є сплав
РС-3001, з TKR
=-
.
11. Розрахувати допустиму похибку коефіцієнта форми γКФ плівкового резистора при наступних вихідних даних: максимальна температура - 100С ; допустиме відхилення від номіналу = 15%; похибка відтворення матеріалу резистивної плівки =2,5%; похибка старіння резистивної плівки =0,3 Матеріалом резистивної смужки є сплав РС-3001, з TKR =- .
12.
Розрахувати допустиму похибку коефіцієнта
форми γКФ
плівкового
резистора при
наступних
вихідних
даних:
максимальна
температура
-
90С
; допустиме відхилення
від
номіналу
=
15%; похибка
відтворення
матеріалу
резистивної
плівки
=3,5%;
похибка старіння
резистивної
плівки
=0,5
Матеріалом резистивної смужки є сплав
МЛТ-3М, з TKR=
13.
Визначити
допустиму
похибку
активної
площі
конденсатора
при
наступних
вихідних
даних:
максимальна
температура
– 125С; допустиме відхилення
ємності
від
номіналу
=
15%;
похибка
відтворення
питомої
ємності
=
5%;
похибка
старіння
=
1%.
Матеріал діелектрика – монооксид
силіцію, ТКС =
.
14.
Визначити
допустиму
похибку
активної
площі
конденсатора
при
наступних
вихідних
даних:
максимальна
температура
– 100С; допустиме відхилення
ємності
від
номіналу
=
10%; похибка
відтворення
питомої
ємності
=
3%;
похибка
старіння
=
1,5%.
Матеріал діелектрика – електровакуумне
скло С44-1, ТКС =
.
15. Необхідно підготувати до монтажу партію навісних елементів у обсязі 4000 штук за 4000 годин. Для виготовлення кожного виробу необхідно виконати 120 операцій, час виконання всіх операцій становить 700 хвилин. Визначити тип виробництва.
16. Необхідно підготувати до монтажу партію навісних елементів у обсязі 1800 штук за 700 годин. Для виготовлення кожного виробу необхідно виконати 120 операцій, час виконання всіх операцій становить 2500 хвилин. Визначити тип виробництва.
17. Необхідно підготувати до монтажу партію навісних елементів у обсязі 1500 штук за 1600 годин. Для виготовлення кожного виробу необхідно виконати 150 операцій, час виконання всіх операцій становить 3200 хвилин. Визначити тип виробництва.
18. Розрахувати комплексний показник технологічності виробу. Комплексний показник визначається на основі відносних приватних показників і коефіцієнтів їх впливу на технологічність виробу які приведені в таблиці 1.
19. Розрахувати комплексний показник технологічності виробу. Комплексний показник визначається на основі відносних приватних показників і коефіцієнтів їх впливу на технологічність виробу які приведені в таблиці 1.
20. Розрахувати комплексний показник технологічності виробу. Комплексний показник визначається на основі відносних приватних показників і коефіцієнтів їх впливу на технологічність виробу які приведені в таблиці 1.
22.
Пристрій має інтенсивність відмов
.
Визначити ймовірність відмови за час
експлуатації, рівне t1=1000год.
23.
Мікросхема має інтенсивність відмов
.
Визначити ймовірність відмови за
t1=1000год.
Закон розподілу часу безвідмовної
роботи експонентний.
