2.3. Расчет преобразователя частоты с отдельным гетеродином и фильтром сосредоченной селекции.

Промежуточная частота f₀ = 128 кГц, полоса пропускания П_п=10 кГц, расстройка по соседнему каналу ∆f_с=10 кГц, ослабление соседнего канала σ=-35 дБ , Q_k= 230 , коэффициент связи катушек R=0,9, транзистор П414 преобразователя с параметрами: S_пр=15 мА/В; R_выхсм=12 кОм; С_выхсм=20 пФ; УПЧ: R_вх=0,5 кОм; С_вх=100 пФ.

Расчет.

1. Определяем вспомогательные величины:

2. Затухание, вносимое одним звеном:

σ₁=-7 дБ.

3. Необходимое число звеньев фильтра:

4. Принимаем характеристическое сопротивление фильтра:

ρ=20 кОм

5. Коэффициенты трансформатора:

6. Определяем значения элементов фильтра:

7. Находим коэффициент передачи фильтра:

К₀=0,33.

8. Коэффициент усиления преобразователя частоты с ФСС:

К_осн=

4. Детектор F1B.

Фазовый детектор применяется в судовых профессиональных приемниках для детектирования сигналов с фазовой манипуляцией (фазовой телеграфией). Результатом фазового детектирования является получение выпрямленного напряжения, зависящего от фазового угла детектируемого сигнала относительно опорного. На вход ФД помимо напряжения детектируемого сигнала с постоянной фазой.

4.1. Схема частотного дискриминатора с фазовым детектированием, подлежащая расчету.

Параметры, характеризующие фазовый детектор.

1. Зависимость входного напряжения дискриминатора U_g может быть представлена зависимостью:

K – коэффициент пропорциональности;

U₁ – амплитуда напряжения на контуре L₁C₆;

- обобщенная расстройка;

β=к_свQ_э – обобщенный коэффициент связи;

∆f= f - f₀ – абсолютная расстройка;

Q_э – эквивалентная добротность контуров.

Обычно берут β=0,8 так как при таком значении β зависимость ψ(α,β) имеет наибольшую крутизну α_max 0,5β

;

2. Сопротивление нагрузок диодов R₁ и R₂ обычно равны друг другу и задаются в пределах R₁=R₂=(1020) кОм.

3. Ёмкости конденсаторов С₁ и С₂ рассчитываются из условия минимальных искажений при детектировании высших модулирующей частоты F_в по формуле:

, F_b – кГц.

При соблюдении условия

С₁=С₂10С_д-С_м

С_д – ёмкость диода; С_м – ёмкость монтажа.

4. Коэффициент передачи диодов:

К_g=cosθ, θ≈- угол отсечки диода;

S_υ – крутизна диода.

5. Коэффициент включения контура L₁C₆ в цепь транзистора:

;

R_k=2πf₀L₁Q_k – собственное резонансное сопротивление контура;

Q_k – собственная добротность контура;

- выходное сопротивление транзистора – ограничителя;

R_вых – выходное сопротивление транзистора в режиме усилителя.

6. Выбор сопротивлений R₃ и R₄:

R₃ = R₄=R_вхУНЧ

С=0,4(6

τ_п=50-100 мк сек – постоянная времени цепи предискажений.

Относительное изменение величины τ_п

∆n =.

7. Амплитуда напряжения на входе УНЧ:

Ik1 – амплитуда первой гармоники.

R_э=2πf₀L₁Q_э – эквивалентное резонансное сопротивление контура.

8. Ёмкость конденсатора С₄:

R_э – кОм