75. Технология изготовления полупроводниковых ис

Эффект при объеме > 50000/месяц. Все эл-ты выполнены в объеме кристалла (на поверхности печ платы). Использ-е материалы: кремний, арсенид галлия (больше быстрод-е, меньше мощн рассеяния). Кремний д/б монокристалл-м с высокой степ-ю очистки. Методы очистки: 1) зонный; 2) бестигельной плавки – кристалл доводится до температ плавления, примеси отделяются; 3) метод Чохральского – кристалл выращивается после нескольких расплавлений и наращиваний (примеси остаютсяся в растворе). Монокристалл распилив-ся на пластины толщ-й 200 – 600 мкм.

Этапы технолог-го процесса: 1) оксидирование – защита пов-ти; 2) фотолитография – наносится позитивный фоторезист (получ-е топологи схемы); 3) диффузия - на рисунок переносятся легирующие примеси; 4) эпитаксия – наращивание слоев; 5) ионное легирование или имплантация – загоняются атомы примеси в объем кристалла бомбардировкой.

Конструирование – процесс выбора и отражения в тех документации структуры, размеров, формы, материалов и внутренних связей проектируемых устройств

Итог конструирования – разработка рабочей документации

Исходные данные для процесса проектирования:

1) принципиальная электрическая схема

2) тех задание

3) объект установки

4) производство (предприятие-изготовитель)

ВМ делятся: 1) стационарные (отапливаемые/неотапл/на открытом воздухе) ; 2) транспортируемые (автотранспорт/гусеничный транс/жд транспорт/морской); 3) бортовые (самолеты, косм ракеты, беспилотные/пилотир корабли).

По стандарту ВМ делятся на 7 групп:

1) стационарные ЭВМ и системы, раб в отапливаемых наземных и подземных помещениях;

2)

Задача. Известна над-ть системы, над-ти всех элем-тов, кол-во полного резерва, дана схема в виде паралл-но соединенных последовательных цепей элементов.