72. Методы получения тонких пленок ис

1) Термическое напыление или испарение в вакууме – если материал доводят до кипения, атомы вылетают, в вакууме летят прямолинейно, осаждаются на подложке

2) Метод ионного распыления – создается разность потенциалов, поверхность бомбардируется ионами, атомы вылетают и осаждаются.

+: высокая скорость атомов -> высокая адгезия, лучше, чем у 1); можно поле настроить по-разному в разных областях -> регуляция толщины слоя -> возможность получения более равномерных пленок; нет перегрева вакуум камеры; малая инерционность процесса; возможность получения групповых методов обработки; высокая эффективность использования материала пленки; высокая точность.

Этапы тех процесса:

1) составление топологии схемы – опред-ся размещ-е эл-тов, происх-т трасс-ка => размер подложки; 2) изгот-е оригинала ИМС – вычерчивание ИМС; 3) изгот-е фотошаблона нужного размера; 4) изгот-ся маски – в каких местах д-но произв-ся напыление; 5) напыление эл-тов схемы. Примен-ся методы: однооперац-й – маска перемещ-ся по разн. подложкам. Многооперац-й – устанавливаются все маски и под них по очереди перемещ-ся подл-ки.

73. Технология изготовления толстопленочных ис

Толстоплен ИМС – ИМС, в кот резисторы, конденсаторы, контактные площадки и межсоединения изготовлены путем последовательного нанесения на подложку различных по составу паст с последующим их вжиганием, толщ 5-25 мкм.

+: более экономичное при небольших объемах производства; более надежны; толщина больше =>больше рассеив-я мощн-ть. -: 1)сложность получения четких рисунков эл-тов; 2)высокая стоимость некоторых паст; 3)наличие опер-ции вжигания. Подложка - высокоглиноземная керамика; оксид бериллия (теплопроводн выше, но мех характеристики хуже, ядовит).

Пасты наносят при помощи трафаретов. Пасты: 1)проводящие (мелкодисперсный порошок металла + связующие); 2)резистивные (тоже, но % металла ниже); 3)диэлектрические (стекло с керамическим наполнителем + связующ); 4)лудящие (низкотемпер припой + органич связующее).

Требования к пасте: высокая вязкость, высокая текучесть. Тиксотропность – текучесть и вязкость зависят от давления (для этого добавл телефторатную кислоту).

Этапы технолог-го процесса: 1)подгот пасты (постоян перемешивание); 2)подгот подложки (обезжирив); 3)трафаретная печать; 4)сушка и вжигание (удаление временных связующих); 5)подгонка резисторов; 6)монтаж дискретных элем; 7)присоедин выводов; 8)герметизация, испытание.

74. Материал толстопленочных ис

Подложка - высокоглиноземная керамика (-: сравнительно невысокая теплопроводность); оксид бериллия (теплопроводн выше в 9 раз, но мех характеристики хуже, ядовит).

Пасты: 1)проводящие (мелкодисперсный порошок металла + связующие); 2)резистивные (тоже, но % металла ниже); 3)диэлектрические (стекло с керамическим наполнителем + связующ); 4)лудящие (низкотемпер припой + органич связующее).

Требования к пасте: высокая вязкость, высокая текучесть. Тиксотропность – текучесть и вязкость зависят от давления (для этого добавл телефторатную кислоту).