42. Ждущий режим работы бг.

В ждущем режиме в исходном состоянии БГ закрыт и может находиться в таком состоянии бесконечно долго, до прихода запускающего импульса. С подачей запускающего импульса БГ формирует один единственный импульс и снова запирается. Иногда ждущий режим называют заторможенным.

Заторможенный режим обеспечивается различными способами получения запирающего напряжения. Для этого используют или вспомогательный источник или делитель напряжения. На рис. 4 представлена схема блокинг-генератора в ждущем режиме. Запирающее напряжение снимается с R₂ и подается в цепь база – эмиттер.

В исходном состоянии транзистор закрыт, емкость С_э заряжена частью падения напряжения с R₂. Запускающий положительный импульс открывает транзистор, в базовой обмотке наводится ЭДС, способствующая еще большему открыванию транзистора. Транзистор очень быстро входит в насыщение и теряет усилительные свойства, начинает формироваться вершина импульса, уменьшается I_к, и ЭДС в базовой обмотке меняет знак, начинает формироваться заданный фронт импульса. Транзистор закрывается и остается в закрытом состоянии до следующего отпирающего импульса. Важно, чтобы временной интервал между запускающими импульсами был больше времени формирования импульса блокинг-генератором.

47) Режим синхронизации бг.

Принципиально работа БГ в режиме синхронизации не отличается от работы БГ в автоколебательном режиме. Разница в том, что синхроимпульсы запускают БГ несколько раньше того момента, в котором он запустился бы самостоятельно (t = t₁) (см. рис. 3). При этом частота импульсов БГ кратна или равна частоте следования синхроимпульсов, кроме того стабильность БГ полностью определяется стабильностью синхрогенератора.

48)В современной информационной электронике импульсный метод (принцип) построения систем обработки электрических сигналов занимает доминирующе положение по сравнению с аналоговым. Преобладающее применение импульсных устройств обусловлено их существенным преимуществом.

Дальше я нарисую рисунок,нот нужно продиктовать вот что:

U_m – амплитуда импульса;

t_и – длительность импульса;

t_ф – длительность фронта;

t_с – длительность среза;

U – неравномерность вершины импульса;

tк – длительность колебательного процесса при нарастании импульса и его спаде.

γ – коэффициент заполнения, ; g – скважность, g = .

49) Ключ на биполярном транзисторе.

Биполярный транзистор имеет три слоя из полупроводников с различными типами проводимостей (p и n). В зависимости от порядка чередования слоев в транзисторе различают транзисторы p-n-p и n-p-n.

Выводы от крайних слоев называются эмиттер и коллектор, а вывод из среднего слоя – базой. Их обозначения приведены на рисунке 15.

Рис. 15 – Обозначение биполярных транзисторов на принципиальных схемах

Эмиттер является источником носителей тока, база управляет их потоком, а коллектор выполняет функции собирающего электрода. Ток коллектора больше тока управления, который протекает по базовой цепи. С этой точки зрения можно считать, что транзистор усиливает управляющий канал по току, и этот коэффициент усиления обозначается β= .

В схемах различных устройств транзистор включается таким образом, что один из его электродов является общим для входной и выходной цепей, другой соединен со входом устройства, третий - с его выходом. Наиболее часто используется схема включения с общим эмиттером