Основы теории подобия. Критерий теплового подобия.
Влияние температурного поля на процесс роста кристаллов в методе Чохральского.
Задача.
Зав. кафедрой В. Г. Костишин
2012 г.
Национальный исследовательский технологический университет
«МИСиС»
Кафедра «Технологии материалов электроники»
Дисциплина: Технология материалов электронной техники
Экзаменационный билет №11
Критерии подобия. Критерий теплового подобия.
Влияние температурного поля на процесс роста кристаллов в методе Чохральского.
Задача.
Зав. кафедрой В. Г. Костишин
2012 г.
Национальный исследовательский технологический университет
«МИСиС»
Кафедра «Технологии материалов электроники»
Дисциплина: Технология материалов электронной техники
Экзаменационный билет №12
Дифференциальные уравнения конвективного тепло- и массопереноса.
Выращивание монокристаллов разлагающихся соединений вытягиванием из расплава из-под слоя флюса. Программирование скорости роста.
Задача.
Зав. кафедрой В. Г. Костишин
2012 г.
Национальный исследовательский технологический университет
«МИСиС»
Кафедра «Технологии материалов электроники»
Дисциплина: Технология материалов электронной техники
Экзаменационный билет №13
Свободное и вынужденное движения жидкости. Режимы движения Среды. Динамический пограничный слой.
Получение бездислокационных монокристаллов. Использование упрочняющих и изовалентных примесей.
Задача.
Зав. кафедрой В. Г. Костишин
2012 г.
Национальный исследовательский технологический университет
«МИСиС»
Кафедра «Технологии материалов электроники»
Дисциплина: Технология материалов электронной техники
Экзаменационный билет №14
Теплопроводность. Закон Фурье. Нестационарные процессы теплообмена в неподвижной среде. Граничные условия.
Силановая схема получения поликристаллического кремния.
Задача.
Зав. кафедрой В. Г. Костишин
2012 г.
Национальный исследовательский технологический университет
«МИСиС»
Кафедра «Технологии материалов электроники»
Дисциплина: Технология материалов электронной техники
Экзаменационный билет №15