
- •1. Особенности кристаллического строения твёрдых тел. Монокристаллы.
- •2. Правило фаз Гиббса. Однокомпонентная система.
- •3. Уравнение Клайперона – Клаузиуса. Анализ уравнения.
- •7. Диаграммы плавкости бинарных систем с химическими соединениями в твердой фазе.
- •8. Кристалло- физические методы получения сверхчистых металлов.
- •12. Термоэлектрические явления в проводниках.
- •18. Поляризация диэлектрических материалов. Механизмы.
- •19. Сегнетоэлектрики. Классификация. Применение. Свойства.
- •20. Пьезоэлектрики. Пьезоэлектрический эффект. Применение.
- •Физическая химия.
- •1. Элементы точечной симметрии кристаллов.
- •2.Элементы симметрии внутреннего строения кристаллов. Простые и сложные решетки.
- •3.4. Образование металлов и диэлектриком в схеме зонной теории. 4.Образование полупроводников в схеме зонной теории. Приместные полупроводники.
- •5. Теплоемкость кристалла. Зависимость теплоемкости от температуры.
- •6. Двойное лучепреломление и поляризация света в кр-лах. Оптические св-ва кристаллов и их применение.
- •7. Дефекты по Шоттки. Температурная зависимость концентрации дефектов. Дефекты по Френкелю. Температурная зависимость концентрации дефектов
- •8. Беспорядок в кристалле обусловленный нарушениями стехиометрии. Температурная зависимость концентрации дефектов нестихеометрии.
- •9. Беспорядок в кристалле обусловленный посторонними примесями. Неизбежность присутствия примесей в кристалле.
- •10.Факторы, обуславливающие явления переноса. Хаотический и направленный перенос.
- •11.Механизмы диффузии в кристаллах. Хаотическая самодиффузия. Коэффициент хаотической самодиффузии.
- •12. Направленная диффузия. 1 и 2 законы Фика.(взято из интернета).
- •13.Электрическая проводимость кристалла. Электрохимический перенос. Электрохимический потенциал.
- •14. Особенности и стадии протекания твердофазных реакций. 15.Формальное ур-е кинетики твердофазных реакций.
- •Физ. Электроника
- •Термоэлектронная эмиФссия
- •Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
- •Термокатоды
- •2. Фотоэлектронная эмиссия
- •3. Вторичная электронная эмиссия
- •4. Движение электронов в вакууме в режимеобъемного заряда.
- •5. Триоды
- •Многоэлектродные лампы
- •6. Электронная оптика.
- •Электронные линзы
- •Электростатические линзы
- •Магнитные линзы
- •Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов
- •7. Приемные электронно-лучевые трубки
- •8. Электровакуумные приборы диапазонасверхвысоких частот Особенности движения электронов в свч полях
- •9. Типы столкновения электронов с тяжелыми частицами.
- •Упругие соударения электронов с атомами и молекулами газа
- •Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
- •11. Понятие газового усиления.
- •12. Виды самостоятельных разрядов
- •13. Газоразрядная плазма
- •15. Механизмы пробоя n-р перехода
- •16. Биполярные транзисторы
- •17. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
12. Направленная диффузия. 1 и 2 законы Фика.(взято из интернета).
С точки зрения термодинамики движущим потенциалом любого выравнивающего процесса является рост энтропии. При постоянных давлении и температуре в роли такого потенциала выступает химический потенциал µ, обуславливающий поддержание потоков вещества. Поток частиц вещества пропорционален при этом градиенту потенциал (J~-(dµ/dx)p,T). В большинстве практических случаев вместо химического потенциала применяется концентрация C. Прямая замена µ на C становится некорректной в случае больших концентраций, так как химический потенциал связан с концентрацией по логарифмическому закону. Если не рассматривать такие случаи, то вышеприведённую формулу можно заменить на следующую: (J=-D(dC/dx)), которая показывает, что плотность потока вещества J [см-2с-1] пропорциональна коэффициенту диффузии D [см-2с-1] и градиенту концентрации. Это уравнение выражает первый закон Фика. Второй закон Фика связывает пространственное и временное изменения концентрации (уравнение диффузии):(dC/dt=D(d2C/dx2)),Коэффициент диффузии D зависит от температуры. В ряде случаев в широком интервале температур эта зависимость представляет собой уравнение Аррениуса. Геометрическое описание уравнения Фика:Во втором уравнении Фика в левой части стоит скорость изменения концентрации во времени, а в правой части уравнения — вторая частная производная, которая выражает пространственное распределение концентрации, в частности, выпуклость функции распределения температур, проецируемую на ось х. Направленной диффузии у меня нет.
13.Электрическая проводимость кристалла. Электрохимический перенос. Электрохимический потенциал.
Электр проводимость- способность в-ва переносить заряд. Для удельной Э.П. справедливо выражение σ=qµN, q-заряд ч-цы, N-концентрация данных ч-ц. µ-коэффициент пропорциональности получивший название подвижности. В случае металлов в качестве носителя заряда выступают свободные электроны, в случае полупроводника(и диэлектрика) в качестве носителей заряда выступают ч-цы или квази ч-цы которые тем или иным образом связаны с разупорядоченностью в кристалле. Фактически подвижность-это средняя скорость движения заряженной частицы отнесенная к единичной напряженности поля. Поток заряженных ч-ц получивший название плотности тока,очевидно должен быть связан с проводимостью и с той силой которая этот ток вызывает. Для плотности тока можно записать выражение j=σE-з-н Ома в дифференциальной форме. E=dϕ/dx, ϕ-электрический потенциал, x-координата вдоль которой он приложен. С учетом последних 2-х ур-ий, выражение для Э.П. можно записать как j=qµN(dϕ/dx). Последнее выражение не смотря на то, что з-м Фика не является очень похоже на выражение первого з-на Фика. Связь подвижности с коэффициентом диффузии µ=(e/kT)∙D- ур-е Нернста-Эйнштейна. k-постоянная Больцмана.D-Коэффициент диффузии заряженных частиц. Электро-химический перенос. Возможна такая ситуация,когда движение заряженных частиц обусловлено как наличием градиента электрического поля,так и наличием градиента концентрации, а в общем случае наличием градиента химич потенциала. в таком случае говорят, что происходит электрохимический перенос.Уравнение плотности потока при электрохимическом переносе. j=-(σ/e)Δη, Δη-градиент электрохимического потенциала.