
- •1. Особенности кристаллического строения твёрдых тел. Монокристаллы.
- •2. Правило фаз Гиббса. Однокомпонентная система.
- •3. Уравнение Клайперона – Клаузиуса. Анализ уравнения.
- •7. Диаграммы плавкости бинарных систем с химическими соединениями в твердой фазе.
- •8. Кристалло- физические методы получения сверхчистых металлов.
- •12. Термоэлектрические явления в проводниках.
- •18. Поляризация диэлектрических материалов. Механизмы.
- •19. Сегнетоэлектрики. Классификация. Применение. Свойства.
- •20. Пьезоэлектрики. Пьезоэлектрический эффект. Применение.
- •Физическая химия.
- •1. Элементы точечной симметрии кристаллов.
- •2.Элементы симметрии внутреннего строения кристаллов. Простые и сложные решетки.
- •3.4. Образование металлов и диэлектриком в схеме зонной теории. 4.Образование полупроводников в схеме зонной теории. Приместные полупроводники.
- •5. Теплоемкость кристалла. Зависимость теплоемкости от температуры.
- •6. Двойное лучепреломление и поляризация света в кр-лах. Оптические св-ва кристаллов и их применение.
- •7. Дефекты по Шоттки. Температурная зависимость концентрации дефектов. Дефекты по Френкелю. Температурная зависимость концентрации дефектов
- •8. Беспорядок в кристалле обусловленный нарушениями стехиометрии. Температурная зависимость концентрации дефектов нестихеометрии.
- •9. Беспорядок в кристалле обусловленный посторонними примесями. Неизбежность присутствия примесей в кристалле.
- •10.Факторы, обуславливающие явления переноса. Хаотический и направленный перенос.
- •11.Механизмы диффузии в кристаллах. Хаотическая самодиффузия. Коэффициент хаотической самодиффузии.
- •12. Направленная диффузия. 1 и 2 законы Фика.(взято из интернета).
- •13.Электрическая проводимость кристалла. Электрохимический перенос. Электрохимический потенциал.
- •14. Особенности и стадии протекания твердофазных реакций. 15.Формальное ур-е кинетики твердофазных реакций.
- •Физ. Электроника
- •Термоэлектронная эмиФссия
- •Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
- •Термокатоды
- •2. Фотоэлектронная эмиссия
- •3. Вторичная электронная эмиссия
- •4. Движение электронов в вакууме в режимеобъемного заряда.
- •5. Триоды
- •Многоэлектродные лампы
- •6. Электронная оптика.
- •Электронные линзы
- •Электростатические линзы
- •Магнитные линзы
- •Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов
- •7. Приемные электронно-лучевые трубки
- •8. Электровакуумные приборы диапазонасверхвысоких частот Особенности движения электронов в свч полях
- •9. Типы столкновения электронов с тяжелыми частицами.
- •Упругие соударения электронов с атомами и молекулами газа
- •Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
- •11. Понятие газового усиления.
- •12. Виды самостоятельных разрядов
- •13. Газоразрядная плазма
- •15. Механизмы пробоя n-р перехода
- •16. Биполярные транзисторы
- •17. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
20. Пьезоэлектрики. Пьезоэлектрический эффект. Применение.
Пьезоэлектрики – диэлектрики, которые обладают сильно выраженным пьезоэлектрическим эффектом.
Прямой
пьезоэлектрический
эффект – явлениеполяризации
диэлектрика под действием механических
напряжений. Оно было открыто братьями
Кюри в 1880 г. Возникающий на каждой из
поверхностей диэлектрика эл. заряд
изменяется по линейному закону в
зависимости от механических усилий:
;
,
где Q
– заряд; D
– пьезомодуль; F
– сила; S
– площадь;
-
заряд, который приходится на единицу
площади; Р – поляризованность; σ – мех.
Напряжение в сечении диэлектрика.
Пьезоэлектрический эффект обратим. При обратном пьезоэлектрическом эффекте происходит изменение размеров диэлектрика Δl/l в зависимости от напряжённости эл. поля Е по линейному закону: Δl/l=δ=dE, где δ – относительная деформация.
Деформация пьезоэлектрика зависит от направления эл. поля и меняет знак при изменении направления последнего.
Пьезоэффект наблюдается лишь в веществах с гетерополярной химической связью, т. е. пьезоэлектриками могут быть либо ионные, либо сильнополярные диэлектрики, и обладающие высоким удельным сопротивлением. Все сегнетоэлектрики – пьезоэлектрики. Практическое применение получили монокристаллический кварц, кристаллы сульфата лития, сегнетовой соли, дигидрофосфата аммония, а также ниобат и танталат лития, наиболее широкое применение – сегнетоэлектрическая керамика. Применение: пьезотрансформаторы, резонаторы, мощные ультразвуковые излучатели, телефоны, микрофоны, громкоговорители, слуховые аппараты, датчики давлений, вибраций, ускорений и деформаций.
Физическая химия.
1. Элементы точечной симметрии кристаллов.
Симметрия-св-во геометрических фигур в различн. Положениях приходить в совмещение с первоначальным положением. Элементы:1) ось симметрии-воображаемая линия поворот вокруг которой на угол a=2П/n приводит тело в состояние неотличимое от исходного, n-порядок оси.( несуществует осей 5 порядка).2) плоскость симметр.-плоскость,зеральное отражение в которой приводит тело в состояние неотличимое от исходного(обознач. m). 3) зеркально-поворотная ось-комбинация поворотной оси и плоскости симметрии(обозн- цифра~). 4)центр симметрии(инверсии)-особая точка внутри тела, характеризующаяся тем,что любая прямая проведенная через нее встречает на своем пути по обе стороны на одинаков. расстоянии одинаков. точки тела. 5) инверсионная ось- ость сочетающ.действие поворотной оси и, совместно и неразрывно, центра симметрии. Точечная группа симметрии(всего их 32,объединяются в 23 кристаллических класса)-совокупность таких операций(эл-тов) симметрии, как поворот,отражение и инверсия.
2.Элементы симметрии внутреннего строения кристаллов. Простые и сложные решетки.
Внутренняя симметрия(трансляционная) –в ней проявляется периодичность решетки,которая отражает внутреннее строение кристаллов. В этой симметр. вводятся 3 некомплонарных вектора a b c, характеризующихся тем,что при смещении решетки на некий вектор T она переходит сама в себя. Если выбрать длины векторов a b c- минимальн. но такими чтобы трансляциями вдоль них можно было получ. всю кристаллич. решетку, то эти вектора будут назыв. основными,или базисными,а их совокупность-трансляционной группой. Кристаллич. решетка «соединяющая» ч-цы в кр-ле- это математическая абстракция и не имеет ни какого отношения к реальному направлению хим. связей. Кристаллич. структура- совокупность крист. решетки и базиса. Параллелепипед,построенный на базисн. векторах-назыв. базисным параллелепипедом. Базисн. парал-д в совокупности с входящ.в него ч-цами –элементраная частица. Элемен. ячейка отраж. внутреннюю структуру идеального кристалла и те его св-ва,которые определяются взаимным располож. ч-ц. Длины ребер базисного парал-да –это основные периоды решетки. Если частицы составл. элементарную ячейку одинаковы по своей химич. природе и одинаково расположены, то такая ячейка назыв. простой или примитивной, если хотя бы 1 условие не выполняется , то элементарн. ячейка(и решетка) называется сложной. Ситнгония-совокупность групп симметрий облад. схожими по симметрии элементарн. ячейками.P-примитивная решетка,I-объемоцентрированная,F-гранецентрированная. A,B,C- базоцентрированная решетка. Точечн.групп-32,кристаллич классов 23, пространственн групп-230, сингоний-7,решеток Браве-14.