
- •1. Особенности кристаллического строения твёрдых тел. Монокристаллы.
- •2. Правило фаз Гиббса. Однокомпонентная система.
- •3. Уравнение Клайперона – Клаузиуса. Анализ уравнения.
- •7. Диаграммы плавкости бинарных систем с химическими соединениями в твердой фазе.
- •8. Кристалло- физические методы получения сверхчистых металлов.
- •12. Термоэлектрические явления в проводниках.
- •18. Поляризация диэлектрических материалов. Механизмы.
- •19. Сегнетоэлектрики. Классификация. Применение. Свойства.
- •20. Пьезоэлектрики. Пьезоэлектрический эффект. Применение.
- •Физическая химия.
- •1. Элементы точечной симметрии кристаллов.
- •2.Элементы симметрии внутреннего строения кристаллов. Простые и сложные решетки.
- •3.4. Образование металлов и диэлектриком в схеме зонной теории. 4.Образование полупроводников в схеме зонной теории. Приместные полупроводники.
- •5. Теплоемкость кристалла. Зависимость теплоемкости от температуры.
- •6. Двойное лучепреломление и поляризация света в кр-лах. Оптические св-ва кристаллов и их применение.
- •7. Дефекты по Шоттки. Температурная зависимость концентрации дефектов. Дефекты по Френкелю. Температурная зависимость концентрации дефектов
- •8. Беспорядок в кристалле обусловленный нарушениями стехиометрии. Температурная зависимость концентрации дефектов нестихеометрии.
- •9. Беспорядок в кристалле обусловленный посторонними примесями. Неизбежность присутствия примесей в кристалле.
- •10.Факторы, обуславливающие явления переноса. Хаотический и направленный перенос.
- •11.Механизмы диффузии в кристаллах. Хаотическая самодиффузия. Коэффициент хаотической самодиффузии.
- •12. Направленная диффузия. 1 и 2 законы Фика.(взято из интернета).
- •13.Электрическая проводимость кристалла. Электрохимический перенос. Электрохимический потенциал.
- •14. Особенности и стадии протекания твердофазных реакций. 15.Формальное ур-е кинетики твердофазных реакций.
- •Физ. Электроника
- •Термоэлектронная эмиФссия
- •Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
- •Термокатоды
- •2. Фотоэлектронная эмиссия
- •3. Вторичная электронная эмиссия
- •4. Движение электронов в вакууме в режимеобъемного заряда.
- •5. Триоды
- •Многоэлектродные лампы
- •6. Электронная оптика.
- •Электронные линзы
- •Электростатические линзы
- •Магнитные линзы
- •Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов
- •7. Приемные электронно-лучевые трубки
- •8. Электровакуумные приборы диапазонасверхвысоких частот Особенности движения электронов в свч полях
- •9. Типы столкновения электронов с тяжелыми частицами.
- •Упругие соударения электронов с атомами и молекулами газа
- •Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
- •11. Понятие газового усиления.
- •12. Виды самостоятельных разрядов
- •13. Газоразрядная плазма
- •15. Механизмы пробоя n-р перехода
- •16. Биполярные транзисторы
- •17. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
Электронные линзы
В принципе любое аксиально-симметричное электрическое илимагнитное поле является электронной линзой. В случае электрических полейтакие линзы образуются комбинацией электродов, имеющих общую осьсимметрии. В случае же магнитных полей для этого применяются катушки, обтекаемые током, чаще всего оснащаемые магнитопроводами, имеющимиосевую симметрию.
Конфигурация элементов, образующих электронно-оптические системыаксиально-симметричного типа, может быть весьма разнообразной, но срединих можно выделить типичные и наиболее часто встречающиеся, которые ибудут рассмотрены далее. Наряду с аксиально-симметричнымииспользуются в ряде случаев поля, и не обладающие осевой симметрией(цилиндрические, квадрупольные, периодические фокусирующие системы), однако подробное их рассмотрение выходит за рамки данного курса.
Электростатические линзы
На электрон, находящийся в электрическом поле, действует сила
F = еЕ. Электрон, попадающий в поле в направлении его силовых линий, движетсяпрямолинейно, если же вектор скорости электрона и силовые линии поляобразуют некоторый угол, то траекторией движения электрона являетсяпарабола. Таким образом, уже в однородном электрическом поле происходитпреобразование электронного потока с хаотическим угловымраспределением в параллельный поток электронов (рис. 3.1).
Рис. 3.1. Преобразование электронного пучка в однородном электрическомполе
Магнитные линзы
Различают два типа магнитных линз – длинные и короткие.
Примером длинной магнитной линзы является длинный соленоид. Наэлектрон в магнитном поле действует сила Лоренца, направление действияее перпендикулярно как направлению скорости электрона, так и векторунапряженности магнитного поля. Благодаря этому движение электронавнутри длинного соленоида происходит по спирали, описывая в плоскости, проходящей через ось z синусоиду (рис. 3.7).
Рис. 3.7. Движение электрона в магнитном поле
z = Asin(t), (3.6)
где = 2/T = eH/2m.
Если скорости электронов, попадающих в соленоид, близки, топродольное равномерное магнитное поле фокусирует поток электронов вточках, соответствующих равенству:
(3.7)
где vo– скорость электронов, входящих в соленоид; n – ряд простых целыхчисел.
Основные особенности фокусировки в длинной магнитной линзе:
1. Фокусировка получается не в одной, а в нескольких равноотстоящихдруг от друга точках.
2. Пучок электронов, движущихся параллельно оси, не фокусируется, т.е. диаметр этого пучка не может быть уменьшен.
Длинные магнитные линзы (соленоид с равномерным полем) напрактике применяются для переноса изображения.
Гораздо более широкое применение нашли тонкие магнитные линзы.
Фокусирующее действие тонкой магнитной линзы является более сложнымиз-за неоднородности магнитного поля, в котором можно выделитьтангенциальную и радикальную составляющие. Для построения траекторииэлектрона в этом случае необходимо знать величину начальной скоростиэлектрона и распределение напряженности магнитного поля вдоль осикатушки.
При получении изображения при помощи тонких (коротких) магнитныхлинз происходит поворот изображения относительно объекта.
Фокусирующее действие магнитной линзы тем больше, чем большенапряженность магнитного поля и уже область, в которой онососредоточено. Поэтому на практике магнитные линзы оформляются в видекатушек с панцирем (рис. 3.8).
Рис. 3.8. Магнитная линза:
1 – обмотка; 2 – железный панцирь
Короткая магнитнаялинза позволяет получать увеличенные илиуменьшенные изображения, т.е. пригодна для использования в электронноммикроскопе. Короткая линза фокусирует и параллельный оси потокэлектронов. Напряженность поля на оси короткой магнитной линзы можетбыть найдена из выражения:
(3.8)
где R – средний радиус катушки; I – сила протекающего тока; z – расстояниепо оси катушки;
Фокусное расстояние магнитной линзы определяется соотношением:
(3.9)
где Ф – энергия электронов; R – средний радиус катушки; I – сила тока;
N – число витков;
Кроме указанных выше, существуют цилиндрические электронныелинзы, в которых распределение потенциала не зависит от одной изкоординат в декартовой системе (например, диафрагма с узким щелевиднымотверстием) и квадрупольные линзы, которые не обладают симметриейвращения.