
- •1. Особенности кристаллического строения твёрдых тел. Монокристаллы.
- •2. Правило фаз Гиббса. Однокомпонентная система.
- •3. Уравнение Клайперона – Клаузиуса. Анализ уравнения.
- •7. Диаграммы плавкости бинарных систем с химическими соединениями в твердой фазе.
- •8. Кристалло- физические методы получения сверхчистых металлов.
- •12. Термоэлектрические явления в проводниках.
- •18. Поляризация диэлектрических материалов. Механизмы.
- •19. Сегнетоэлектрики. Классификация. Применение. Свойства.
- •20. Пьезоэлектрики. Пьезоэлектрический эффект. Применение.
- •Физическая химия.
- •1. Элементы точечной симметрии кристаллов.
- •2.Элементы симметрии внутреннего строения кристаллов. Простые и сложные решетки.
- •3.4. Образование металлов и диэлектриком в схеме зонной теории. 4.Образование полупроводников в схеме зонной теории. Приместные полупроводники.
- •5. Теплоемкость кристалла. Зависимость теплоемкости от температуры.
- •6. Двойное лучепреломление и поляризация света в кр-лах. Оптические св-ва кристаллов и их применение.
- •7. Дефекты по Шоттки. Температурная зависимость концентрации дефектов. Дефекты по Френкелю. Температурная зависимость концентрации дефектов
- •8. Беспорядок в кристалле обусловленный нарушениями стехиометрии. Температурная зависимость концентрации дефектов нестихеометрии.
- •9. Беспорядок в кристалле обусловленный посторонними примесями. Неизбежность присутствия примесей в кристалле.
- •10.Факторы, обуславливающие явления переноса. Хаотический и направленный перенос.
- •11.Механизмы диффузии в кристаллах. Хаотическая самодиффузия. Коэффициент хаотической самодиффузии.
- •12. Направленная диффузия. 1 и 2 законы Фика.(взято из интернета).
- •13.Электрическая проводимость кристалла. Электрохимический перенос. Электрохимический потенциал.
- •14. Особенности и стадии протекания твердофазных реакций. 15.Формальное ур-е кинетики твердофазных реакций.
- •Физ. Электроника
- •Термоэлектронная эмиФссия
- •Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
- •Термокатоды
- •2. Фотоэлектронная эмиссия
- •3. Вторичная электронная эмиссия
- •4. Движение электронов в вакууме в режимеобъемного заряда.
- •5. Триоды
- •Многоэлектродные лампы
- •6. Электронная оптика.
- •Электронные линзы
- •Электростатические линзы
- •Магнитные линзы
- •Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов
- •7. Приемные электронно-лучевые трубки
- •8. Электровакуумные приборы диапазонасверхвысоких частот Особенности движения электронов в свч полях
- •9. Типы столкновения электронов с тяжелыми частицами.
- •Упругие соударения электронов с атомами и молекулами газа
- •Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
- •11. Понятие газового усиления.
- •12. Виды самостоятельных разрядов
- •13. Газоразрядная плазма
- •15. Механизмы пробоя n-р перехода
- •16. Биполярные транзисторы
- •17. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
5. Триоды
Триодом называют трёхэлектродный электровакуумный прибор, имеющий катод, анод и сетку. Сетка располагается возле катода, воздействует на объёмный заряд и служит для управления величинойанодного тока в приборе. Схематическое изображение триода ираспределение потенциала в нем показано на рис. 2.3.
Рис. 2.3. Принципиальная схема вакуумного триода(а) и распределение
потенциала в приборе (б)
Для расчета анодного тока в триоде с использованием уравнения трёхвторых, его сводят к эквивалентному диоду с напряжением Uд, называемымдействующим. Это напряжение, обеспечивающее ток в эквивалентномдиоде, равный току в триоде при напряжении на аноде Uаи напряжении насетке Uс:
(2.7)
Величина D называется проницаемостью сетки. Она показывает, восколько раз слабее воздействие потенциала анода на поле в катоднойобласти триода по сравнению с потенциалом сетки и представляет собойотношение емкостей между анодом и катодом и сеткой и катодом:
D = Сак/Сск.
Важнейшими характеристиками триода являются зависимости анодноготока от анодного напряжения при различных сеточных напряжениях(анодные характеристики) и зависимости анодного тока от напряжения насетке при различных анодных напряжениях (анодно-сеточныехарактеристики) (рис. 2.4.)
Рис. 2.4. Анодные (а) и анодно-сеточные (б) характеристики триода
Основные параметры триодов:
крутизна характеристики S = dIa/dUc,
внутреннее сопротивление Ri = dUa/dIa,
коэффициент усиления m = dUa/dUc.
Связь между параметрами триода можно определить из уравнения длядифференциала полного тока в виде:
= Ri S (2.8)
Последнее уравнение носит название внутреннего уравнения триода илисоотношения Баркгаузена. Триоды могут применяться как мощные усилители и генераторы впередающих станциях и других промышленных установках. Триоды имеютсравнительно небольшие коэффициенты усиления и значительнуюпроходную ёмкость. Последняя создаёт обратную связь между входной ивыходной цепями, что искажает частотные и фазочастотные характеристикитриода.
Многоэлектродные лампы
Недостатки триода могут быть устранены введением в лампуэкранирующей сетки, расположенной между управляющей сеткой и анодом. Наличие экранирующей сетки приводит к резкому снижению ёмкости сетка-анод и ослаблению влияния поля анода на потенциал вблизи катода лампы, что приводит к увеличению коэффициента усиления. На экранирующуюсетку подаётся положительный потенциал, соизмеримый по значению спотенциалом анода. Соседство двух близкорасположенных положительныхэлектродов вызывает обмен вторичными электронами, в результате чегоможет наблюдаться уменьшение анодного тока и возрастание тока наэкранирующую сетку. Этот эффект получил название динатронного.
Динатронный эффект в тетроде приводит к возникновению паразитнойгенерации из-за появления на ВАХ участка с отрицательнымдифференциальным сопротивлением, к дополнительному расходу мощностив цепи экранирующей сетки, нелинейным искажением усиливаемогосигнала, увеличению шумов и т.д.
В лучевых тетродах динатронный эффект устраняют путёмформирования плотных потоков первичных электронов (лучей), объёмныйзаряд в которых создаёт потенциальный барьер, препятствующий попаданиювторичных электронов с анода на экранирующую сетку. Лучеобразование втетроде достигается расположением экранирующей сетки в «электроннойтени» управляющей сетки и путем введения в лампу дополнительныхлучеобразующих пластин. Схема лучевого тетрода и распределениепотенциала в нём иллюстрируется рис. 2.5.
Рис. 2.5. Распределение потенциала в лучевом тетроде
В пентоде динатронный эффект устраняется путём введения междуэкранирующей сеткой и анодом дополнительной защитной сетки, соединённой с катодом (рис. 2.6).
Рис. 2.6. Схема пентода и распределение потенциала в нем
Для описания движения электронов в тетродах и пентодах так же можноиспользовать уравнение трёх вторых с введением действующегонапряжения.
Примеры анодно-сеточных и анодныххарактеристик пентодовприведены на рис. 2.7.
Рис. 2.7. Характеристики пентодов:
а) – анодные характеристики, б) – анодно-сеточные характеристики
Многоэлектродные лампы характеризуются теми же параметрами, что итриоды. Крутизна лучевых тетродов составляет 3–30 мА/В, пентодов1–70 мА/В, внутреннее сопротивление составляет от десятков КОм доединиц МОм, а коэффициент усиления пентодов достигает несколькихтысяч.