
- •1 .Проводники, изоляторы, полупроводники. Их зонные энергетические диаграммы
- •2. Собственная электропроводность полупроводников.
- •3. Электронная электропроводность полупроводников.
- •4. Дырочная электропроводность полупроводников
- •5. Электронно-дырочный переход. Виды пробоя электронно-дырочного перехода.
- •6. Механизм туннельного пробоя электронно-дырочного перехода.
- •7. Прямое и обратное включение р-п-перехода.
- •8. Переход металл-полупроводник.
- •10. Ширина и емкость электронно-дырочного перехода.
- •11. Эквивалентная схема р-п-перехода.
- •12. Переходные процессы в p-n-переходе.
- •13. Основные виды диодов и технологии их производства.
- •14. Выпрямительные диоды.
- •15. Стабилитроны и стабисторы.
- •16. Высокочастотные и импульсные диоды.
- •17. Диоды с накоплением заряда.
- •Диоды Шоттки
- •18. Туннельные и обращенные диоды.
- •19. Диоды сверхвысокочастотные.
- •20. Устройство, конструктивно-технологические особенности, схемы включения биполярных транзисторов.
- •21. Режимы работы биполярных транзисторов, статические параметры, физические процессы.
- •22. Модель Эберса - Молла.
- •23. Статические характеристики в схеме с общим эмиттером.
- •24. Устройство и основные виды полевых транзисторов. Полевые транзисторы с управляющим переходом.
- •25. Устройство и основные виды полевых транзисторов. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •26. Операционный усилитель, его структурная схема.
- •27. Свойства идеального операционного усилителя, принцип виртуального замыкания. Типовые аналоговые звенья на операционном усилителе.
22. Модель Эберса - Молла.
Связи
между токами и напряжениями в транзисторе
для 4-х режимов включения хорошо
согласуются с удобной и понятной
математической моделью Эберса-Молла,
основанной на эквивалентной схеме,
состоящей из двух диодов (эмиттерного
и коллекторного), включенных встречно,
и двух источников тока, отображающих
взаимодействие этих диодов
Рис 45 эквивалентная нелинейная модель Эберса-Молла для БТ
где
Iэбк
и Iкбк
- обратные токи эмиттерного и коллекторного
переходов, измеряемые при коротком
замыкании соответствующей остающейся
части схемы. С учетом (39) и (40) соотношение
(38) преобразуется следующим образом:
В
вычислительных методах анализа
транзисторных схем с помощью ЭВМ широкое
распространение получила нелинейная
модель
транзистора Гуммеля-Пуна, которая
основывается на решении инт-ных
соотношений для зарядов и связывает
внешние электрические характеристики
с зарядом в базе транзисторной структуры.
Это очень точная модель, объясняющая
многие физические эффекты, но для ее
описания требуется большое число
параметров, так для анализа в широком
частотном диапазоне необходимо 25
параметров.Последовательное упрощение
модели Гуммеля-Пуна в конце концов
приводит к модели Эберса-Молла.
23. Статические характеристики в схеме с общим эмиттером.
Статические характерстики транзисторов показывают функциональные связи между постоянными токами и напряжениями электродов транзистора. Для каждой схемы включения в активном режиме существует своя совокупность семейств характеристик, описывающих связь токов и напряжений в транзисторе. 4 вида характеристик описывают свойства любого 3-электродного прибора:
1)
входные характеристики:
;
Iвых
= const
или Uвых
= const.
2)
выходные характеристики:
;
Iвх
= const
или Uвх
= const
3)
характеристики управления (хар-ки
прямой передачи):
;
Uвых
= const
4)
характеристики обратной связи (действия):
;
Iвх
= const.Существуют
характеристики в схеме с общей базой
и характеристики в схеме с общим
эмиттером.
Характеристики
в схеме с ОЭ.Наиболее
точными и употребительными являются
характеристики с схемах с ОЭ, так как
в этом случае ток базы есть аргумент
для входных характеристик и характеристик
прямой передачи и пар-р для остальных.На
рисунке 48 представлено семейство
характеристик биполярного транзистора
для схемы с ОЭ:1)семейство входных
(базовых) характеристик транзистора
(48а):
;
Uкэ
= const
2)семейство
выходных (коллекторных) характеристик
транзистора (48б):
;
Iб
= const
3)семейство
характеристик прямой передачи по току
(48в):
;
Iкэ
= const
4)семейство
характеристик обратного действия
(48г):
;
Iб
= const
рис 48 статические характеристики БТ в схеме с ОЭ. а) – входные, б) выходные, в) хар-ки управления, г) хар-ки обратного действия.