
- •1 .Проводники, изоляторы, полупроводники. Их зонные энергетические диаграммы
- •2. Собственная электропроводность полупроводников.
- •3. Электронная электропроводность полупроводников.
- •4. Дырочная электропроводность полупроводников
- •5. Электронно-дырочный переход. Виды пробоя электронно-дырочного перехода.
- •6. Механизм туннельного пробоя электронно-дырочного перехода.
- •7. Прямое и обратное включение р-п-перехода.
- •8. Переход металл-полупроводник.
- •10. Ширина и емкость электронно-дырочного перехода.
- •11. Эквивалентная схема р-п-перехода.
- •12. Переходные процессы в p-n-переходе.
- •13. Основные виды диодов и технологии их производства.
- •14. Выпрямительные диоды.
- •15. Стабилитроны и стабисторы.
- •16. Высокочастотные и импульсные диоды.
- •17. Диоды с накоплением заряда.
- •Диоды Шоттки
- •18. Туннельные и обращенные диоды.
- •19. Диоды сверхвысокочастотные.
- •20. Устройство, конструктивно-технологические особенности, схемы включения биполярных транзисторов.
- •21. Режимы работы биполярных транзисторов, статические параметры, физические процессы.
- •22. Модель Эберса - Молла.
- •23. Статические характеристики в схеме с общим эмиттером.
- •24. Устройство и основные виды полевых транзисторов. Полевые транзисторы с управляющим переходом.
- •25. Устройство и основные виды полевых транзисторов. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •26. Операционный усилитель, его структурная схема.
- •27. Свойства идеального операционного усилителя, принцип виртуального замыкания. Типовые аналоговые звенья на операционном усилителе.
1 .Проводники, изоляторы, полупроводники. Их зонные энергетические диаграммы
С
каждой движущейся массой вещества
связан волновой процесс, а длина волны
определяется соотношением
;
где n
– постоянная Планка, m
– масса
тела, v
– скорость
движения.Это соотношения называется
«постулат
Луи де Бройля»Волновой
процесс, связанный с микроскопическим
телом, обнаружить нельзя, т.к., например,
длина волны д’Бройля
для пули массой 10 грамм, летящей со
скоростью v=1000
м/с ,
Электрон
может двигаться только по такой орбите,
вдоль которой укладывается целое число
его волн. Остальные орбиты для электрона
запрещены. В изолированном атоме с
одним электроном скорость движения
электрона по разрешенной орбите
устанавливается такой, при которой
центробежная сила уравновешивает силу
притяжения «-» электрона к «+» ядру.Каждой
разрешенной орбите соответствует своя
скорость и кинетическая энергия
электрона. Двигаясь по разрешенной
орбите электрон не расходует энергию.
Электрон может переходить с одной
разрешенной орбиты на другую. Полная
энергия электронов называется
энергетическим состоянием атомов.
Каждой разрешенной орбите соответствует
свое энергетическое состояние, которое
на диаграмме представляется в виде
энергетического уровня. Электрон-вольт
– энергия, которую приобретает электрон,
разгоняясь в электрическом поле с
разностью потенциалов 1В.С увеличением
номера орбиты абсолютное значение
энергии уменьшается, то есть энергетический
уровень возрастает (так как энергия
связи в атоме отрицательна)
Величина n - главное квантовое число и используют для описания дискретных свойств микромира.Разрешенный энергетический уровень, характеризуемый главным квантовым числом n расщепляется на ряд близкорасположенных подуровней. Взаимодействие атомов в решетке приводит к тому, что их энергетические уровни расщепляются на большое количество почти слившихся подуровней, образующих энергетические зоны.Энергетические зоны могут быть разрешенными и запрещенными.
РИСУНОК
2 – расщепление энергетических уровней
атомов, связанных в кристаллической
решетке.
Всегда существует некоторая не равная нулю вероятность того, что энергия электрона совпадает с подуровнем одной из разрешенных энергетических зон. Вероятность пребывания электрона в запрещенной зоне равна нулю.принцип Пауля: На любом энергетическом уровне одновременно может находиться не более двух электронов, отличающихся моментами импульса или спинами.В силу принципа минимизации энергии системы электроны стремятся занять низшие энергетические уровни, излучив кванты избыточной энергии. В результате электроны не скапливаются на отдельных энерг уровнях, а равномерно заполняют разрешенные энергетические зоны, начиная с нижних. Верхнюю из заполненных энергетических зон принято называть валентной, так как ее электроны способны взаимодействовать с соседними атомами, обеспечивая молекулярные связи. Разрешенные энергетические зоны, располагающиеся ниже валентной, всегда полностью заполнены электронами. Валентная зона может быть заполнена полностью или частично. Все кристаллы с неполностью заполненной валентной зоной являются проводниками электрического тока. Кристаллы, у которых валентная зона заполнена электронами полностью, а в следующей по порядку более высокой энергетической зоне электронов нет, - неэлектропроводник и представляет собой идеальный изолятор.Проводящие свойства кристалла зависят от ширины запрещенной зоны, разделяющей валентную зону и зону проводимости
а) проводник; б) полупроводник; в) изолятор .1 – зона проводимости; 2 – валентная зона; 3 – запрещенная зона
Сопротивление полупроводников уменьшается с ростом температуры.Если удельное сопротивление
-
проводники;
- изоляторы
-
полупроводники