
- •Глава 1. Введение. Общие сведения. Диоды. Выпрямители. Фильтры
- •1.1. Введение
- •1.2. Общие сведения
- •1.2.1. Основные понятия физики полупроводников
- •1.2.2. Электронно-дырочный переход
- •1.3. Полупроводниковые диоды
- •1.3.1. Принцип действия
- •1.3.2. Вольт-амперная характеристика (вах)
- •1.3.3. Электрические параметры диодов
- •1.3.4. Технология изготовления диодов
- •1.3.5. Классификация полупроводниковых диодов
- •1.4. Применение диодов в электронных выпрямителях
- •1.4.1. Основные сведения
- •1.4.2. Однополупериодный однофазный выпрямитель
- •1.4.3. Двухполупериодные однофазные выпрямители
- •1.4.4. Трехфазные выпрямители
- •Параметры схем выпрямления
- •1.5. Сглаживающие фильтры
- •Глава 2. Транзисторы. Усилители
- •2.1. Биполярные транзисторы
- •2.1.1. Принцип действия транзистора
- •2.1.2. Характеристики
- •2.1.3. Параметры
- •2.1.4. Способы включения транзистора
- •Коэффициент усиления по напряжению определяется по формуле
- •2.1.6. Режимы работы транзистора
- •2.1.7. Классификация
- •2.2. Полевые транзисторы
- •2.2.1. Принцип действия полевых транзисторов
- •2.2.2. Полевые транзисторы каналом n-типа
- •2.2.3. Характеристики пт с управляющим р-п – переходом
- •Полевые транзисторы описываются двумя видами вах:
- •2.2.6. Параметры полевых транзисторов
- •2.2.7. Схемы включения полевых транзисторов
- •2.2.8. Система условных обозначений пт
- •. Применение транзисторов в электронных усилителях
- •2.3.1. Общие сведения
- •2.3.2. Режимы работы транзисторного усилителя
- •2.3.3. Характеристики транзисторного усилителя
- •2.3.4. Обратные связи в усилителях
- •2.3.5. Усилитель постоянного тока
- •2.3.6. Дифференциальный усилитель
- •2.3.7. Операционный усилитель и его применение
- •Глава 3. Тиристоры. Применение тиристоров в управляемых выпрямителях. Фотоэлектронные приборы. Интегральные микросхемы
- •3.1. Тиристоры
- •3.1.1. Устройство тиристора
- •3.1.2. Принцип действия тиристора (динистора)
- •3.1.3. Механизм включения тиристора
- •3.1.4. Устройство и вах симистора
- •3.1.5. Статические и динамические параметры тиристора
- •3.1.6. Классификация и система обозначения тиристоров
- •3.1.7. Способы запирания тиристоров
- •3.2. Применение тиристоров в управляемых выпрямителях
- •3.2.1. Структура и принцип действия управляемого выпрямителя
- •3.2.2. Системы управления тиристорами
- •3.3. Фотоэлектронные приборы
- •3.3.1. Термины и определения
- •3.3.2. Оптоизлучатели
- •3.3.3. Фотоприемники
- •3.3.4. Оптоэлектронные приборы
- •3.4. Интегральные микросхемы
- •3.4.1. Термины и определения
- •3.4.2. Компоненты имс
- •3.4.3. Классификация и условные обозначения имс
- •Глава 4. Импульсные устройства и цифровая техника
- •4.1. Общая характеристика импульсных устройств
- •4.1.1. Достоинства импульсных систем
- •4.1.2. Характеристика импульса
- •4.1.3. Характеристика последовательности импульсов
- •4.1.4. Ключевой режим работы транзистора
- •4.2. Электронные генераторы
- •4.2.1. Генераторы линейно изменяющегося напряжения (глин)
- •Генераторы прямоугольных импульсов на операционном
- •4.2.3. Компаратор на операционном усилителе
- •4.2.4. Глин на оу
- •4.3. Логические схемы
- •Т аблица 4.5
- •4.5. Счетчики импульсов
- •4.5.1. Двоичные суммирующие счетчики
- •4.6. Регистры
- •Параллельные регистры.
- •Последовательный регистр.
- •4.7. Шифраторы. Дешифраторы
- •4.7.1. Шифраторы
- •4.7.2. Дешифраторы
- •4.8. Аналого-цифровые преобразователи (ацп)
- •4.9. Цифро-аналоговые преобразователи (цап)
3.2.2. Системы управления тиристорами
Назначение СИФУ состоит в том, чтобы выработать импульсы управления тиристорами и изменить их фазу относительно анодного напряжения тиристоров (вторичного напряжения силового трансформатора). Импульсы управления должны быть по форме близкими к прямоугольным, обладать необходимой длительностью и достаточной мощностью. В состав СИФУ входят: фазосмещающее устройство (ФСУ), формирователь и усилитель импульсов (ФиУИ), источник питания (рис 3.10).
Рис. 3.10. Схема СИФУ
В качестве ФСУ применен статический мостовой фазовращатель RС. В качестве одной пары плеч взяты две вторичные полуобмотки трансформатора Т1, а в качестве другой – активное сопротивление R1 и конденсатор С1 (рис. 3.11). Выходное напряжение фазовращателя Uав снимается с диагонали моста (точки «а» и «в»).
Рис. 3.11. ФСУ (а) и векторная потенциальная диаграмма (б)
Вторичное напряжение трансформатора Т1 будет уравновешиваться суммой падений напряжений на сопротивлении R1 и конденсаторе С1:
При изменении сопротивления R1 изменяется соотношение напряжений UR1 и UС1, но их геометрическая сумма остается постоянной и конец вектора напряжения диагонали фазового моста Uав будет описывать полуокружность. Фаза между напряжением U2 вторичной обмотки трансформатора T1 и напряжением диагонали моста Uав будет меняться. Из векторной диаграммы определяют угол α:
α
= 2
= аrctg(ω
)
Синусоидальная форма, малая мощность сигнала, получаемая с выхода фазосдвигающего устройства, не позволяет использовать этот сигнал непосредственно для управления тиристором. Для формирования и усиления импульсов, получаемых с фазовращателя, необходимо промежуточное устройство – формирователь импульсов.
Для работы выпрямителя, требуются две группы импульсов, сдвинутые относительно друг друга на (см.рис. 3.8,а). Одна группа импульсов управляет тиристором VS9, другая – тиристором VS10.
Транзисторы VT3 и VT4 в формирователе работают в режиме ключа. Переключающим (коммутирующим) напряжением является напряжение Uав (рис. 3.12).
В полупериод, когда потенциал точки «а» больше потенциала точки «в», открыт транзистор VT4. Через переход эмиттер-база этого транзистора протекает ток. Цепь базового тока (указана пунктиром): а-VD1-(Э-Б)VT4-R4-в.
Напряжение коллектор-эмиттер у транзистора VT4 примерно равно нулю: UК4=0, напряжение на базе Uб-э отрицательно и составляет десятые доли вольта. В этот полупериод транзистор VT3 заперт, его переход эмиттер-база смещен в обратном направления падением напряжения на диоде VD1 (0,30,5) В. Напряжение на коллекторе закрытого транзистора равно напряжению источника питания.
Рис. 3.12. Формирователь импульсов (а) и диаграммы напряжений (б)
В следующий полупериод транзистор VT3 открывается, VT4 – закрывается. Таким образом, на коллекторах транзисторов получают прямоугольные импульсы, сдвинутые относительно друг друга на .
Формирователь и усилитель импульсов управления тиристорами состоит из двух каналов. Первый канал, состоящий из транзисторов VT3 и VT7, формирует и усиливает импульс управления тиристора VS9. Второй канал (VT4, VT8) предназначен для тиристора VS10.
Рассмотрим работу первого канала. Пусть транзистор VT3 закрылся. Сопротивление перехода эмиттер-коллектор можно принять равным бесконечным .При этом происходит зарядка конденсатора С4 от выпрямителя В через параллельно соединенные переход эмиттер-база VT4 и резистор R1.
Ток заряда поддерживает транзистор VT7 в открытом состоянии (рис. 3.13), т.е. пока заряжается конденсатор С4, транзистор VT7 открыт и через него протекает ток эмиттер-коллектор.
Рис. 3.13. Первый канал усилителя-формирователя (а) и
линейные диаграммы (б)
Этот ток является током управления тиристора VS9. Цепь тока управления: «+» источника EK – переход эмиттер-коллектор транзистора VT7 – сопротивления R9 и R11 – управляющий электрод – катод VS9 – минус источника EK.
Время заряда конденсатора С4 гораздо меньше полупериода и, таким образом, конденсатор С4 дифференцирует (укорачивает) импульс тока управления. Это необходимо для уменьшения мощности, выделяемой на управляющем электроде VS9.
В следующий полупериод транзистор VT3 открывается и конденсатор С4 разряжается через R1 и VT3.
Область применения. Управляемые выпрямители средней и большой мощности применяются для регулирования напряжения на нагрузке (при управлении скоростью двигателей постоянного тока).