- •Глава 1. Введение. Общие сведения. Диоды. Выпрямители. Фильтры
- •1.1. Введение
- •1.2. Общие сведения
- •1.2.1. Основные понятия физики полупроводников
- •1.2.2. Электронно-дырочный переход
- •1.3. Полупроводниковые диоды
- •1.3.1. Принцип действия
- •1.3.2. Вольт-амперная характеристика (вах)
- •1.3.3. Электрические параметры диодов
- •1.3.4. Технология изготовления диодов
- •1.3.5. Классификация полупроводниковых диодов
- •1.4. Применение диодов в электронных выпрямителях
- •1.4.1. Основные сведения
- •1.4.2. Однополупериодный однофазный выпрямитель
- •1.4.3. Двухполупериодные однофазные выпрямители
- •1.4.4. Трехфазные выпрямители
- •Параметры схем выпрямления
- •1.5. Сглаживающие фильтры
- •Глава 2. Транзисторы. Усилители
- •2.1. Биполярные транзисторы
- •2.1.1. Принцип действия транзистора
- •2.1.2. Характеристики
- •2.1.3. Параметры
- •2.1.4. Способы включения транзистора
- •Коэффициент усиления по напряжению определяется по формуле
- •2.1.6. Режимы работы транзистора
- •2.1.7. Классификация
- •2.2. Полевые транзисторы
- •2.2.1. Принцип действия полевых транзисторов
- •2.2.2. Полевые транзисторы каналом n-типа
- •2.2.3. Характеристики пт с управляющим р-п – переходом
- •Полевые транзисторы описываются двумя видами вах:
- •2.2.6. Параметры полевых транзисторов
- •2.2.7. Схемы включения полевых транзисторов
- •2.2.8. Система условных обозначений пт
- •. Применение транзисторов в электронных усилителях
- •2.3.1. Общие сведения
- •2.3.2. Режимы работы транзисторного усилителя
- •2.3.3. Характеристики транзисторного усилителя
- •2.3.4. Обратные связи в усилителях
- •2.3.5. Усилитель постоянного тока
- •2.3.6. Дифференциальный усилитель
- •2.3.7. Операционный усилитель и его применение
- •Глава 3. Тиристоры. Применение тиристоров в управляемых выпрямителях. Фотоэлектронные приборы. Интегральные микросхемы
- •3.1. Тиристоры
- •3.1.1. Устройство тиристора
- •3.1.2. Принцип действия тиристора (динистора)
- •3.1.3. Механизм включения тиристора
- •3.1.4. Устройство и вах симистора
- •3.1.5. Статические и динамические параметры тиристора
- •3.1.6. Классификация и система обозначения тиристоров
- •3.1.7. Способы запирания тиристоров
- •3.2. Применение тиристоров в управляемых выпрямителях
- •3.2.1. Структура и принцип действия управляемого выпрямителя
- •3.2.2. Системы управления тиристорами
- •3.3. Фотоэлектронные приборы
- •3.3.1. Термины и определения
- •3.3.2. Оптоизлучатели
- •3.3.3. Фотоприемники
- •3.3.4. Оптоэлектронные приборы
- •3.4. Интегральные микросхемы
- •3.4.1. Термины и определения
- •3.4.2. Компоненты имс
- •3.4.3. Классификация и условные обозначения имс
- •Глава 4. Импульсные устройства и цифровая техника
- •4.1. Общая характеристика импульсных устройств
- •4.1.1. Достоинства импульсных систем
- •4.1.2. Характеристика импульса
- •4.1.3. Характеристика последовательности импульсов
- •4.1.4. Ключевой режим работы транзистора
- •4.2. Электронные генераторы
- •4.2.1. Генераторы линейно изменяющегося напряжения (глин)
- •Генераторы прямоугольных импульсов на операционном
- •4.2.3. Компаратор на операционном усилителе
- •4.2.4. Глин на оу
- •4.3. Логические схемы
- •Т аблица 4.5
- •4.5. Счетчики импульсов
- •4.5.1. Двоичные суммирующие счетчики
- •4.6. Регистры
- •Параллельные регистры.
- •Последовательный регистр.
- •4.7. Шифраторы. Дешифраторы
- •4.7.1. Шифраторы
- •4.7.2. Дешифраторы
- •4.8. Аналого-цифровые преобразователи (ацп)
- •4.9. Цифро-аналоговые преобразователи (цап)
Полевые транзисторы описываются двумя видами вах:
1 )стоковой Ic = f(Uси) при Uзи=соnst (является выходной);
2 )стокозатворной Ic = f(Uзи) при Uси=const (является проходной).
Рис.2.8. ВАХ для МДП-транзистора со встроенным каналом: а - стоковая характеристика; б - стокозатворная характеристика
Р ис.2.9.Схема включения напряжения стока (а) и ВАХ для МДП транзистора с индуцированным каналом n-типа: б- стоковая характеристика; в- передаточная характеристика
2.2.6. Параметры полевых транзисторов
Одним из основных параметров ПТ, характеризующего его усилительные свойства, является крутизна стокозатворной характеристики.
1. S = dIc/dUзи | при Uси=const.
Она определяет влияние изменения напряжения на затворе на изменение тока стока. Численное значение крутизны зависит от напряжения на затворе. С увеличением Uзи ток стока и крутизна уменьшаются.
Для пологой части стоковой характеристики крутизну определяют из соотношения
S=Smax ,
где Smax=1/Rко-максимальная крутизна при Uзи=0.
Здесь Rко – минимальное сопротивление канала при Uзи = 0.
2. Внутреннее сопротивление транзистора, определяемое как отношение изменения напряжения стока к соответствующему изменению тока стока при постоянном напряжении на других электродах:
Ri= при Uзи=const ,
3. Коэффициент усиления транзистора μ определяется отношением приращений напряжения стока и затвора при холостом ходе на стоке
m= при Iс=const
Параметры S, Ri и μ связаны между собой соотношением μ = SRi.
4. Цепь затвора характеризуют входным сопротивлением транзистора
Rвх= при Uси=const
Значение Rвх=10 -10 ом.
2.2.7. Схемы включения полевых транзисторов
П одобно биполярным транзисторам, ПТ используют в 3 основных схемах включения: с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС),с общим затвором (ОЗ) (рис.2.10, а-в).
Рис.2.10.Схема включения ПТ с ОИ (а), ОС (б) и ОЗ (в)
Усилительный каскад с ОИ аналогичен схеме ОЭ. Он дает большое усиление тока и мощности и инвертирует фазу входного напряжения. Коэффициент усиления каскада по напряжению приближенно равен Кu ≈ SRн (рис.2.10, а).
Схема с ОС подобна эмиттерному повторителю и называется истоковым повторителем (рис.2.10, б). Коэффициент усиления каскада по напряжению близок к единице Кu ≈ 1. Усилитель по схеме ОС имеет сравнительно небольшое выходное сопротивление и большое входное сопротивление. Кроме того, здесь значительно уменьшена входная емкость, что способствует увеличению входного сопротивления на высоких частотах.
Схема ОЗ аналогична схеме ОБ.
Схема не усиливает тока, поэтому коэффициент усиления по мощности во много раз меньше, чем в схеме ОИ. Эта схема имеет малое входное сопротивление. Фаза напряжения при усилении не инвертируется(рис.2.10, в).