- •20. Импульсные диоды
- •21. Диоды с накоплением заряда (днз).
- •22. Диоды с барьером Шотки.
- •23. Туннельные диоды
- •24. Обращенные диоды
- •25. Определение и устройство биполярного транзистора.
- •26. Классификация биполярных транзисторов.
- •27. Система обозначений транзисторов.
- •28. Режимы работы биполярного транзистора.
- •29. Схемы включения биполярного транзистора.
- •30. Принцип работы биполярного транзи стора.
- •31.Токи в биполярном транзисторе.
- •32. Формальная модель транзистора.
- •33.Системы параметров транзистора.
- •34. Статические вах биполярных транзисторов в схеме с об
- •35. Влияние температуры на вах транзистора
- •36. Дифференциальные параметры транзистора.
- •37. Определение h-параметров транзистора по статическим вах.
31.Токи в биполярном транзисторе.
Ток коллектора, вызванный инжекцией основных носителей через эмиттерный переход, называют управляемым током коллектора Iк упр = MIэ, где M = h21Б < 1 называют статическим коэффициентом передачи тока эмиттера. Часто h21б обозначают как . Значения h21Б лежат в диапазоне 0,950,999.
Кроме управляемого тока коллектора Iк упр через коллекторный переход протекает обратный неуправляемый ток Iкб0, обусловленный экстракцией собственных неосновных носителей базы (дырок) и коллектора (электронов):
Iк = h21БIэ + Iкб0. (1)
Обратный ток коллекторного перехода Iкб0 совпадает по направлению с управляемым током коллектора Iк упр, а в цепи базы Iкб0 противоположен току рекомбинации Iб = Iб рек – Iкб0. Величина Iкб0 для германиевых транзисторов составляет десятки миллиампер, а кремниевых транзисторов – сотни наноампер, причем сильно зависит от температуры,
Из принципа работы видно, что Iэ разветвляется на ток базы Iб и коллекторный ток Iк
Iэ = Iб + Iк. (2)
Это выражение называют внутренним уравнением транзистора.
Связь между выходным током Iк и входным током Iб транзистора, включенного по схеме с ОЭ, можно получить из (1) и (2):
,
где – статический коэффициент передачи тока базы (другое обозначение ); – начальный (сквозной) ток транзистора. Коэффициент h21Э принимает значения десяткисотни. Поэтому транзистор, включенный по схеме с ОЭ, является хорошим усилителем тока.
32. Формальная модель транзистора.
Когда транзистор работает в линейном режиме, удобно пользоваться не характеристиками, а параметрами. В режиме малых сигналов транзистор можно рассматривать как активный линейный четырехполюсник (рис. 3.9). Активным четырехполюсником называют электрическую цепь, состоящую из пассивных элементов (L, R, C) и эквивалентного генератора ЭДС или тока, к входным зажимам которого подключается источник сигнала, а к выходным –нагрузка.
33.Системы параметров транзистора.
Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 5.23).
Рис. 5.23. Схема четырехполюсника
В зависимости от того, какие из этих параметров выбраны в качестве входных, а какие в качестве выходных, можно построить три системы формальных параметров транзистора как четырехполюсника. Это системы z-параметров, y-параметров и h-параметров
Система z-параметров
- определяются как входное и выходное сопротивления.
- сопротивления обратной и прямой передач.
Измерения z-параметров осуществляются в режиме холостого хода на входе (I1 = 0) и выходе (I2 = 0).
Система y-параметров
- входная и выходная проводимости.
- проводимости обратной и прямой передач.
Измерение y-параметров происходит в режиме короткого замыкания на входе (U1 = 0) и выходе (U2 = 0).
Система h-параметров
Система h-параметров используется как комбинированная система из двух предыдущих, причем из соображений удобства измерения параметров биполярного транзистора выбирается режим короткого замыкания на выходе (U2 = 0) и режим холостого хода на входе (I1 = 0).
- входное сопротивление при коротком замыкании на выходе;
- выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи;
- коэффициент обратной связи при холостом ходе во входной цепи;
- коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе.