Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Diody_2012 шпоры.doc
Скачиваний:
15
Добавлен:
25.09.2019
Размер:
270.85 Кб
Скачать

3 Планарно-эпитаксиальные диоды, диоды с барьером Шоттки, ионно-лучевые методы изготовления электрического перехода диода.

Планарные имеют «поверхностную» структуру, а выводы контакт ирующих областей электрического перехода расположены в одной плоскости. Электрический переход создан в поверхностном слое кристалла толщиной порядка единиц и десятков микрометров от его поверхности. При изготовлении структуры на подложку кремния n-типа наращивается эпитаксиальный слой n-типа. Затем, через окна защитной маски из оксида кремния в нем формируются несколько p+-областей диффузией бора, после чего осуществляется металлизация выводов от общей базовой и эмиттерных областей. Таким образом изготовляется диодная матричная планарно-эпитаксиальная структура.

ионно-лучевые методы изготовления электрического перехода диода. П ри ионной имплантации легирование пластиныПП осуществляется бомбардировкой примесными ионами, ускоренными до высоких энергий. Концентрация примесей в имплантированном слое зависит от плотности тока в ионном луче и времени экспозиции. Высокая контролируемость процесса и низкая температура позволяют проводить ионную имплантацию на любой стадии процесса изготовления диода. Глубина проникновения ионов в ПП зависит от их энергии. На подложке кремния n+-типа выращен эпитаксиальный n-слой, в котором ионной имплантацией создана p+-область. Омические контакты получены химическим осаждением титана, никеля на ПП пластину с обеих сторон.

Диоды с барьером Шотки изготавливаются напылением металла на очищенную поверхность кристалла в вакуумной среде, хим осаждением металла на ППьили с помощью высокочастотного ионного распыления металла. В качестве подложки используется кремний, арсенид галлия. Электрические свойства перехода зависят от подобранной пары металл-полупроводник. В качестве контактирующего металла выпрямляющего перехода применяют алюминий, золото, молибден и др.

Кроме рассмотренных структур плоскостных диодов широко используются комбинированные структуры: эпитаксиально-диф-фузионные, диффузионно-сплавные, меза-сплавные и др.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]