
3 Планарно-эпитаксиальные диоды, диоды с барьером Шоттки, ионно-лучевые методы изготовления электрического перехода диода.
Планарные
имеют
«поверхностную» структуру, а выводы
контакт
ирующих
областей электрического перехода
расположены в одной плоскости.
Электрический переход создан в
поверхностном слое кристалла толщиной
порядка единиц и десятков микрометров
от его поверхности. При изготовлении
структуры на подложку кремния n-типа
наращивается эпитаксиальный слой
n-типа.
Затем, через окна защитной маски из
оксида кремния в нем формируются
несколько p+-областей
диффузией бора, после чего осуществляется
металлизация выводов от общей базовой
и эмиттерных областей. Таким образом
изготовляется диодная матричная
планарно-эпитаксиальная структура.
ионно-лучевые
методы
изготовления электрического перехода
диода. П
ри
ионной имплантации легирование пластиныПП
осуществляется бомбардировкой примесными
ионами, ускоренными до высоких энергий.
Концентрация примесей в имплантированном
слое зависит от плотности тока в ионном
луче и времени экспозиции. Высокая
контролируемость процесса и низкая
температура позволяют проводить ионную
имплантацию на любой стадии процесса
изготовления диода. Глубина проникновения
ионов в ПП зависит от их энергии. На
подложке кремния n+-типа
выращен эпитаксиальный n-слой,
в котором ионной имплантацией создана
p+-область.
Омические контакты получены химическим
осаждением титана, никеля на ПП пластину
с обеих сторон.
Диоды с барьером Шотки изготавливаются напылением металла на очищенную поверхность кристалла в вакуумной среде, хим осаждением металла на ППьили с помощью высокочастотного ионного распыления металла. В качестве подложки используется кремний, арсенид галлия. Электрические свойства перехода зависят от подобранной пары металл-полупроводник. В качестве контактирующего металла выпрямляющего перехода применяют алюминий, золото, молибден и др.
Кроме рассмотренных структур плоскостных диодов широко используются комбинированные структуры: эпитаксиально-диф-фузионные, диффузионно-сплавные, меза-сплавные и др.