18. Принципиальная эл. Схема фазового модулятора с расстройкой резонансного контура с использованием варикапа.
Сп – осуществляет точную настройку КК на частоту возб. Колебания. При изменении U на VD1 КК будет расстраиваться, следовательно будет изменяться хар-р его сопротивления и угол φ. При подаче модулирующего U на VD1 фаза будет изменяться по законц модулирующего сигнала.
Дивиация фазы - дельта φ<=30
Достоинства схемы: высокая стабильность частоты
Недостатки: малая дивиация фазы, ФМ сопровождается паразитной АМ.
19. Определение коэффициента усиления лампы по семейству проходных характеристик.
µ( коэффициент усиления) - параметр, показывающий во сколько раз изменение напряжения сетки действует на анодный ток сильнее, чем напряжение анода. Если для изменения Ia=1мА нужно изменить Uа=40 В, или изменить Uсетки на 2В, то сетка действует в 20 раз сильнее( µ=20).
Рассмотрим определение µ по характеристикам. Из характеристик видно, что при Uc=const=0 уменьшение Uан на 50В, т.е. с 200В до 150В вызывает уменьшение анодного тока с 12 мА до 8мА. А если оставить Uан неизменным (200В), то такое же уменьшение Tа может быть получено, если изменить Uс на 3В.
µ=(200-150)/3
В зависимости от типа лампы µ может быть различным ( у триодов = 100)
20.Определение внутреннего сопротивления лампы по прохлодным статическим характеристикам.
Ri – параметр, который представляет собой отношение величины изменения анодного напряжения к величине анодного тока, при constU сетки. Внутреннее сопротивление лампы между анодом и катодом относится к переменной составляющей. Ri характеризует влияние анодного U на анодного I при условии U сетки =const. Лампа является генератором переменного тока и как и всякий генератор имеет свое Ri. Ri можно определить по закону Ома, если разделить изменение анодного напряжения на вызванное им изменение анодного тока, при Uсетки постоянным.
В различных случаях желательно иметь различные величины Ri. Пример: лампы для усиления колебаний различной частоты должны иметь высокое Ri; для НЧ – низкое Ri. Внутреннее сопротивление переменному току нельзя путать с сопротивлением постоянному току, кот.не является постоянным и изменяется даже на прямолинейном участке характеристики.
21 Особенности эксплуатации мощных биполярных транзисторов. Системы автоматического управления в радиопередатчиках
Мощные б/т, в отличии от маломощных, как правило применяются при токах и напряжениях, близких к предельным значениям. Случайное отклонение от выбранного режима или даже сочетание нескольких неблагоприятных условий, может вызвать внезапный катастрофический отказ мощного б/т. Особую опасность представляет вторичный пробой. К числу возможных причин возникновения этого явления следует отнести выбросы токов и напряжений из-за предельных процессов, (момент включения выключения прибора), неконтролируемое превышение питающих напряжений, работа на пониженных частотах и др.
Для мощного б/т опасно пребывание в режиме рассогласованной нагрузки, который также приводит к развитию процесс вторичного пробоя. Частые включения и выключения а так же изменения температуры могут вызвать появление неоднородностей, что в дальнейшем будет высказываться ухудшением параметров б/т, и выходом из строя. Если возникла необходимость замене транзистора, то его базовый ввод должен отсоединятся в последнюю очередь а присоединяться первым, при этом аппаратура должна быть полностью обесточена. Нельзя менять полярность питающих напряжений, это может привести к пробою питающих напряжений.
Учитывая всё это, при проектировании транзисторов применяют ряд мер. Прежде всего , величина токов и напряжений должна быть уменьшены на 10-15% по сравнению с предельными значениями, избежание выбросов напряжений на переходах, последние часто шунтируются ограничительными диодами (стабилитронами). В стационарных РПдУ используется автоматические системы защиты мощных б/т от перегрузок, режимов рассогласованной нагрузки.