
- •Классификация методов анализа материалов. Характеристика основных методов анализа материалов
- •2.Теоретические основы атомно-эмиссионного спектрального анализа. Общие принципы метода.
- •4.Способы регистрации спектров.
- •5.Качественный и количественный атомно-эмиссионного спектрального анализ.
- •6.Аналитические характеристики метода аэса
- •10 Метод базовой линии.
- •13. Основные практические задачи, решаемые с помощью ик спектроскопии вмс.
- •19. Эффекты возникающие при взаимодействии электронов с веществом. Вторичная электронная эмиссия.
- •22. Основы сканирующей зондовой микроскопии(сзм)
22. Основы сканирующей зондовой микроскопии(сзм)
СЗМ в исследовании рельефа пов-ти и её локальных св-в проводится с помощью специальным образом приготовленных зондов в виде игл. Острие зонда имеет размеры 10нм. Характерные расстояния м-ду зондом и поверхностью порядка несколько км.
Туннельный микроскоп основан на явлении протекания туннельного тока между иглой и образцом. Сущ-т другие методы взаимодействия:1)электросиловой 2)магнитносиловой 3)атомносиловой, в котором исп-ся взаимодействие между образцом и иглой вандервальсовских сил
В основе всех микроскопов лежит один и тот же принцип. Пусть взаимодействие между зондом и пов-ю хар-ся некоторым параметром «p»,если сущ-т резкая и взаимо-однозначная зависимость параметра p(z), то данный параметр м.б. использован для организации системы обратной связи (ОС)-контролирует расстояние между зондом и образом. Система ОС поддерживает значение пар-ра р постоянным, равным величине Р0, задаваемой оператором.Если расстояние зон пов-ти измен-ся, то происходит изменение параметра р, при этом в системе ОС форм-ся разностный сигнал, который пропорц. Величине (р- Р0),который усиливается на исполнительный элемент. Исполнительный элемент обрабатывает разностный сигнал приближая или отодвигая зонд от поверхности до тех пор пока разностный сигнал не станет равным 0. Т.о. можно поддерживать расст-е «зонд-образец» с очень высокой точностью, до 0.01 Ангстрема.