
- •31)Бериллиевая бронза, маркировка и применение. Термическая обработка бериллиевой бронзы.
- •7. Способы повышения качества стали, их суть и применение стали высокого качества.
- •34. Пайка мягкими припоями. Припои, флюсы, инструмент. Технология пайки. Применение пайки мягкими припоями
- •36. Проводниковые материалы применяемые для высоковольтных линий электропередач. Перечислить требования предъявляемые к ним.
- •37. Полупроводники. Виды проводимости, классификация, свойства и применение. Привести примеры простейших полупроводников
- •12. Прессование металлов. Суть, технология, продукция и её применение
- •13. Волочение металлов. Суть, технология, продукция и её применение
- •39. Диэлектрики. Классификация диэлектриков (газы, жидкости, твердые тела). Свойства диэлектриков: удельное поверхностное сопротивление, диэлектрические потери, электрическая прочность.
- •1.Электронная поляризация
- •5.2. Диэлектрическая проницаемость веществ
- •Классификация видов сварки
- •Свойства
- •Производство
- •Маркировка
37. Полупроводники. Виды проводимости, классификация, свойства и применение. Привести примеры простейших полупроводников
полупроводники́
вещества, электропроводность которых при комнатной температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью металлов (106—104 Ом-1 см-1) и диэлектриков (10-8—10-12 Ом-1 см-1). Характерная особенность полупроводников — возрастание электропроводности с ростом температуры; при низких температурах электропроводность полупроводников мала; на неё влияют и другие внешние воздействия: свет, сильное электрическое поле, потоки быстрых частиц и т. д. Высокая чувствительность электрических и оптических свойств к внешним воздействиям и содержанию примесей и дефектов в кристаллах также характерна для полупроводников. Все эти особенности и определяют их широкое применение в технике (см. Полупроводниковые приборы). К полупроводникам относится большая группа веществ (Si, Ge и др., см. Полупроводниковые материалы). Носителями заряда в полупроводниках являются электроны проводимости и дырки (носители положительного заряда). В идеальных кристаллах они появляются всегда парами, так что концентрации обоих типов носителей равны. В реальных кристаллах, содержащих примеси и дефекты структуры, равенство концентраций электронов и дырок может нарушаться и проводимость осуществляется практически только одним типом носителей. Полное описание природы носителей заряда в полупроводниках и законов их движения даётся в квантовой теории твёрдого тела (см. также Зонная теория).
ПОЛУПРОВОДНИКИ́, вещества, электропроводность которых при комнатной температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью металлов (106 — 104 Ом-1 см-1) и диэлектриков (10-8 — 10-12 Ом-1 см-1), обусловлена переносом электронов и возрастает при повышении температуры. Наиболее существенная особенность полупроводников — способность изменять свои свойства в чрезвычайно широких пределах под влиянием различных воздействий (температуры, освещения, электрического и магнитного поля, внешнего гидростатического давления). В результате таких воздействий характеристики полупроводника могут сильно изменяться, (например, электропроводность может меняться в 106-107 раз). Именно эта способность изменять свойства под влиянием внешних воздействий и обусловила широкое применение полупроводников. На основе различных полупроводниковых материалов (см. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ) разработано и создано огромное количество разнообразных полупроводниковых приборов (см. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ). Физические свойства полупроводников получили свое объяснение на основе зонной теории (см. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ), которая позволяет сформулировать критерий, разделяющий твердые вещества на два класса — металлы и полупроводники (диэлектрики). В металлах валентная зона (см. ВАЛЕНТНАЯ ЗОНА) заполнена полностью или перекрывается с зоной проводимости (см. ПРОВОДИМОСТИ ЗОНА). В полупроводниках и диэлектриках зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной (см. ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА), и не содержит носителей. Деление неметаллических веществ на полупроводники и изоляторы (диэлектрики) является чисто условным. Ранее к изоляторам относили вещества с величиной запрещенной зоны Eg >2—3 эВ. Однако многие из таких кристаллов являются типичными полупроводниками.
Б-12