
- •1 Часть. Электромагнитные преобразователи информации Лекция №1.Определения магнитных величин. Эталоны. Параметры магнитного поля
- •Лекция № 2. Классификация электромагнитных измерительных преобразователей Преобразование параметров магнитного поля в электрический сигнал
- •Лекция №3. Индукционные измерительные преобразователи
- •5 Уравнение:
- •Лекция №4. Индукционные измерительные преобразователи (продолжение)
- •Лекция №5. Магнитомодуляционные измерительные преобразователи
- •Лекция №6. Феррозонд на основе магнитного компаратора
- •Лекция №7. Макроквантовые измерительные преобразователи
- •Лекция № 8. Вихретоковые индуктивные преобразователи
- •Лекция №9. Индуктивные измерительные преобразователи
- •Лекция №10. Трансформаторные измерительные преобразователи
- •Лекция №11. Магнитоупругие измерительные преобразователи
- •Лекция №12. Микроквантовые измерительные преобразователи на основе ядерно-магнитного резонанса
- •Лекция №13. Гальваномагнитные преобразователи, основанные на эффекте Холла
- •Лекция № 14. Магниторезистивные и гальваномагниторекомбинационные преобразователи
- •2 Часть. Лекции по фопи. Лекция 1. Резистивные преобразователи
- •Лекция 2. Тензодатчики
- •Лекция 3. Измерительные цепи тензорезисторов
- •Лекция 4. Пьезоэлектрические преобразователи
- •Лекция 5. Пьезоэлектрические преобразователи силы, давления и ускорения
- •Лекция 6. Пьезорезонансные преобразователи
- •Лекция 7. Измерительные преобразователи, Основанные на использовании Поверхностных акустических волн
- •Лекция 8. Электростатические преобразователи
- •Лекция 9. Емкостные преобразователи
- •Лекция 10. Измерительные цепи емкостных преобразователей
- •Лекция 1. Тепловые преобразователи
- •Лекция 2. Термоэлектрические преобразователи, их принцип действия и применяемые материалы
- •Лекция 3. Терморезисторы, основы их расчета и применяемые материалы
- •Лекция 4. Разновидности термочувствительных элементов и их применение
- •Лекция 5. Оптоэлектрические преобразователи
- •Лекция 6. Источники излучения. Каналы передачи световой энергии в оптических ип
- •Лекция 7. Приемники излучения
- •Лекция 8. Основные структурные схемы оптоэлектрических преобразователей и приборов
Лекция 7. Измерительные преобразователи, Основанные на использовании Поверхностных акустических волн
Поверхностные акустические волны (ПАВ) находят широкое применение при разработке фильтров и линии задержек, применяемых в радиотехнических устройствах. В последнее время ПАВ используются также при разработке измерительных преобразователей.
Известно несколько видов ПАВ, наиболее
часто на практике применяют волны Релея.
Смещение частиц твердого тела при
распространении волны Релея в направлении
оси
иллюстрируется на рис. 7-1.
Рис.7-1.
Как видно из рис. 7-1, волны распространяются вблизи границы твердого тела и затухают почти полностью на расстоянии z от поверхности, примерно равном длине волны λ. Одной из основных причин возрастающего интереса к ПАВ является именно сосредоточенность энергии в тонком слое, так как благодаря этому к технологии изготовления ПАВ-элемента предъявляется лишь одно требование — тщательная обработка рабочей поверхности, по которой распространяется акустическая волна.
Для возбуждения ПАВ на поверхность
пьезоэлемента наносятся гребенки
встречно включенных электродов (рис.
7-2), представляющие собой встречно-штыревой
преобразователь (ВШП), имеющий шаг
.
При подключении напряжения к электродам
ВШП под ними вследствие обратного
пьезоэффекта происходят смещения частиц
и возникает ПАВ, распространяющаяся в
обе стороны.
Рис. 7-2.
Если при этом волна совпадает с шагом
ВШП, то вследствие суперпозиции колебаний,
возникающих под каждой парой электродов,
суммарная энергия ПАВ достигает
максимума; если длина волны не совпадает
с шагом ВШП, энергия ПАВ уменьшается и
при определенном соотношении между
и
волна
за пределами ВШП может полностью
погаситься.
Для приема энергии ПАВ используется второй ВШП, также имеющий шаг, равный длине волны. На электродах приемного ВШП вследствие прямого пьезоэффекта возникают заряды и появляется напряжение. Линия задержки состоит из входного и выходного ВШП. В первом приближении оба ВШП можно рассматривать как локальные электроды, расположенные на расстоянии L, равном расстоянию между геометрическими центрами ВШП. Время задержки τ равно времени прохождения акустической волны между ВШП, т. е.
|
(7.1) |
где
— скорость распространения ПАВ;
— константа упругости и
— плотность материала.
В кварце Y-среза скорость
распространения ПАВ равна
=
3159 м/с; таким образом, при L
= 10 мм время задержки составляет около
3 мкс. Длина волны
определяется скоростью распространения
и частотой возбуждения волн
и составляет
.
Современная технология обеспечивает
возможности создания ВШП с шагом до
= 10 мкм; таким образом, рабочие частоты
ПАВ могут лежать в диапазоне до 300 МГц.
ПАВ-структура может быть использована в качестве частотозадающего элемента автогенератора (рис. 7-3); при этом, как следует из условия баланса фаз (фазовыми сдвигами в электрических цепях пренебрегаем), на длине L должно укладываться целое число волн.
Рис. 7-3.
Фазочастотная характеристика линии
задержки определяется как
.
Значение эквивалентной добротности
определяется как
|
(7.2) |
и составляет
|
(7.3) |
Длина
.
ограничена размерами ПАВ-сгруктуры
и затуханием энергии ПАВ и не превышает
L = 500
;
таким образом, добротность равна Qэкв
≈103.
Изменение времени задержки ПАВ-структуры под воздействием внешних факторов используется в измерительных преобразователях с частотным выходом. При изменении τ относительное изменение частоты генератора составляет
|
(7.4) |
Изменение времени задержки определяется изменением длины L и фазовой скорости и равно
|
(7.5) |
Изменение времени задержки может
происходить при механических деформациях
ПАВ структуры, при нагружении поверхности
(толщина пленки
<0,1
)
при изменении зазора
между поверхностью распространения
ПАВ и токопроводящим экраном (
<
λ). Соответственно на базе
ПАВ-структур могут быть созданы
преобразователи для измерения механических
величин (∆τ/τ — до 1%), температуры
(∆τ/τ — до 1%), микроперемещений, для
микровзвешивания и исследования
параметров тонких пленок (∆τ/τ —
до 10%). При бесконтактной системе
возбуждения ПАВ-преобразователи могут
быть использованы также для изменения
перемещения объекта, вызывающего
перемещение одного из ВШП и приводящего
к изменению L.
Рис. 7-4
Возможности построения на ПАВ-структуpax преобразователей для измерения механических величин подробно исследованы в МИФИ В. М. Макаровым и В. В. Маловым, ими же разработан ряд преобразователей для измерения сил, давлений и ускорений. Схематическая конструкция акселерометра на ПАВ-структуре показана на рис. 7-4. На консольной балке 2 закреплена инерционная масса 3. Балка выполнена из кварца и на поверхности балки методом планарной технологии нанесены ВШП с числом электродов Nизл = 150 и Nприём = 50. На пластине S размещены электронные элементы измерительной цепи. Собственная частота балки = 750 Гц, чувствительность акселерометра S = 0,1 (кГц·с2)/м, предел измерения до 350 мс2, погрешность у =0,5%.