- •Введение. Поверхность.
- •Введение.
- •Поверхность.
- •Раздел 1. Взаимодействие электронов с поверхностью твердых тел.
- •1.1. Генерация электронных потоков.
- •1.2 Процессы при взаимодействии электронов с поверхностью твердого тела.
- •1.2.8.3. Истинно вторичные электроны.
- •1.3. Применение процессов взаимодействия электронов с поверхностью твердых тел.
- •Раздел 2. Взаимодействие атомов, молекул и радикалов с поверхностью твердых тел.
- •2.1. Источники потоков атомов, молекул и радикалов (нч).
- •2.2. Процессы при взаимодействии атомов, молекул и радикалов с поверхностью.
- •2.3. Применение процессов взаимодействия нч с поверхностью
- •Раздел 3.Взаимодействие ионов с поверхностью твердого тела
- •3.1. Источники ионных потоков.
- •3.2. Процессы при взаимодействии ионов с поверхность твердого тела.
- •3.3. Применение процессов взаимодействия ионов с поверхностью твердых тел.
- •Раздел 4. Взаимодейсвие плазмы с поверхностью.
- •4.1. Общие представления и терминология физики плазмы.
- •4.2. Элементарные процессы в низкотемпературной плазме.
- •4.3. Модели состояния плазмы.
- •4.4. Генераторы плазмы.
- •Тлеющий разряд постоянного тока.
- •4.4.3. Диагностика плазмы
- •Раздел 5.Методы формирования пленочных покрытий.
- •5.1.Термическое нанесение
- •5.2. Химическое осаждение из парогазовой фазы
- •5.3. Плазмохимическое осаждение
- •5.4. Ионно-плазменное(магнетронное) нанесение покрытий
- •5.5.Ионно-лучевое осаждение
- •5.7. Механизм формирования пленки
- •Раздел 6. Методы травления пленок и поверхностей.
- •6.1. Химическое жидкостное травление.
- •6.2. Ионно-плазменные процессы травления
Раздел 4. Взаимодейсвие плазмы с поверхностью.
4.1. Общие представления и терминология физики плазмы.
Понятие о плазменном состоянии вещества.
В любом газе при существует некоторое количество заряженных частиц. Однако на свойства газа заряженные частицы начинают влиять только при их достаточно большой концентрации. (Вещество (газ) переходит в плазменное состояние).
Плазменное состояние (плазма) характеризуется следующими основными параметрами:
- – температура, как мера энергии теплового движения. Температуры разных частиц могут быть различны .
- – плотность (концентрация) частиц ,где .
- – давление частиц в плазме. .
- – степень ионизации. Ионы, атомы, молекулы – тяжелые частицы. В предельном случае .
- функция распределения частиц по скоростям или по кинетической энергии.
- функция распределения тяжелых частиц по энергетическим состояниям.
Определение плазмы.
Плазма – это совокупность движущихся нейтральных и заряженных частиц, для которых выполняются условия:
1. где - линейный размер системы заряженных частиц(плазмы),
, где - индекс заряженных частиц (электроны, ионы) Физический смысл это радиус шара, в пределах которого происходит полная компенсация зарядов всех частиц.
3. Для любых объёмов плазма квазинейтральна
4. Для любых промежутков времени плазма квазинейтральна. , - тепловая скорость частиц сорта .
Эти два условия означают квазинейтральность, т.е. нейтральность для достаточно больших объёмов плазмы и за достаточно большой промежуток времени.
4.2. Элементарные процессы в низкотемпературной плазме.
Упругие и неупругие удары (столкновения) частиц.
При упругом соударении частиц происходит обмен импульсом и кинетической энергией. При неупругом ударе меняется внутренняя энергия одной (или двух) частиц.
Упругие и неупругие взаимодействия в плазме.
а) рассеяние электронов на нейтралах (аналогично движению электронов внутри твёрдого тела).
Максимальное сечение (вероятность элементарного процесса) лежит в интервале при , где энергия электрона.
В результате рассеяния на нейтралах электрон теряет очень маленькую долю своей энергии.
б) ион-атомные упругие столкновения.
Сечение этого процесса ( ) и резко возрастает при столкновении иона и атома одного химического элемента. Это объясняется эффектом перезарядки
в) Кулоновские столкновения (столкновения заряженных частиц).
При степенях ионизации эти столкновения становятся определяющими.
В равновесной плазме:
- длины свободного пробега частиц равны. Частоты столкновений т.е. чаще всего происходят электрон-электронные столкновения, и меньше всего происходят ион-ионные.
г) неупругие столкновения с участием электрона.
- возбуждение (тушение) уровней. Медленные электроны эффективно теряют энергию на возбуждение колебательных (зазор между уровнями эВ) и вращательных уровней (зазор между уровнями ).
-диссоциация (ассоциация) молекул на атомы и радикалы. , - возбуждённая молекула, - составные части молекулы.
Вероятность диссоциации из основного состояния намного меньше чем из возбуждённого. Причина – кратковременность воздействия, в течение которого атомы (радикалы) не успевают получить необходимого для разлёта количества движения.
Диссоциация идёт двухступенчатым путём, через возбуждение электронных или электронно-колебательных состояний. . Обратный процесс диссоциации – ассоциация.
Ионизация атомов и молекул – это главный процесс генерации зарядов. При ионизации атом (молекулу) покидает наименее связанный, то есть обладающий минимальной потенциальной энергией электрон. . Обратный процесс ионизации – тройная рекомбинация. В твёрдом теле основной процесс – двойная рекомбинация, так как третяя частица – это связанный ион. В плазме необходима третья частица.
Третьей частицей процесса рекомбинации может быть электрон, атом, молекула:
, ,
В условиях электрических разрядов ( эВ) вероятность трёхчастичной рекомбинации значительно меньше вероятности тройной рекомбинации, так как .
При наличии в плазме молекулярных ионов, может оказаться существенной диссоциативная рекомбинация. . (Обратный процесс – ассоциативная ионизация). Здесь третья частица образуется в процессе рекомбинации. Вероятность диссоциативной рекомбинации больше вероятности тройной рекомбинации. Процесс 4 является мощным источником возбуждённых атомов и радикалов, что определяет во многом эффективность плазмохимических процессов.
д) Неупругие столкновения с участием только тяжёлых частиц.
Сечение этого процесса намного меньше чем сечение в процессе с участием электронов.
Возбуждение (тушение) . Вероятность неупругого превращения при атом-атомном (-ионном) столкновении значительно только если их относительная скорость приблизительно равна скорости электрона в атоме ( см/с), что соответствует энергии частиц десятки - сотни эВ (1 эВ 11000 ).