
- •Введение. Поверхность.
- •Введение.
- •Поверхность.
- •Раздел 1. Взаимодействие электронов с поверхностью твердых тел.
- •1.1. Генерация электронных потоков.
- •1.2 Процессы при взаимодействии электронов с поверхностью твердого тела.
- •1.2.8.3. Истинно вторичные электроны.
- •1.3. Применение процессов взаимодействия электронов с поверхностью твердых тел.
- •Раздел 2. Взаимодействие атомов, молекул и радикалов с поверхностью твердых тел.
- •2.1. Источники потоков атомов, молекул и радикалов (нч).
- •2.2. Процессы при взаимодействии атомов, молекул и радикалов с поверхностью.
- •2.3. Применение процессов взаимодействия нч с поверхностью
- •Раздел 3.Взаимодействие ионов с поверхностью твердого тела
- •3.1. Источники ионных потоков.
- •3.2. Процессы при взаимодействии ионов с поверхность твердого тела.
- •3.3. Применение процессов взаимодействия ионов с поверхностью твердых тел.
- •Раздел 4. Взаимодейсвие плазмы с поверхностью.
- •4.1. Общие представления и терминология физики плазмы.
- •4.2. Элементарные процессы в низкотемпературной плазме.
- •4.3. Модели состояния плазмы.
- •4.4. Генераторы плазмы.
- •Тлеющий разряд постоянного тока.
- •4.4.3. Диагностика плазмы
- •Раздел 5.Методы формирования пленочных покрытий.
- •5.1.Термическое нанесение
- •5.2. Химическое осаждение из парогазовой фазы
- •5.3. Плазмохимическое осаждение
- •5.4. Ионно-плазменное(магнетронное) нанесение покрытий
- •5.5.Ионно-лучевое осаждение
- •5.7. Механизм формирования пленки
- •Раздел 6. Методы травления пленок и поверхностей.
- •6.1. Химическое жидкостное травление.
- •6.2. Ионно-плазменные процессы травления
Раздел 4. Взаимодейсвие плазмы с поверхностью.
4.1. Общие представления и терминология физики плазмы.
Понятие о плазменном состоянии вещества.
В
любом газе при
существует
некоторое количество заряженных частиц.
Однако на свойства газа заряженные
частицы начинают влиять только при их
достаточно большой концентрации.
(Вещество (газ) переходит в плазменное
состояние).
Плазменное состояние (плазма) характеризуется следующими основными параметрами:
-
– температура, как мера энергии теплового
движения. Температуры разных частиц
могут быть различны
.
-
– плотность (концентрация) частиц
,где
.
-
–
давление частиц в плазме.
.
-
– степень ионизации. Ионы, атомы, молекулы
– тяжелые частицы. В предельном случае
.
-
функция
распределения частиц по скоростям или
по
кинетической энергии.
-
функция
распределения тяжелых частиц по
энергетическим состояниям.
Определение плазмы.
Плазма – это совокупность движущихся нейтральных и заряженных частиц, для которых выполняются условия:
1.
где
- линейный размер системы заряженных
частиц(плазмы),
, где
- индекс заряженных частиц (электроны,
ионы) Физический смысл
это радиус шара, в пределах которого
происходит полная компенсация зарядов
всех частиц.
3.
Для любых объёмов
плазма
квазинейтральна
4.
Для любых промежутков времени
плазма
квазинейтральна.
,
-
тепловая скорость частиц сорта
.
Эти два условия означают квазинейтральность, т.е. нейтральность для достаточно больших объёмов плазмы и за достаточно большой промежуток времени.
4.2. Элементарные процессы в низкотемпературной плазме.
Упругие и неупругие удары (столкновения) частиц.
При упругом соударении частиц происходит обмен импульсом и кинетической энергией. При неупругом ударе меняется внутренняя энергия одной (или двух) частиц.
Упругие и неупругие взаимодействия в плазме.
а) рассеяние электронов на нейтралах (аналогично движению электронов внутри твёрдого тела).
Максимальное
сечение (вероятность элементарного
процесса)
лежит в интервале
при
,
где
энергия электрона.
В результате рассеяния на нейтралах электрон теряет очень маленькую долю своей энергии.
б) ион-атомные упругие столкновения.
Сечение
этого процесса (
)
и резко возрастает при столкновении
иона и атома одного химического элемента.
Это объясняется эффектом перезарядки
в) Кулоновские столкновения (столкновения заряженных частиц).
При
степенях
ионизации эти столкновения становятся
определяющими.
В равновесной плазме:
-
длины свободного пробега частиц равны.
Частоты столкновений
т.е. чаще всего происходят электрон-электронные
столкновения, и меньше всего происходят
ион-ионные.
г) неупругие столкновения с участием электрона.
-
возбуждение (тушение) уровней. Медленные
электроны эффективно теряют энергию
на возбуждение колебательных (зазор
между уровнями
эВ) и вращательных уровней (зазор между
уровнями
).
-диссоциация
(ассоциация) молекул на атомы и радикалы.
,
-
возбуждённая молекула,
-
составные части молекулы.
Вероятность диссоциации из основного состояния намного меньше чем из возбуждённого. Причина – кратковременность воздействия, в течение которого атомы (радикалы) не успевают получить необходимого для разлёта количества движения.
Диссоциация
идёт двухступенчатым путём, через
возбуждение электронных или
электронно-колебательных состояний.
.
Обратный процесс диссоциации –
ассоциация.
Ионизация
атомов и молекул – это главный процесс
генерации зарядов. При ионизации атом
(молекулу) покидает наименее связанный,
то есть обладающий минимальной
потенциальной энергией электрон.
.
Обратный процесс ионизации – тройная
рекомбинация. В твёрдом теле основной
процесс – двойная рекомбинация, так
как третяя частица – это связанный ион.
В плазме необходима третья частица.
Третьей частицей процесса рекомбинации может быть электрон, атом, молекула:
,
,
В
условиях электрических разрядов (
эВ) вероятность трёхчастичной рекомбинации
значительно меньше вероятности тройной
рекомбинации, так как
.
При
наличии в плазме молекулярных ионов,
может оказаться существенной диссоциативная
рекомбинация.
.
(Обратный процесс – ассоциативная
ионизация). Здесь третья частица
образуется в процессе рекомбинации.
Вероятность диссоциативной рекомбинации
больше вероятности тройной рекомбинации.
Процесс 4 является мощным источником
возбуждённых атомов и радикалов, что
определяет во многом эффективность
плазмохимических процессов.
д) Неупругие столкновения с участием только тяжёлых частиц.
Сечение этого процесса намного меньше чем сечение в процессе с участием электронов.
Возбуждение
(тушение)
.
Вероятность неупругого превращения
при атом-атомном (-ионном) столкновении
значительно только если их относительная
скорость приблизительно равна скорости
электрона в атоме (
см/с), что соответствует энергии частиц
десятки - сотни эВ (1 эВ
11000
).