68. В одноадресній еом з регістром-акумулятором виконується команда завантаження
в регістр. Зміст комірок пам’яті наступний :
-
№ яч.
Зміст
40
50
50
60
60
70
Після виконання команди завантаження пряме 40 зміст акумулятора
а) 40
б) 50
в) 60
г) 70
69. В одноадресній еом з регістром-акумулятором виконується команда завантаження
в регістр. Зміст комірок пам’яті наступний :
-
№ яч.
Зміст
20
40
30
60
40
70
Після виконання команди завантаження непряме («косвенная загрузка») 20 зміст акумулятора
а) 20
б) 30
в) 40
г) 60
д) 70
70. В одноадресній еом з регістром-акумулятором виконується команда завантаження
в регістр. Зміст комірок пам’яті наступний :
-
№ яч.
Зміст
40
50
50
100
70
150
Після виконання команди завантаження безпосереднє 40 зміст акумулятора
а) 40
б) 50
в) 70
г) 100
71. В одноадресній ЕОМ з регістром-акумулятором виконується команда завантаження в регістр. Зміст комірок пам’яті наступний :
-
№ яч.
Зміст
40
50
50
60
60
70
Після виконання команди завантаження непряме 50 зміст акумулятора
а) 40
б) 50
в) 60
г) 70
72. Задано число 3А у 16-річній системі зчислення. У двійковій системі воно представлено:
а) 101101
б) 1101011
в) 1011110
г) 111010
73. Задано число 45 у 8-річній системі зчислення. В двійковій системі воно представлено:
а) 1000100
б) 110110
в) 100101
г) 100011
74. Задано число 1011010 у 2-чній системі зчислення. У 8-річній системі воно представлено:
а) 143
б) 254
в) 132
г) 481
75. Задано число 1101101 у 2-чній системі зчислення. У 4-річній системі воно представлено:
а) 1342
б) 1231
в) 2321
г) 1123
76. Задано число 321 у 4-річній системі зчислення. У 2-чній системі воно представлено:
а) 101101
б) 1101101
в) 111001
г) 101111
77. Об’єм ОП 32К. Розрядність фізичної адреси (біт):
а) 12
б) 15
в) 25
г) 30
78. Об’єм ОП 128М. Розрядність фізичної адреси (біт):
а) 20
б) 30
в) 25
г) 26
д) 27
79. Об’єм ОП 4Г. Розрядність фізичної адреси (біт):
а) 20
б) 27
в) 34
г) 32
80. Фізична адреса обчислюється стикуванням базової адреси та зміщення. Розмір адресуємої пам’яті при довжині базової адреси 10 біт та об’єму сторінки 4К:
а) 4М
б) 4К
в) 8М
г) 16М
81. Фізична адреса обчислюється стикуванням базової адреси та зміщення. Розмір адресуємої пам’яті при довжині базової адреси 15 біт та об’єму сторінки 2К
а) 10М
б) 64М
в) 32М
г) 16К
82. Об’єм ОП 32М, яка розподілена на сторінки об’ємом 4К. Розрядність базової адреси (біт)
а) 10
б) 20
в) 12
г) 13
83. Об’єм ОП 1Г, яка розподілена на сторінки об’ємом 4К. Розрядність базової адреси (біт):
а) 20
б) 22
в) 18
г) 16
84. Об’єм ОП 4Г, яка розподілена на сторінки об’ємом 1К. Розрядність базової адреси (біт):
а) 10
б) 20
в) 30
г) 15
85. Об’єм ОП 256М, яка розподілена на сторінки. Довжина базової адреси 20 біт. Розмір сторінки (слів):
а) 64
б) 128
в) 256
г) 512
86. Об’єм ОП 64М, яка розподілена на сторінки. Довжина базової адреси 15 біт. Розмір сторінки (слів):
а) 1К
б) 2К
в) 4К
г) 8К
87. Об’єм ОП 128М, яка розподілена на сторінки. Довжина базової адреси 14 біт. Розмір сторінки (слів)
а) 2К
б) 4К
в) 8К
г) 16К
88. Об’єм ОП 256М. Об’єм КЕШ – пам’яті (КП) – 32К. Спосіб організації КП – асоціативний. Розрядність тега (біт):
а) 10
б) 15
в) 20
г) 28
д) 30
89. Істинне переповнення при додаванні чисел з плаваючою комою може бути:
а) при додаванні мантис
б) порівнянні порядків
в) нормалізації результату зсувом вліво
г) нормалізації результату зсувом вправо
90. Чергова цифра частки (результату ділення) при діленні визначається:
а) знаком діленого
б) знаком дільника
в) знаком залишку
г) сполученням знаків діленого та дільника
91. Природний порядок проходження команд це:
а) виконання команд у порядку, зазначеному програмою
б) виконання команд у порядку їхнього розташування у пам’яті
в) виконання команд у міру готовності операндів
92. Розрядність фізичної адреси визначається:
а) розрядністю операндів
б) об’ємом сторінки
в) об’ємом сегменту
г) об’ємом оперативної пам’яті
93. Принцип цілком паралельного переносу у двійкових суматорах не використовується внаслідок:
а) недостатнього збільшення швидкості
б) обмеженістю по числу розрядів
в) великій кількості апаратури
94. Використання, як правило, додаткового коду, а не зворотного пов’язано з :
а) простотою формування коду
б) можливістю виявлення переповнення
в) прискоренням операцій додавання
95. Сучасні процесори не використовують вертикальний спосіб мікропрограмного управління внаслідок :
а) складності кодування
б) великої довжини мікрокоманди
в) мінімальної можливості по сполученню мікрооперацій
г) великого часу виконання мікрокоманди
96. Механізм регістрових «вікон» у RISC – процесорах :
а) скорочує час виконання арифметичних операцій
б) скорочує час виконання переходів до підпрограм
в) спрощує структуру процесора
97. Необхідна умова розпізнавання колізій у мережі ETHERNET
а)
б)
в)
г)
д)
98. На малюнку представлений формат кадру
DA 2/6 |
SA 2/6 |
T 2 |
DATA 46-1500 |
FCS 4 |
а) 802.3 / LLC
б) Raw 802.3 / Novell 802.3
в) DIX (II)
г) SNAP
д) 802.3 / 802.2
99. У технології FAST ETHERNET бітовий інтервал у порівнянні з технологією ETHERNET
а) збільшився в 100 разів
б) збільшився в 10 разів
в) не змінився
г) зменшився в 10 разів
д) зменшився в 100 разів
100. Схема автопереговорів закладена для специфікації
а) 100Base-FX
б) 100Base-TX
в) 10Base-5
г) 10Base-2
д)10Base-F
101. У технології Token Bus станцією-спадкоємцем є
а) станція, що одержує дані
б) станція, що одержує маркер
в) станція, що віддає маркер
г) наступна станція в логічному кільці
д) станція, що ввійшла в логічне кільце
102. Максимально припустимий час обороту маркера по кільцю Token Ring …
а) складає 2,6 с
б) установлюється при ініціалізації кільця
в) призначається адміністратором мережі
г) визначається як добуток числа станцій мережі на час утримання маркера
д) не визначено
103. Станцією, що видаляє кадр із мережі при методі доступу Token Ring, є
а) станція призначення
б) станція-джерело
в) попередній сусід станції-джерела
г) наступний сусід станції призначення
д) монітор
104. У технології FDDI значення TTRT повинне знаходитися в межах
а) від 4 мс до 165 мс
б) від 165 мс до 205 мс
в) від 10 мс до 50 мс
г) від 50 мс до 150 мс
д) від 100 мс до 165 мс
105. У технології FDDI Claim Token – це процедура
а) наскрізного режиму
б) згортання кілець
в) видалення токена з кільця
г) відновлення токена в кільці
д) ініціалізації кільця
е) сигналізації про несправності
106. Технологія, яка призначена як для локальних так і глобальних мереж
а) Frame Relay
б) АTM
в) Ehernet
г) Token Ring
д) FDDI
107. До широкомовної конфігурації мережі відноситься
а) кільце
б) ланцюжок
в) шина
г) сніжинка
д) сітка
108. Абревіатура IEEE означає
а) американський національний інститут стандартів
б) інститут інженерів по електротехніці і радіоелектроніці
в) європейська асоціація виробників комп'ютерів
г) асоціація електронної промисловості
д) асоціація виробників комп'ютерів і оргтехніки
109. Формалізовані правила, що визначають послідовність і формат повідомлень, якими обмінюються мережні компоненти, що лежать на одному рівні, але в різних вузлах, називаються
а) протоколом
б) інтерфейсом
в) стеком протоколів
г) моделлю ВОС
д) моделлю OSI
110. Логічна структуризація мережі виконується з метою
а) зняття обмежень на довжину мережі
б) зняття обмежень на кількість вузлів мережі
в) зміни логічної топології мережі
г) зміни фізичної топології мережі
д) підвищення продуктивності мережі
111. Відмінність технології FAST ETHERNET від ETHERNET зосереджені
а) тільки на фізичному рівні
б) тільки на канальному рівні
в) тільки на мережному рівні
г) на фізичному і канальному рівнях
д) на фізичному, канальному і мережному рівнях
112. Емітерний перехід транзистора зміщений в прямому напрямку, колекторний – в зворотному. Визначити режим роботи транзистора:
а) режим насичення («режим насыщения», «двойной инжекции»),
б) режим відсічки – транзистор закритий («режим отсечки»),
в) нормальний активний режим (підсилюючий),
г) інверсний режим.
113. Емітерний перехід транзистора зміщений в зворотному напрямку, колекторний – в прямому. Визначити режим роботи транзистора:
а) режим насичення («режим насыщения», «двойной инжекции»),
б) режим відсічки – транзистор закритий («режим отсечки»),
в) нормальний активний режим (підсилюючий),
г) інверсний режим.
114. Емітерний та колекторний переходи транзистора зміщені в прямому напрямку. Визначити режим роботи транзистора:
а) режим насичення («режим насыщения», «двойной инжекции»),
б) режим відсічки – транзистор закритий («режим отсечки»),
в) нормальний активний режим (підсилюючий),
г) інверсний режим.
115. Емітерний та колекторний переходи транзистора зміщені в зоротному напрямку. Визначити режим роботи транзистора:
а) режим насичення («режим насыщения», «двойной инжекции»),
б) режим відсічки – транзистор закритий («режим отсечки»),
в) нормальний активний режим (підсилюючий),
г) інверсний режим.
116. На рисунку зображено умовне графічне позначення:
а) RS-тригера, що не синхронізується, з інверсними входами
б) RS-тригера, що не синхронізується, з прямими входами
в) RS-тригера, що синхронізується, з інверсними входами
г) потенціального (статичного) D-тригера
117. На рисунку зображено умовне графічне позначення:
а) RS-тригера, що не синхронізується, з інверсними входами
б) RS-тригера, що не синхронізується, з прямими входами
в) RS-тригера, що синхронізується, з прямими входами
г) потенціального (статичного) D-тригера
118. На рисунку зображено умовне графічне позначення:
а) RS-тригера, що не синхронізується, з інверсними входами
б) RS-тригера, що не синхронізується, з прямими входами
в) RS-тригера, що синхронізується, з прямими входами
г) JK-тригера
119. На рисунку показано наступну характеристику ідеального базового елементу:
а) ідеальна передаточна характеристика базового елементу
б) ідеальна вхідна характеристика базового елементу
в) ідеальна характеристика споживання («потребления») базового елементу
г) ідеальна вихідна характеристика для навантаження І роду
д) ідеальна вихідна характеристика для навантаження І роду
1
20.
На рисунку показано наступну характеристику
ідеального базового елементу:
а) ідеальна передаточна характеристика базового елементу
б) ідеальна вхідна характеристика базового елементу
в) ідеальна характеристика споживання («потребления») базового елементу
г) ідеальна вихідна характеристика для навантаження І роду
д) ідеальна вихідна характеристика для навантаження ІІ роду