Лаба 3 Исследование полевого транзистора / Lab3

Государственный комитет РФ по высшему образованию

Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический

Университет им. В.И. Ульянова (Ленина)

Отчет по лабораторной работе №3

Исследование полевого транзистора

Студент группы 2211 Тимофеев Ю.В.

Санкт-Петербург

2005г.

1. Схема для исследования вольт-амперных характеристик полевого транзистора

2. Зависимости стоковых характеристик

	0	0,52	0,76	0,94	1,1	1,1
	0	0,4	0,8	1,2	1,6	2

	0	0,2	0,32	0,4	0,44	0,48	0,5	0,5	0,5
	0	0,2	0,4	0,6	0,8	1	1,2	1,4	2

	0	0,08	0,21	0,23	0,25	0,26	0,27	0,28	0,28
	0	0,2	0,4	0,6	0,8	1	1,2	1,4	2

3. Передаточная характеристика

	0,98	0,66	0,38	0,18	0,1	0,05	0,02	0
	0	0,2	0,4	0,6	0,72	0,8	0,9	1,1

4. Расчеты физико-топологических параметров транзистора

1. Определение и

т.к.

Получаем систему уравнений:

Получаем: и

2. Определение L:

3. Определение :

4. Определение :

5. Определение :

Вывод: в ходе работы были получены вольтамперные характеристики полевого транзистора. С помощью этих характеристик были получены такие важные величины как крутизна и проводимость канала. Они, в свою очередь, связаны с физико-топологическими параметрами транзисторной структуры, что дало возможность их численного определения.

4