- •Оглавление
- •Введение
- •§1. Введение в теорию эпр
- •1.1. Условие электронного парамагнитного резонанса
- •1.3. Электрон-ядерное взаимодействие и сверхтонкая структура спектра эпр
- •1.4. Интенсивность и форма линии в спектре эпр. Времена релаксации системы спинов
- •§2. Техника эпр-спектроскопии
- •2.1. Принцип устройства эпр-спектрометра
- •2.2. Основные параметры и узлы эпр-спектрометра ps100.X
- •2.3. Программа для измерения спектров эпр. Общие рекомендации по выбору параметров
- •§3. Исследование методом эпр кристаллических, неупорядоченных и низкоразмерных образцов.
- •3.2. Особенности применения метода эпр для изучения спиновых центров в неупорядоченных и низкоразмерных полупроводниках и диэлектриках
- •§ 4. Упражнения
- •4.1 Знакомство с устройством и порядком работы на эпр-спектрометре
- •4.3. Исследование спиновых центров в образцах a-Si:h и a-Si1-X Cx:h
- •Список рекомендуемой литературы:
Список рекомендуемой литературы:
Д. Вертц, Д. Болтон. Теория и практические приложения метода ЭПР. “Мир”, М., 1975.
А. Керрингтон, Э. Мак-Лечлан. Магнитный резонанс и его применение в химии. “Мир”, М., 1970.
Ч. Пул. Техника ЭПР-спектроскопии. “Мир”, М., 1970.
А.Б.Ройцин, В.М.Маевский. Радиоспектроскопия поверхности твердых тел."Наук. Думка", К., 1992.
М.В. Власова, Н.Г. Каказей. Электронный парамагнитный резонанс в механически разрушенных твердых телах. "Наук. Думка", К., 1979.
М.В. Власова. Радиоспектроскопические свойства неорганических материалов. Справочник. "Наук. Думка", К., 1987.
К.В. Шалимова. Физика полупроводников. “Энергоатомиздат”, М., 1985.
М. Бродски. Аморфные полупроводники. “Мир”, М., 1982.
Е.А.Константинова. Исследование фотоэлектронных свойств пористого кремния. Диссертация, МГУ, М., 1995.
H.J. von Bardeleben, D. Stievenard, A. Grosman, C. Ortega, J. Siejka. Paramagnetic defects in porous silicon. Phys. Rev. B, v.47, p.10899, 1993.
O. Regan, M. Gratzel. A low cost, high-efficiency solar cell based on dye-sensitized cooloidal TiO2 films. Nature, v.353, p.737, 1991.