
- •Основное назначение спп (силовых полупроводниковых приборов)
- •Основная номенклатура.
- •Основные сферы применения
- •Разработка новых технологий
- •2.1 Типовой технологический процесс изготовления спп
- •Общая характеристика полупроводникового тиристора т-142
- •Технологический процесс изготовления тиристора т-142
- •2.3.1 Механическая обработка
- •2.3.2 Техпроцесс диффузии бора
- •2.3.3 Техпроцесс первой фотолитографии
- •2.3.4 Техпроцесс диффузии фосфора и бора
- •2.3.5 Техпроцесс второй фотолитографии
- •2.3.6 Техпроцесс металлизации
- •2.3.7 Техпроцесс изготовления п-п структуры и сборки прибора т-142
- •3 Диод .Д106
- •3.1. Общие сведения о диоде д106.
- •3.1.1. Параметры диода д106.
- •3.3.2. Диффузия.
- •3.3.3. Окисление.
- •3.3.4. Фотолитография.
- •3.3.5. Стеклопассивация.
- •3.3.6. Металлизация.
- •3.3.7. Скрайбирование, облуживание.
- •3.3.8. Травление.
- •3.3.9. Пайка арматуры.
- •3.3.10. Герметизация.
- •4.2 Контроль в процессе механической обработки
- •4.3 Контроль параметров после диффузии
- •4.3.1 Контроль глубины диффузии
- •4.3.2 Контроль поверхностного сопротивления
- •4.3.3 Измерение времени жизни неосновных носителей заряда
- •4.3.4 Контроль типа проводимости п/п материалов
- •4.4 Контроль толщины металлизации
- •4.4.1 Гравиметрический метод (гост 9.302-88)
- •4.4.2 Кулонометрический метод
- •4.4.3 Метод капли
- •4.4.4 Метод вихревых токов
4.3.2 Контроль поверхностного сопротивления
Для измерения поверхностного сопротивления диффузионных слоев используется четырехзондовый метод.
Оборудование для измерения: цифровой измеритель удельного сопротивления (ЦИУС)
Ток протекает через крайние зонды в пределах диффузионного слоя Поверхностное сопротивление слоя определятся по формуле:
Rs = 4.53 U/I, (4.1)
где Rs – поверхностное сопротивление, Ом;
U – падение напряжения на участке слоя между внутренними зондами, мВ;
I – ток внешних зондов, мА;
4.53 поправочный коэффициент.
4.3.3 Измерение времени жизни неосновных носителей заряда
Для измерения времени жизни неосновных носителей заряда (ННЗ) используется метод dU/dt. На структуру подаётся напряжение, возрастающее с определённой скоростью. Нарастание происходит до Uo (рис. 4.2 а)). Во время нарастания напряжения на структуре наблюдается всплеск тока, обусловленный зарядной ёмкостью p-n перехода. После того как напряжение на структуре становится постоянным, некоторое время в цепи протекает ток, превосходящий ток утечки в стационарном режиме. Уменьшение тока от Io до Iут происходит по экспоненциальному закону с определённым временем спада, называемым время жизни ННЗ (рис. 4.2 б)).
Для измерения времени жизни ННЗ используют прибор ИВ-100.
Рисунок 4.2 а) возрастание напряжения, б) время жизни ННЗ
4.3.4 Контроль типа проводимости п/п материалов
Тип проводимости структур и материалов определяется по знаку термоэлектродвижущей силы, возникающей при наличии градиента температуры между точечным зондом и образцом.
Определение типа проводимости структур и материалов показано на рис.4.3
структура или п/п материал;
термозонд с нагревателем;
гальванометр.
Рисунок 4.3 Определение типа проводимости с помощью зонда.
4.4 Контроль толщины металлизации
Для определения толщины металлического покрытия применяется ряд методов, выбор которых зависит от требуемой точности определения и металла, применяемого для покрытия.
4.4.1 Гравиметрический метод (гост 9.302-88)
Метод основан на определения массы покрытия взвешиванием деталей на аналитических весах до и после нанесения покрытия или до и после растворения покрытия или основного металла.
Метод применяют для определения средней толщины однослойных покрытий с известной плотностью на деталях, массу которых можно определить взвешиванием на аналитических весах с классом точности не менее 2.0. Относительная погрешность метода 10%.
Среднюю толщину покрытия в микрометрах определяют по формуле:
, (4.2)
где m1, m2 – масса пластины до и после нанесения покрытия соответственно в г;
S – площадь покрытия см2 ;
- плотность материала покрытия, г/см3;
4.4.2 Кулонометрический метод
Метод основан на определении количества электричества, необходимого для анодного растворения покрытия на ограниченном участке под воздействием стабилизированного тока, в соответствующем электролите.
В момент полного растворения покрытия и появления основного металла или металла подслоя наблюдается резкое изменение – "скачок" потенциала, что и является признаком окончания измерения.
Метод применяют для однослойных покрытий толщиной от 0.2 – 50 мкм.
Толщину измеряют с помощью кулонометрических толщиметров различной конструкции. Относительная погрешность метода 10%.