
- •Виды химической связи
- •Классификация диэлектрических материалов
- •Основные положения зонной теории твердого тела
- •Электропроводность полупроводников
- •Контактные явления в полупроводниках Классификация электронно-дырочных переходов
- •Классификация электрических переходов
- •Р ис. 7. Пространственное распределение зарядов (а, б, в) и энергетические диаграммы р-п-перехода (г, д, е):
- •Методы формирования электронно-дырочных переходов
- •Р ис. 9. Диффузионный р-п-переход (а) и распределение примесей в полупроводнике после диффузии в него доноров (б).
- •Контакт металл-полупроводник
- •Гетеропереходы
- •Полупроводниковые диоды
- •В ыпрямительные диоды
- •Диоды шотки
- •Стабилитроны
- •Стабисторы
- •Туннельные диоды
- •Варикапы
- •Работа биполярного транзистора в активном режиме
- •Статические параметры биполярного транзистора
- •Статические характеристики биполярного транзистора
- •Полевые транзисторы
- •Классификация интегральных микросхем
- •Активные элементы
- •Пассивные элементы
- •Интегральные микросхемы на основе биполярных транзисторных структур
- •Интегральные микросхемы на основе полевых транзисторных структур
- •Оптоэлектроника
- •Классификация Оп/пП
- •Основные характеристики инфракрасных и светоизлучающих диодов
- •Принцип действия и основные характеристики фоторезисторов
- •Экзаменационные вопросы по курсу «Физические основы микроэлектроники»
- •Тема 1. Основные материалы электронной техники
- •Тема 2. Контактные явления в полупроводниках
- •Тема 3. Полупроводниковые диоды
- •Тема 4. Биполярные транзисторы
- •Тема 5. Полевые транзисторы
- •Тема 6. Интегральные микросхемы
- •Тема 7. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы
Принцип действия и основные характеристики фоторезисторов
Фоторезистор – это п/п резистор, действие которого основано на фоторезистивном эффекте.
При облучении фоторезистора фотонами в п/п фоточувствительном слое возникает избыточная концентрация носителей заряда. Если к фоторезистору приложено напряжение, то через него будет протекать дополнительная составляющая тока – фототок, обусловленный этими зарядами.
Материалы для фоточувствительных слоев – CdS, CdSe, PbS.
Основные параметры и характеристики:
- коэффициент усиления фоторезистора - отношение прошедших во внешней цепи электронов к числу возникших в фоточувствительном слое;
- постоянная времени – время, в течение которого фототок изменяется после освещения или затемнения фоторезистора на 63% (т.е. в е раз) по отношению к установившемуся значению;
- темновое сопротивление – сопротивление фоторезистора в отсутствие освещения;
- ВАХ фоторезистора – зависимость светового (1) и темнового (2) токов от приложенного напряжения
- световая или люкс-амперная характеристика фоторезистора – зависимость фототока от освещенности или от падающего светового потока
- спектральная характеристика фоторезистора – зависимость фототока от длины волны падающего на фоторезистор света (S – отношение фототока при данной длине волны излучения к максимальному фототоку)
Экзаменационные вопросы по курсу «Физические основы микроэлектроники»
Лектор – Райская Елизавета Константиновна; весна 2011/2012 уч.г.
Тема 1. Основные материалы электронной техники
Классификация материалов, применяемых в электронной технике. Виды химической связи
Основные положения зонной теории твердого тела
Проводники. Классификация и основные электрофизические свойства
Диэлектрики. Классификация и основные электрофизические свойства
Полупроводники. Классификация и основные электрофизические свойства
Собственные и примесные полупроводники. Механизмы электропроводности
Основные и неосновные носители заряда. Закон «действующих масс»
Понятие уровня Ферми в проводниках и полупроводниках
Тема 2. Контактные явления в полупроводниках
Электронно-дырочный переход. Образование и энергетическая диаграмма
Влияние внешних факторов на высоту потенциального барьера электронно-дырочного перехода
Физические процессы, происходящие в электронно-дырочном переходе, смещенном в прямом направлении
Физические процессы, происходящие в электронно-дырочном переходе, смещенном в обратном направлении
Классификация и методы изготовления электронно-дырочных переходов
Барьерная емкость электронно-дырочного перехода
Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода. Влияние ширины запрещенной зоны, концентрации примесей и температуры на электрические свойства перехода
Лавинный пробой электронно-дырочного перехода
Туннельный пробой электронно-дырочного перехода
Тепловой пробой электронно-дырочного перехода
Контакт металл-полупроводник. Энергетическая диаграмма и основные особенности
Гетеропереход. Энергетическая диаграмма и основные особенности