Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ФОЭ.doc
Скачиваний:
66
Добавлен:
16.09.2019
Размер:
2.41 Mб
Скачать

Принцип действия и основные характеристики фоторезисторов

Фоторезистор – это п/п резистор, действие которого основано на фоторезистивном эффекте.

При облучении фоторезистора фотонами в п/п фоточувствительном слое возникает избыточная концентрация носителей заряда. Если к фоторезистору приложено напряжение, то через него будет протекать дополнительная составляющая тока – фототок, обусловленный этими зарядами.

Материалы для фоточувствительных слоев – CdS, CdSe, PbS.

Основные параметры и характеристики:

- коэффициент усиления фоторезистора - отношение прошедших во внешней цепи электронов к числу возникших в фоточувствительном слое;

- постоянная времени – время, в течение которого фототок изменяется после освещения или затемнения фоторезистора на 63% (т.е. в е раз) по отношению к установившемуся значению;

- темновое сопротивление – сопротивление фоторезистора в отсутствие освещения;

- ВАХ фоторезистора – зависимость светового (1) и темнового (2) токов от приложенного напряжения

- световая или люкс-амперная характеристика фоторезистора – зависимость фототока от освещенности или от падающего светового потока

- спектральная характеристика фоторезистора – зависимость фототока от длины волны падающего на фоторезистор света (S – отношение фототока при данной длине волны излучения к максимальному фототоку)

Экзаменационные вопросы по курсу «Физические основы микроэлектроники»

Лектор – Райская Елизавета Константиновна; весна 2011/2012 уч.г.

Тема 1. Основные материалы электронной техники

  1. Классификация материалов, применяемых в электронной технике. Виды химической связи

  2. Основные положения зонной теории твердого тела

  3. Проводники. Классификация и основные электрофизические свойства

  4. Диэлектрики. Классификация и основные электрофизические свойства

  5. Полупроводники. Классификация и основные электрофизические свойства

  6. Собственные и примесные полупроводники. Механизмы электропроводности

  7. Основные и неосновные носители заряда. Закон «действующих масс»

  8. Понятие уровня Ферми в проводниках и полупроводниках

Тема 2. Контактные явления в полупроводниках

  1. Электронно-дырочный переход. Образование и энергетическая диаграмма

  2. Влияние внешних факторов на высоту потенциального барьера электронно-дырочного перехода

  3. Физические процессы, происходящие в электронно-дырочном переходе, смещенном в прямом направлении

  4. Физические процессы, происходящие в электронно-дырочном переходе, смещенном в обратном направлении

  5. Классификация и методы изготовления электронно-дырочных переходов

  6. Барьерная емкость электронно-дырочного перехода

  7. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода. Влияние ширины запрещенной зоны, концентрации примесей и температуры на электрические свойства перехода

  8. Лавинный пробой электронно-дырочного перехода

  9. Туннельный пробой электронно-дырочного перехода

  10. Тепловой пробой электронно-дырочного перехода

  11. Контакт металл-полупроводник. Энергетическая диаграмма и основные особенности

  12. Гетеропереход. Энергетическая диаграмма и основные особенности

Соседние файлы в предмете Физические основы электротехники