13. Простые формы тригональной сингонии.

 Тригональная призма (от греч."гон"- угол) - три равных грани, пересекающихся по параллельным ребрам и образующих в сечении равносторонний треугольник;

 Тетрагональная призма (от греч."тетра"- четыре) - четыре равных попарно параллельных грани, образующих в сечении квадрат;

 Гексагональная призма (от греч."гекса"- шесть) - шесть равных граней, пересекающихся по параллельным ребрам и образующих в сечении правильный шестиугольник.

Названия дитригональных, дитетрагональных и дигексагональных получили призмы с удвоенным числом граней, когда все грани равны, а одинаковые углы между гранями чередуются через один.

Пирамиды - простые формы кристаллов средней категории могут быть, также как и призмы, тригональными (и дитригональными), тетрагональными (и дитетрагональными), гексагональными( и дигексагональными). Они образуют в сечении правильные многоугольники. Грани пирамид располагаются под косым углом к оси симметрии высшего порядка.

В кристаллах средней категории встречаются так же закрытые простые формы. Таких форм несколько:

 Дипирамиды - простые формы, образованные двумя равными пирамидами, сложенными основаниями. В таких формах происходит удвоение пирамиды горизонтальной плоскостью симметрии, перпендикулярной главной оси симметрии высшего порядка (рис. 8). Дипирамиды, как и простые пирамиды, в зависимости от порядка оси могут иметь различные формы сечения. Они могут быть тригональными, дитригональными, тетрагональными, дитетрагональными, гексагональными и дигексагональными.

 Ромбоэдр - простая форма, которая состоит из шести граней в виде ромбов и напоминает вытянутый или сплющенный по диагонали куб. Он возможен только в тригональной сингонии. Верхняя и нижняя группа граней повернуты относительно друг друга на угол 60о таким образом, что нижние грани располагаются симметрично между верхними.

В сингониях средней категории вероятны также скаленоэдры, тетрагональный тетраэдр и трапецоэдры.

Образование кристаллов из газовой фазы.

КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, переход в-ва из газообразного (парообразного), жидкого или твердого аморфного состояния в кристаллическое, а также из одного кристаллич. состояния в другое (рекристаллизация, или вторичная кристаллизация); фазовый переход первого рода. Кристаллизация из жидкой или газовой фазы-экзотермич. процесс, при к-ром выделяется теплота фазового перехода, или теплота кристаллизации; при этом изменение энтропии в большинстве случаев составляет [в Дж/(моль.К)]: для простых в-в 5-12, для неорг. соед. 20 - 30, для орг. соед. 40-60. Рекристаллизация может протекать с выделением либо поглощением теплоты. В пром-сти и лаб. практике кристаллизацию используют для получения продуктов с заданными составом, содержанием примесей, размерами, формой и дефектностью кристаллов (см. Дефекты,Кристаллическая структура. Кристаллы), а также для фракционного разделения смесей, выращивания монокристаллов и др.

Участие газовой фазы становится очевидным при протекании реакции в условиях пространственного разделения твердых компонентов. [1]

Рост с участием газовой фазы происходит и при кристаллизации остаточного расплава, насыщенного растворенными газами и легкоплавкими фторидами. Остаточный расплав обычно оттесняется в верхнюю часть слитка, и вначале происходит кристаллизация раствор-расплавного типа, а затем по мере убывания жидкой фазы идет доращивание образовавшихся друзообразных кристаллов из газовой фазы. Наросший сверху ажурный слой кристаллов часто отделен от основного слитка пустотами различной формы. [2]

Процессы с участием газовой фазы во многих случаях удается проводить в колоннах. При достаточном количестве газа в аппарате создается турбулентное движение, что обеспечивает высокую эффективность. [3]

Рост с участием газовой фазы происходит и при кристаллизации остаточного расплава, насыщенного растворенными газами и легкоплавкими фторидами. Остаточный расплав обычно оттесняется в верхнюю часть слитка, и вначале происходит кристаллизация раствор-расплавного типа, а затем по мере убывания жидкой фазы идет доращивание образовавшихся друзообразных кристаллов из газовой фазы. Наросший сверху ажурный слой кристаллов часто отделен от основного слитка пустотами различной формы. [4]

Для фазовых переходов с участием газовой фазы ( в области, достаточно далекой от критической) можно сделать два допущения: а) пренебречь объемом конденсированной фазы по сравнению с объемом такой же массы газа и считать ДУ У; б) считать, что пар ведет себя как идеальный газ. [5]

Повышение давления для процессов с участием газовой фазы равносильно повышению концентрации газового компонента. [6]

Увеличение давления в системе с участием газовой фазы фактически позволяет повысить концентрацию газового компонента. [7]