2. 3. 3. Основные диффузанты

В технологии изготовления ИМС наиболее широко исполь-зуются твердые, жидкие и газообразные диффузанты.

Твердые диффузанты: безводная пятиокись фосфора или фосфорный ангидрид – Р₂О₅; нитрид фосфора – P₃N₅; одно-основный фосфат аммония – NH₄H₂PO₄; двухосновный фосфат аммония – (NH₄)₂HPO₄; борный ангидрид – В₂О₃.

Жидкие диффузанты: оксихлорид фосфора – POCl₃; три-хлорид фосфора – PCl₃; пентафторид фосфора – РF₅; трех-бромистый бор – BBr₃.

Газообразные диффузанты: фосфин – PH₃; трехлористый бор – BCl₃; диборан – В₂Н₆.

Электронно-дырочные переходы, образованные методом диффузии, обладают плавным распределением примеси, крутизна которого характеризуется градиентом концентрации а.

Для приближенных расчетов напряжение пробоя плоскостного перехода с постоянным градиентом концентации примеси а

U_проб, = 60(ΔE/1,1)^1,2(3·10²⁰ / a)^0,4,

где ΔE – ширина запрещенной зоны, эВ.