Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Виробництво плат друкованого монтажу(конспект л...doc
Скачиваний:
38
Добавлен:
10.09.2019
Размер:
370.69 Кб
Скачать

4. Нанесення захисного рельєфу у виробництві друкованих плат.

Призначення захисного рельєфу у виробництві друкованих плат:

1. Захист струмопровідного рисунка від дії травильного розчину у субтрактивному методі.

2. Захист пробільних ділянок від хімічного і електрохімічного осадження міді і металорезисту у адитивному і в комбінованому позитивному методі та в електрохімічному методі виготовленні друкованих плат.

У виробництві друкованих плат використовують два методи нанесення захисного рельєфу:

  • метод фотохімічного друку;

  • метод трафаретного друку (метод сіткографії).

4.1. Метод фотохімічного друку.

Цей метод передбачає використання так званих фоторезистів. Це фото полімерні матеріали, які під дією ультрафіолетових променів із лінійних вуглецевих ланцюгів утворюють розгалужені структури. Після дії ультрафіолетових променів ці речовини стають стійкими до дії розчинів, на основі яких вони виготовлені. Такі розчини називають проявниками.

Загальна схема нанесення захисного рельєфу цим методом включає такі операції:

1.Нанесення фото чутливого шару на поверхню друкованих плат.

2.Експонування ультрафіолетовими променями з використанням відповідного фотошаблону.

3.Проявлення зображення.

4.Промивпання та висушування.

Конкретна схема процесу нанесення захисного рельєфу визначається видом застосовуваних фоторезистів. У виробництві друкованих плат використовують два види фоторезистів:

  • рідкі фоторезисти;

  • сухі плівкові фоторезисти (СПФ).

4.1.1. Нанесення захисного рельєфу з використанням рідких фоторезистів.

Найбільшого поширення набув рідкий фоторезист на основі полівінілового спирту (ПВС). Його склад: ПВС - 120 г/л, біхромат амонію - 9 г/л, етиловий спирт 120 мл/л. Фоторезист готують безпосередньо на виробництві.

Схема технологічного процесу:

1. Нанесення фоторезисту на поверхню заготовок. Наносять зануренням у рідкий фоторезист двома шарами з наступним висушуванням кожного шару теплим повітрям (40°С) протягом 30 хв. Перед нанесенням другого шару заготовку повертають на 180°.

2. Експонування. Здійснюють на спеціальних установках, обладнаних ртутними кварцовими лампам ЛУФ. Попередньо на поверхню фото чутливого шару кладуть відповідний фотошаблон (контактний друк). Тривалість експонування вибирають експериментально. Установка дозволяє одночасно експонувати обидва боки плати.

3. Проявлення. Здійснюють у воді температурою 35÷40°С, тривалість ≈1хв.

4. Фарбування у розчині барвника метиловий фіолетовий для контролю якості проявлення. Барвник забарвлює фоторезист, і коли пробільні ділянки набувають фіолетового кольору, то проявлення недостатнє.

5.Хімічне дублення у розчині H2CrO4 - 2 г/л тривалістю 1÷3 хв, з наступним промиванням.

6.Термічне дублення при температурі 100°С, тривалість 60 хв.

Хімічне і термічне дублення використовують для надання рельєфу хімічної стійкості та механічної міцності.

Товщина рисунка складає 12÷15 мкм. Розділювальна здатність цього методу 0,25 мм.

Переваги методу: фоторезист не токсичний, простий у приготуванні, порівняно дешевий, використовується просте обладнання.

Недоліки:

1) Задублювання фоторезисту у темноті (самовільне) - біхромат амонію, який є у складі фоторезисту, гідролізує під дією парів води, утворює хромову кислоту, яка реагує з полівініловим спиртом. Через це плати після нанесення фоторезисту не можна зберігати більше 3 годин до моменту їх експонування;

2) Недостатня стійкість рисунка при підвищеній вологості і температурі.

Загальні недоліки технології з використанням рідких фоторезистів:

1. Нерівномірність товщини фоторезисту по поверхні плати, що відбивається на якості відтвореного рисунка і знижує розділювальну здатність.

2. Фоторезист безбарвний, що ускладнює контроль якості проявлення.

3. Така технологія не придатна для позитивного комбінованого методу, так як фоторезист буде затікати в отвори плати.

4. Так як товщина шару фоторезисту складає 15 мкм, а товщина гальванічного покриття повинна бути не меншою 25 мкм, то буде спостерігатися “розростання” гальванопокриття, що знизить розділювальну здатність.

5. Руйнування шару фоторезисту під час висушування (присипання пилу та твердих часток), що буде спотворювати рисунок.

6. Нетехнологічність.

Через ці недоліки рідкі фоторезисти на теперішній час мають обмежене використання.