- •Некоторые перспективные направления развития транзисторной микроэлектроники
- •Молекулярный транзистор
- •Cпиновый транзистор
- •Квантовый транзистор. Квантовомеханические эффекты
- •Квантовый интерференционный транзистор
- •Транзистор на квантовых точках
- •Углеродные нанотрубки
- •Ферроэлектрический транзистор
- •Кремниевая фотоника
Ферроэлектрический транзистор
Даррелл Шлом (Darrell Schlom), Корнелльский университет.
Ферроэлектрический транзистор на оксидном соединении – титанате стронция выполнен в виде пленки толщиной всего в несколько атомов на кремниевой подложке.
Ферроэлектрические материалы (сегнетоэлектрики) уже давно используются в современной микроэлектронике - титанат-цирконата свинца или танталат стронция-висмута используются в различных смарт-картах.
Ферроэлектрики отличаются способностью быстро переключаться из одного состояния памяти в другое с использованием минимального электрического тока.
В определeнном интервале температур эти материалы обладают собственным электрическим дипольным моментом, который можно переориентировать путем приложения внешнего электрического поля.
Это свойство позволяет считывать и записывать на них информацию без внутреннего источника питания.
Применение: основа логической ячейки для быстрой энергонезависимой памяти.
Кремниевая фотоника
Кремниевая фотоника - научные исследования и разработки, находящиеся на стыке квантовой оптики и кремниевой электроники.
Фотонные устройства, состоящие из лазеров, модуляторов и волоконно-оптических кабелей, можно использовать для компьютерных вычислений и интегрировать в процесс производства кремниевых полупроводниковых приборов.
Также их мвозможное применение - в многоканальных сверхскоростных каналах связи.
В настоящее время аппаратно (Intel) воплощены все необходимые элементы для передачи данных с помощью света в СБИС – лазер, модулятор, волокна, детектор.
Задача: собрать все эти элементы воедино в компактной форме и подготовить для коммерческого использования.
Предположительно в чип будут интегрироваться десятки кремниевых лазеров, модуляторов и мультиплексор, что позволит создавать оптические каналы связи с терабитной (1000000 мегабит) пропускной способностью.