Получены плёнки твёрдого раствора Bi₁₂GeO₂₀ : 6 мольн. % Cr⁴⁺ со структурой силленита на германосилленитовой подложке.

Оптимальными условиями для получения качественных плёнок толщиной от 20 до 90 мкм. Являются температурный интервал 904 – 914 с и время эпитаксии 10 мин.

Величина кристаллических блоков изменяется от 15 до 70 мкм в температурном интервале от 904 до 914 с.

Для получения эпитаксиальной плёнки твёрдого раствора Bi₁₂GeO₂₀ : 6 мольн. % Cr⁴⁺ со структурой силленита на германосилленитовой подложке. наиболее благоприятная ориентация подложки {100}

Cписок литературы.

А.А. Ballman, J. Cryst. Growth; 1961, I,37/

Е.И. Сперанская, А.А. Аршакуни, Система Bi₂O₃ – GeO₂ .// ЖНХ. – 1964. – Т.9, № 2. – с. 414 – 421.

А.С. Сонин, А.С. Василевская, Электрооптические кристаллы, М., 1971

Е.И. Сперанская, В.М. Скориков, Г.М. Сафронов, Г.Д. Миткина, Система Bi₂O₃– SiO₂.// Изв. АН СССР. Сер.: Неорг. Мат-лы.- 1968. – Т. 4, № 8 – с. 1374 – 1375.

P.V. Lenzo, Spenser, Ballman, Appl, Phys., Let., 9, 290, 1966.

P.V. Lenzo, Spenser, Ballman, Appl, Phys., Opt., 5, 1688, 1965.