Цель работы.

Исследование статических характеристик и параметров биполярного транзистора в различных схемах включения.

Схема для исследования статических характеристик транзистора.

В схему включены регулируемые источники: G1- источник входного тока (регулировка «Iэ, Iб») и G2 – источник выходного напряжения (регулировка « Uкб и Uкэ »). Переключение транзистора VT из схемы с общим эмиттером(ОЭ) в схему с общей базой (ОБ) осуществляют ключом S1(« ОБ – ОЭ ») ,который подключает источник напряжения либо между базой и коллектором( положение «ОБ»), либо между коллектором и эмиттером( положение «ОЭ»).

Для обеспечения возможности исследования статических характеристик транзистора методом характериографа с помощью осциллографа во входную и выходную цепи транзистора включены резисторы R1и R2.

PV – вольтметр, PA – миллиамперметр.

Санкт-Петербургский

Государственный Электротехнический Университет.

Кафедра микроэлектроники

Отчет

по лабораторной работе № 3

"Исследование статических характеристик биполярного транзистора методом характериографа"

Выполнил: Рачеев Р.А.

Группа: 9322

Факультет: КТИ

Проверила: Райская Е.К.

Санкт-Петербург

2001 г.

Расчеты.

1. Определение статических коэффициентов передачи токов эмиттера и базы.

h21б=Ik/Iэ, где h21б - статическиq коэффициент передачи токов базы в схеме с ОБ.

h21б=4,8/5=0,98

График h21б(Iэ) представлен в приложении 1.

2. Рассчитать h21б ,используя соотношение

Iкэо=Iкбо/(1- h21б )

Откуда h21б= 1 - Iкбо/Iкэо

h21б=0,52381

3. Рассчитать показатель степени b в выражени для коэффициента лавинного размножения

b= ln(1-h21б)/ln(Uкэо проб/Uкбо проб)

b=1,05

4. По выходным характеристикам для схем с ОБ и ОЭ методом графического дифференцирования рассчитать выходные проводимости транзистора h22б и h22э при напряжениях на коллекторе 5В, используя соотношение:

h22б=Iк/Uкб при Iэ=10мА

h22э=Iк/Uкэ при Iб=1мА

h22б=0,19/5=0,038

h22э=0,33/5=0,066

Iэ,mA	Ik,mA	h21б=Ik/Iэ	h21э=h21б/(1-h21б)
5	4,8	0,96	24
10	10,1	1,01	-101
15	14,3	0,953333333	20,42857143
20	18,5	0,925	12,33333333
25	22	0,88	7,333333333

Iб,mA	Ik,mA	h21э=Ik/iб
0,5	4,8	9,6
1	9,5	9,5
1,5	4,5	3
2	18,8	9,4

Вывод.

В ходе работы мы построили семейства входных и выходных характеристик транзистора в схемах с ОБ иОЭ. По ним мы определили ,что в схеме с ОБ при возростании напряжения на коллекторе получаем, что напряжение на эмиттере падает.В схеме с ОЭ при возростании напряжения на коллекторе ,напряжение на базе относительно эмиттера также возрастает.

По графикам выходных характеристик мы сделали вывод, что в схеме с ОБ при нулевом напряжении на коллекторе ток на выходе транзистора( ток коллектора) существует.

Это связано с тем ,что даже в отсутствие напряжения на входе поле в коллекторном ЭДП существует и обеспечивает экстракцию неосн,носителей , инжектированных эмиттерным переходом(Iэ>0), следовательно будет идти ток.

П риложение 1.