
- •4.5. Явление Холла.
- •4.2 Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Плотность квантовых состояний. Функция распределения Ферми - Дирака для электронов и дырок.
- •4,3 Дифузійний та дрейфовий струми в напівпровідниках. Рівняння неперервності.
- •4.4 Полупроводник во внешнем электрическом поле. Дебаевская длина экранирования.
- •4.9. Пробій p-n переходу. Стабілітрони, їх характеристики та параметри
- •4.14 Схемы питания и стабилизации режима работы транзистора.
4.1 Класична теорія електропровідності. Рухомість носіїв заряду, питомий опір та провідність
Скорость
дрейфа – скорость направленного
движения
где
Х- суммарное расстояние, пройденное
:
Т
суммарное время, кот. проходят
Электрическое
поле напряженности E
сообщит
электрону с массой
т
ускорение,
равное:
тогда
приобретет
скорость за время свобод. пробега
:
Пройденный путь составит:
Чтобы найти общее расстояние, пройденное по полю, надо взять интеграл:
Отсюда скорость дрейфа равна:
Скорость
прямопропорциональна напряженности
поля, времени свободного пробега и
обратнопропорциональна массе
.
Величина,
связывающая дрейфовую скорость с
напряженностью,
– подвижность носителей
заряда
.
т. е. подвижность равна скорости дрейфа в электрическом поле единичной напряженности.
Плотность тока равна:
Используя З. Ома, получим удельную проводимость:
Удельное сопротивление – это обратная величина удельной проводимости.
Для МЕ удельное сопротивление растет с температурой:
Для п/п характер температурной зависимости удельного сопротивления иной. Для некоторого интервала температур эта зависимость имеет вид:
где β — некоторая постоянная для данного интервала температур, характеризующая тип п/п. Такие зависимости уд. сопротивления от температуры имеют невырожденные п/п.
4.5. Явление Холла.
Эффект Холла— явление возникновения поперечной разности потенциалов (называемой также холловским напряжением) при помещении проводника с постоянным током в магнитное поле. Открыт Эдвином Холлом в 1879 году в тонких пластинках золота. В простейшем рассмотрении эффект Холла выглядит следующим образом. Пусть через металлический брус в слабом магнитном поле В течет (текёт) электрический ток под действием напряженности Е. Магнитное поле будет отклонять носители заряда (для определенности электроны) от их движения вдоль или против электрического поля к одной из граней бруса. Таким образом, сила Лоренца приведет к накоплению отрицательного заряда возле одной грани бруска и положительного возле противоположной. Накопление заряда будет продолжаться до тех пор, пока возникшее электрическое поле зарядов Е1 не скомпенсирует магнитную составляющую силы Лоренца:
С
корость
электронов v можно
выразить через плотность
тока:
где n — концентрация носителей заряда. Тогда:
Коэффициент:
пропорциональности
между E1 и jB называется коэффициентом (или констант-ой) Холла.
В таком приближении знак постоянной
Холла зависит от знака носителей заряда,
что позволяет определять их тип для
большого числа металлов.
Для некоторых металлов (например, таких,
как алюминий, цинк, железо, кобальт),
в сильных полях наблюдается положительный
знак RH,
что объясняется в
полуклассической и квантовой теориях твёрдого
тела.
4.2 Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Плотность квантовых состояний. Функция распределения Ферми - Дирака для электронов и дырок.
Д
ля
определения
числа частиц, необходимо знать число
квантовых
состояний и вероятность нахождения
частиц в этих состояниях. согласно
определению:
N(E)=dZ/dE
(1).
Если
вероятность заполнения состояний с
энергией Е
равна
f
(Е, Т), то
число электронов dn,
находящихся
в состояниях dZ,
составит
величину
dn=
f(E,T)dZ=
f(E,
T)N(E)dE
(2)
Найдем
выражение для плотности квантовых
состояний в случае, когда поверхности
равной энергии З.П.
и
В.З.
являются сферами.
(3)
где
Ес
=
Е
(р0)
- энергия электрона у дна З.П;
mn*-
эффективная
масса
электрона.
Рис.1. Объем слоя в зоне Бриллюэна.
В
ыделим
шаровой слой,
заключенный
между двумя изоэнергетическими
поверхностями,
соответствующими энергии Е(р)
= const
и Е(р)
+ dE
= const
(рис. 1). Объем этого слоя составляет
величину:
dVp=4πp²dp
(4)
В
каждой ячейке могут находиться два
електрона с противоположно направленными
спинами. С учетом этого число состояний
в объеме dVp
равно:
(5)
Исходя из равенства (3)
(6)
Откуда
(7)
Подставив
(5), (6), (7) в соотнош. (1): (8) Определим
плотность состояний вблизи верхнего
края
В.
З. Для энергии дырок: (9)
Здесь
Еv
=
Е(р0)-энергия
дырки у потолка В.З.; mp*-
эффективная масса дырки. Из расчетов,
аналогичных проделанным выше, будем
иметь:
(
10)
Т.е.,
если
энергия носителей заряда является
квадратичной функцией квазиимпульса,
то плотность состояний N(Е)
имеет
зависимость от энергии вида (Е—
Ес)1/2
или (Еv
—
Е)
1/2..
Поскольку pox=poy=poz=0,a
E(po)=Ec,
то
(11)
где-
1/m1,1/m2,1/m3
–диагональные компоненты тензора
обратной эффективной массы.
Изоэнергетические поверхности в этом
случае представляют собой эллипсоиды,
уравнение кот. в канонической форме
имеет вид:
(
12)
Объем эллипсоида с полуосями a,
b,
c
равен:
Объем слоя заключенного между двумя эллипсоидами равной энергии Е=const и E+dE=const, будет:
(14)В объеме dVp с учетом спина заключено следующее кол-во квантовых состояний:
(15) Поэтому выраж. для плотности состояний у дна сложной З.П. примет вид:
Если положить m1m2m3=mdn*³ , где mdn* - эф. масса плотности состояний для электронов. При этом, как и для простой зоны получим:
(17)
Плотность
состояний для кремния и германия. Для
кремния m1=m2
(18)Изоэнергетические
поверхности обеих зон можно заменить
одной приведенной сферой с плотностью
состояний:
Для
Ge
выраж. (17).
Ф-ція розподілу Фермі-Дірака для електор. та дірок.,подчиняющихся принципу Паули, справедливо распределение Ферми-Дирака:
где
k
—
постоянная Больцмана; Т
—
абсолютная тем-ра; F
—
энергия
Ферми
или химич. потенциал, т. е. работа, кот.
необходимо затратить для изменения
числа частиц в системе на единицу.
Рассмотрим вид ф-ции распред. Ферми-Дирака
при различных тем-рах. Из соотнош. (1)
видно, что в случае Т=0 в интервале
энергии 0≤Е<F
имеем fo=1
и fo=0
для Е>F.
Это
означает, что все квантовые состояния
с энергией, меньшей энергии Ферми,
заняты электронами, а уровни, лежащие
выше уровня. Ферми, полностью свободны,
не заняты электронами. Следоват.,
энергия Ферми есть максимально возможная
энергия электронов в металле при т-ре
абсол. нуля. Рассмотрим случай, когда
Т>0. Из выраж (1) для знач. энергии, равной
знач. энергии Ферми (Е=F),
имеем
fo
=1/2.Т.о., ур. Ферми есть энергетический
уровень, вероятность заполнения кот.
при т-ре, отличной от абсол. нуля, равна
0,5. Вероятность заполнения состояний
заметно отличается от единицы или
нуля лишь в пределах (2÷3) kT
вблизи значения Е =
F
.
. Вид ф-ции распределения
Ф-Д.